PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE UN LINGOTE CRISTALINO DE HG1-XO CDXO TE.
ANTES DE DESPLAZAR UNA ZONA DE DISOLVENTE CALENTADA (5) PARA DISOLVER PROGRESIVAMENTE LINGOTES-FUENTE (2,
3) Y DAR NACIMIENTO A UN LINGOTE UNICO (6), SE CREA UNA ZONA DE ADAPTACION (18) A PARTIR DE UN GERMEN MONOCRISTALINO (15), MEDIANTE CALENTAMIENTO Y ENFRIAMIENTO DEL DISOLVENTE EN CONTACTO CON EL GERMEN (15). EL LINGOTE (6) OBTENIDO ES MONOCRISTALINO. EL PROCEDIMIENTO DE LA INVENCION PERMITE, EN PARTICULAR, REDUCIR LOS COSTES DE FABRICACION DE COMPUESTOS COMO LOS DETECTORES DE INFRARROJOS O LOS DIODOS DE AVALANCHA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SAT (SOCIETE ANONYME DE TELECOMMUNICATIONS).
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: 41, RUE CANTAGREL, F-75631 PARIS CEDEX 13.
Inventor/es: DURAND,ALAIN RENE LUCIEN, DESSUS,JEAN-LUC, ROYER,MICHEL.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 20 de Marzo de 1991.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B13/02 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 13/00 Crecimiento de monocristales por fusión de zona; Afinado por fusión de zona (C30B 17/00 tiene prioridad; por cambio de la sección transversal del sólido tratado C30B 15/00; bajo un fluido protector C30B 27/00; crecimiento de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada C30B 28/00; afinado por fusión de zona de materiales específicos, ver las subclases apropiadas para estos materiales). › Fusión de zona con ayuda de un solvente, p. ej. proceso por desplazamiento del solvente.
- C30B13/34 C30B 13/00 […] › caracterizado por el germen, p. ej. por su orientación cristalográfica.
- C30B29/48 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Compuestos A II B VI.
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