SINTESIS EN MASA DE NANOTUBOS LARGOS DE CALCOGENUROS DE METALES DE TRANSICION.

Un método para la síntesis en masa de nanotubos largos de un calcogenuro de metal de transición a partir de un material de metal de transición,

vapor de agua y H2X gas o H2 gas y X vapor, en donde X es S, Se o Te, que comprende: 1) Llevar a cabo a) o calentar un material de metal de transición en presencia de vapor de agua en un aparato de vacío o, con un haz de electrones evaporar un material de metal de transición en presencia de vapor de agua, a una presión adecuada, para obtener nanopartículas de óxido de metal de transición tan largas como 0, 3 micrómetros, y b) alargar las nanopartículas de óxido de metal de transición tan largas como 0, 3 micrómetros de la etapa (a) a 10 - 20 micrómetros o más, en donde el alargamiento de las nanopartículas de óxido de metal de transición se lleva a cabo calentando el óxido bajo condiciones reductoras durante algunos minutos, o por irradiación con un haz de electrones del óxido en condiciones de alto vacío; o 2) c) calentar una lámina de metal de transición en condiciones de vacío pobre; y recocer las nanopartículas de óxido de metal de transición obtenidas en la etapa (b) o (c) en una atmósfera reductora con un H2X gas o con H2 gas y X vapor, en donde X es S, Se o Te, a una temperatura adecuada, para así obtener nanotubos largos de calcogenuro de metal de transición, siendo dichos tubos tan largos como 0, 3 - 20 µm o más.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: YEDA RESEARCH AND DEVELOPMENT COMPANY, LTD..

Nacionalidad solicitante: Israel.

Dirección: KIRYAT WEIZMAN P.O. BOX 95,REHOVOT 76100.

Inventor/es: TENNE, RESHEF, ROTHSCHILD,AUDE, HOMYONFER,MOSHE.

Fecha de Publicación: 1 de Abril de 2008.

Fecha Concesión Europea: 3 de Octubre de 2007.

Clasificación PCT:

B82B3/00 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B82 NANOTECNOLOGIA. › B82B NANOESTRUCTURAS FORMADAS POR MANIPULACION DE ATOMOS O MOLECULAS INDIVIDUALES, O COLECCIONES LIMITADAS DE ATOMOS O MOLECULAS COMO UNIDADES DISCRETAS; SU FABRICACION O TRATAMIENTO. › Fabricación o tratamiento de nanoestructuras por manipulación de átomos o moléculas individuales, colecciones limitadas de átomos o moléculas como unidades discretas.
C01B17/20 QUIMICA; METALURGIA. › C01 QUIMICA INORGANICA. › C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 17/00 Azufre; Sus compuestos. › Métodos para preparar sulfuros o polisulfuros en general (sulfuros o polisulfuros de amonio C01C; sulfuros o polisulfuros de metales, diferentes a los metales alcalinos, magnesio, calcio, estroncio y bario, ver los grupos relevantes de las subclases C01F o C01G, de acuerdo con el metal).
C01B19/00 C01B […] › Selenio; Teluro; Sus compuestos.
C01G1/12 C01 […] › C01G COMPUESTOS QUE CONTIENEN METALES NO CUBIERTOS POR LAS SUBCLASES C01D O C01F (hidruros metálicos C01B 6/00; sales de oxácidos de halógenos C01B 11/00; peróxidos, sales de los perácidos C01B 15/00; tiosulfatos, ditionitos, politionatos C01B 17/64; compuestos que contienen selenio o teluro C01B 19/00; compuestos binarios del nitrógeno con metales C01B 21/06; azidas C01B 21/08; amidas metálicas C01B 21/092; nitritos C01B 21/50; fosfuros C01B 25/08; sales de los oxácidos del fósforo C01B 25/16; carburos C01B 32/90; compuestos que contienen silicio C01B 33/00; compuestos que contienen boro C01B 35/00; compuestos que tienen propiedades de tamices moleculares pero que no tienen propiedades de cambiadores de base C01B 37/00; compuestos que tienen propiedades de tamices moleculares y de cambiadores de base, p. ej. zeolitas cristalinas, C01B 39/00; cianuros C01C 3/08; sales del ácido ciánico C01C 3/14; sales de cianamida C01C 3/16; tiocianatos C01C 3/20; procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; obtención a partir de mezclas, p. ej. a partir de minerales, de compuestos metálicos que son los compuestos intermedios de un proceso metalúrgico para la obtención de un metal libre C21B, C22B; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01G 1/00 Métodos de preparación de los compuestos de metales no cubiertos por C01B, C01C, C01D, C01F, en general (producción electrolítica de compuestos inorgánicos C25B 1/00). › Sulfuros.
C30B23/00 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por condensación de un material evaporado o sublimado.

SINTESIS EN MASA DE NANOTUBOS LARGOS DE CALCOGENUROS DE METALES DE TRANSICION.

Patentes similares o relacionadas:

Nanobarra de óxido de indio, del 11 de Febrero de 2019, de Hsu, Kuo-Ming: Un sustrato que porta nanobarras de óxido de indio, que comprende: un sustrato (SUB); y una pluralidad de nanobarras (R) de óxido de […]

Método de crecimiento que usa capas compatibles de nanocolumnas y HVPE para producir materiales semiconductores compuestos de alta calidad, del 15 de Noviembre de 2017, de Nanogan Limited: Un metodo para producir un material semiconductor compuesto de un solo cristal, que comprende: a) proporcionar un material de sustrato que tiene una nanocolumna […]

Aparato y método de crecimiento cristalino, del 8 de Julio de 2015, de Kromek Limited (100.0%): Un aparato para el crecimiento cristalino, de manera que el aparato comprende: una cámara de aporte , configurada para contener un material de aporte ; una […]

Aparato de deposición de vapor de un material sublimado y procedimiento correspondiente para una deposición continua de una capa de película delgada sobre un sustrato, del 22 de Agosto de 2013, de PrimeStar Solar, Inc: Un aparato para la deposición de vapor de una materia fuente sublimada en forma de una películadelgada sobre un sustrato de un […]

Aparato y proceso para el crecimiento de cristales, del 8 de Agosto de 2012, de Kromek Limited (100.0%): Un aparato proceso para el crecimiento de cristal a partir de fase vapor para producir múltiples monocristalesen un ciclo de crecimiento, que comprende: - […]

CARBURO DE SILICIO SEMIAISLANTE SIN DOMINIO DE VANADIO., del 1 de Mayo de 2007, de CREE, INC.: Monocristal volumétrico semiaislante de carburo de silicio que tiene una resistividad de al menos 5.000 O-cm a temperatura ambiente, una concentración de elementos […]

METODO Y APARATO PARA HACER CRECER CRISTALES DE CARBURO DE SILICIO., del 16 de Junio de 2005, de CREE, INC.: Método de control y potenciación del crecimiento de cristales únicos de SiC de alta calidad en un sistema de crecimiento de cristales de SiC, comprendiendo el método dirigir […]

GEMAS DE DIAMANTE ARTIFICIALES FORMADAS DE NITRURO DE ALUMINIO Y ALEACIONES DE NITRURO DE ALUMINIO:CARBURO DE SILICIO., del 16 de Septiembre de 2004, de CREE RESEARCH, INC.: Gema de diamante artificial que comprende un monocristal de AlN o aleación de AlN:SiC, incoloro y sintético que tiene facetas pulidas hasta un grado […]