Aparato para crecimiento de cristales.
Un aparato para crecimiento de cristales desde fase vapor, el aparato comprende:
un solo calentador multizona dispuesto para calentar una zona calentada para ofrecer un perfil de temperatura predeterminado a lo largo de la longitud de la zona calentada;
un tubo generalmente con forma de U dispuesto para ser proporcionado dentro de la zona calentada, el tubo generalmente con forma de U tiene una primera rama, una segunda rama y una unión que conecta las ramas primera y segunda, en donde la primera rama tiene una primera longitud y la segunda rama tiene una segunda longitud diferente de la primera longitud, y en donde la primera rama tiene una región de origen dispuesta para contener un material de origen; y,
un soporte para soportar una semilla en la segunda rama de tal manera que el soporte y la región de origen estén espaciadas longitudinalmente dentro de la zona calentada para proporcionar un diferencial de temperatura predeterminado entre la región de origen y el soporte.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/GB2008/001713.
Solicitante: Kromek Limited .
Nacionalidad solicitante: Reino Unido.
Dirección: NetPark Incubator Thomas Wright Way Sedgefield, Durham TS21 3FD REINO UNIDO.
Inventor/es: ROBINSON, MAX, BASU,ARNAB, CANTWELL,BEN.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B23/06 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 23/00 Crecimiento de monocristales por condensación de un material evaporado o sublimado. › Calentamiento del recinto de depósito, del sustrato o del material a evaporar.
- C30B29/48 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Compuestos A II B VI.
PDF original: ES-2554606_T3.pdf
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