PROCEDIMIENTO DE ELIMINACION MEDIANTE RECOCIDO DE LOS PRECIPITADOS EN UN MATERIAL SEMICONDUCTOR II-VI.
Procedimiento de eliminación mediante recocido de los precipitados contenidos en un material sólido de semiconductor II-VI,
en el que dicho material sólido semiconductor es un material sólido semiconductor de sublimación congruente, y en el que se realizan las siguientes etapas sucesivas:
- se calienta bajo circulación de gas neutro el material sólido semiconductor hasta una temperatura T comprendida entre una primera temperatura T 1, correspondiente al eutéctico de compuesto II-VI/elemento VI, y una segunda temperatura T2, correspondiente a la temperatura máxima de sublimación congruente;
- se mantiene bajo circulación de gas neutro el material sólido a esta temperatura T durante una duración suficiente para eliminar los precipitados;
- se enfría el material sólido semiconductor bajo circulación de gas neutro desde la temperatura T hasta la temperatura ambiente a una velocidad tal que el material sólido se confunde en el transcurso del enfriamiento con su línea de sublimación congruente;
- se recupera el material sólido semiconductor exento de precipitados
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E07115691.
Solicitante: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: 25, RUE LEBLANC IMMEUBLE "LE PONANT D",75015 PARIS.
Inventor/es: PELLICIARI,BERNARD.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 5 de Septiembre de 2007.
Fecha Concesión Europea: 1 de Julio de 2009.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C22F1/16 QUIMICA; METALURGIA. › C22 METALURGIA; ALEACIONES FERROSAS O NO FERROSAS; TRATAMIENTO DE ALEACIONES O METALES NO FERROSOS. › C22F MODIFICACION DE LA ESTRUCTURA FISICA DE METALES O ALEACIONES NO FERROSOS (procesos específicos para el tratamiento térmico de aleaciones ferrosas o aceros y dispositivos para el tratamiento térmico de metales o aleaciones C21D). › C22F 1/00 Modificación de la estructura física de metales o aleaciones no ferrosos por tratamiento térmico o por trabajo en caliente o en frío. › de otros metales o aleaciones basadas en ellos.
- C30B29/48 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Compuestos A II B VI.
- C30B33/02 C30B […] › C30B 33/00 Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada (C30B 31/00 tiene prioridad). › Tratamiento térmico (C30B 33/04, C30B 33/06 tienen prioridad).
Clasificación PCT:
- C22F1/16 C22F 1/00 […] › de otros metales o aleaciones basadas en ellos.
- C30B29/48 C30B 29/00 […] › Compuestos A II B VI.
- C30B33/02 C30B 33/00 […] › Tratamiento térmico (C30B 33/04, C30B 33/06 tienen prioridad).
- H01L21/477 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/36 - H01L 21/449, H01L 21/461 - H01L 21/475 tienen prioridad).
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.
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