Procedimiento para el borrado de una memoria de semiconductor no volátil con radiación ionizante.

Procedimiento (100) para el borrado de informacion que esta guardada en una unidad de semiconductor electronica (64) en una pluralidad de elementos de memoria no volatil (66) que presentan una puerta flotante con la siguiente etapa:



irradiacion (102) de la unidad de semiconductor (64) con una radiacion de borrado (56) hasta que la unidad de semiconductor (64) haya absorbido una dosis nominal de la radiacion de borrado (56);

penetrando la radiacion de borrado (56) a traves de la unidad de semiconductor (64) y absorbiendose al menos una parte de la radiacion de borrado (56) en la unidad de semiconductor (64) apareciendo un efecto de ionizacion (A; B; C), influyendose en la concentracion de portadores de carga (46) guardados en los elementos de memoria (66) al alcanzar la dosis nominal mediante el efecto de ionizacion (A; B; C), de manera tal que la distribucion estadistica (12; 16; 16-1; 16-2; 16-3) de las tensiones criticas de los elementos de memoria (66) forma una region continua (26) comun, de manera que tambien en caso de modificacion de una tension de lectura ya no puede diferenciarse entre celulas de memoria programadas y no programadas;

seleccionando la dosis nominal de la radiacion de borrado (56) de manera tal que la distribucion estadistica (12) forme la region continua (26) de manera permanente e irreversible; y

modificandose la concentracion de los portadores de carga (46) en los elementos de memoria es modificada por el efecto de ionizacion (A; B; C) de manera tal que la concentracion de los portadores de carga (46) en los elementos de memoria (66) despues del proceso de irradiacion es independiente de la concentracion de los portadores de carga (46) antes del proceso de irradiacion.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2014/065393.

Solicitante: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V..

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: HANSASTRASSE 27C 80686 MUNCHEN ALEMANIA.

Inventor/es: HÖFFGEN,STEFAN, JÖSTER,MICHAEL, KUHNHENN,JOCHEN, KÜNDGEN,TOBIAS, METZGER,STEFAN.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G11C11/56 SECCION G — FISICA.G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.G11C MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado en un movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B; dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/115; técnica del impulso en general H03K, p. ej. conmutadores electrónicos H03K 17/00). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › utilizando elementos de almacenamiento que tienen más de dos estados estables representados por escalones, p. ej. de tensión, de corriente, de fase, de frecuencia (disposiciones de cómputo con elementos multiestables de este tipo H03K 25/00, H03K 29/00).
  • G11C16/16 G11C […] › G11C 16/00 Memorias de sólo lectura programables y borrables (G11C 14/00 tiene prioridad). › para borrar bloques, p. ej. filas, palabras, grupos.

PDF original: ES-2704679_T3.pdf

 

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