Memoria no volátil con operación multimodo dinámica.
Método para almacenar datos en un dispositivo de memoria flash (404),
comprendiendo el método:
a) recibir una instrucción de programación para programar los datos en el dispositivo de memoria flash (404); y
b) determinar (602) que los datos se deben programar en un modo de almacenamiento de un solo bit por celda; caracterizado porque el método incluye además:
c) como respuesta a dicha determinación, comprobar (608) si se encuentran disponibles subdivisiones del dispositivo de memoria flash configuradas para almacenar los datos en el modo de almacenamiento de un solo bit por celda;
d) convertir (612) por lo menos una subdivisión del dispositivo de memoria flash (404) desde un modo de almacenamiento de múltiples bits por celda al modo de almacenamiento de un solo bit por celda, cuando no se encuentren disponibles subdivisiones configuradas para almacenar los datos en el modo de almacenamiento de un solo bit por celda (608); y
e) programar (610) los datos en dicha por lo menos una subdivisión configurada en el modo de almacenamiento de un solo bit por celda.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/CA2008/000285.
Solicitante: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED.
Nacionalidad solicitante: Canadá.
Dirección: 11 Hines Road, Suite 203 Ottawa, ON K2K 2X1 CANADA.
Inventor/es: KIM,JIN-KI.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C11/56 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › utilizando elementos de almacenamiento que tienen más de dos estados estables representados por escalones, p. ej. de tensión, de corriente, de fase, de frecuencia.
PDF original: ES-2477493_T3.pdf
Descripción:
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