CRECIMIENTO EPITAXIAL EN FASE DE VAPOR ORGANOMETALICO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DEL GRUPO II-VI.
UN PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR UNA O MAS CAPAS EPITAXIALES DEL GRUPO II-VI SOBRE UN SUSTRATO CRISTALINO,
DIRIGIENDO FLUJOS DE UNO O MAS COMPONENTES DEL GRUPO II Y UN VAPOR ORGANOMETALICO DEL GRUPO VI SOBRE UN SUSTRATO CALENTADO, EN EL QUE LOS VAPORES REACCIONAN PARA FORMAR LA CAPA O CAPAS EPITAXIALES Y SE MEJORA EN TERMINOS DE TEMPERATURAS DE REACCION MAS BAJAS Y DE UNA MAYOR CALIDAD DEL PRODUCTO, SI SE UTILIZA, COMOFUENTE DE VAPOR ORGANOMETALICO DEL GRUPO VI, UN COMPUESTO DE TELURO DE LA FORMULA (I) EN LA QUE R1 Y R2 SON, INDEPENDIENTEMENTE, HIDROGENO O ALQUILO DE 1 A 4 CARBONOS, PREFERIBLEMENTE, HIDROGENO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: AMERICAN CYANAMID COMPANY.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 1937 WEST MAIN STREET P.O. BOX 60, STAMFORD CONNECTICUT 06904-006.
Inventor/es: VALENTINE, DONALD, JR., BROWN, DUNCAN WILLIAM.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 18 de Septiembre de 1991.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B25/02 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor. › Crecimiento de un lecho epitaxial.
- C30B29/48 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Compuestos A II B VI.
Patentes similares o relacionadas:
Método para la fabricación de electrodos de nitruro de galio-indio para dispositivos electroquímicos, del 8 de Enero de 2020, de UNIVERSITA DEGLI STUDI DI MILANO - BICOCCA: Método para la fabricación de electrodos, que comprende las etapas de: a) depositar epitaxialmente nitruro de galio-indio (InGaN) en forma de una capa delgada sobre […]
Películas finas preparadas con una técnica de deposición en fase gaseosa, del 12 de Noviembre de 2019, de UNIVERSITETET I OSLO: Proceso para la preparación de una película fina de una naturaleza orgánica-inorgánica en un sustrato mediante una técnica de deposición en fase gaseosa […]
Preparación de material semiconductor de cristal individual usando una plantilla nanoestructural, del 3 de Julio de 2019, de Nanogan Limited: Un procedimiento para crear nanoestructuras de semiconductor, el cual comprende los pasos de: (a) proporcionar un material de plantilla que comprende una capa de […]
Aparato de deposición química de vapor asistida por plasma de microondas, del 27 de Septiembre de 2017, de IIA Technologies Pte. Ltd: Un aparato para cultivar diamantes, comprendiendo el aparato: una o más cámaras , estando cada cámara en conexión fluida con una o más otras cámaras , […]
PROCEDIMIENTO DE REALIZACIÓN DE UNA CAPA EPITAXIAL DE NITRURO DE GALIO, del 1 de Diciembre de 2011, de SAINT-GOBAIN CRISTAUX & DÉTECTEURS: Procedimiento de realización de una capa de GaN sobre un substrato ocultado por un dieléctrico, caracterizado porque se realizan las etapas de epitaxis […]
CAPA GRUESA DE DIAMANTE MONOCRISTALINO, PROCEDIMIENTO DE PRODUCCION Y GEMAS PRODUCIDAS A PARTIR DE LA CAPA., del 16 de Mayo de 2006, de DE BEERS INDUSTRIAL DIAMOND DIVISION (PROPRIETARY) LIMITED: Una capa de diamante CVD monocristalino de alta calidad que tiene un espesor de al menos 2 mm y que tiene una o más de las siguientes características: 1) una gran […]
SISTEMA PARA CARBURIZACION DE SILICIO., del 1 de Noviembre de 2005, de UNIVERSIDAD DE CADIZ, Y EN SU NOMBRE Y REPRESENTACION EL RECTOR D. GUILLERMO MARTINEZ MASSANET: Sistema de carburización de silicio que permite producir, mediante un proceso de carburización, capas de SiC epitaxial, sobre sustratos comerciales como obleas […]
PROCEDIMIENTO DE CRECIMIENTO CRISTALINO SOBRE SUBSTRATO., del 1 de Mayo de 2004, de CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE: Procedimiento de crecimiento cristalino de un material sobre un primer material sólido , a partir de un material en fusión, sobre el primer material sólido […]