Nanobarra de óxido de indio.
Un sustrato que porta nanobarras de óxido de indio, que comprende:
un sustrato (SUB); y
una pluralidad de nanobarras (R) de óxido de indio dispuestas sobre el sustrato (SUB), comprendiendo cada una de las nanobarras (R) de óxido de indio:
una porción inferior (BP);
una porción superior (TP) opuesta a la porción inferior (BP); y
una porción de conexión (CP) conectada entre la porción inferior (BP) y la porción superior (TP), en el que un diámetro promedio de la porción superior (TP) es mayor que un diámetro promedio de la porción de conexión (CP) y un diámetro promedio de la parte inferior (BP), estando la nanobarra (R) de óxido de indio caracterizado porque una anchura (W) de la parte de conexión (CP) disminuye gradualmente en una dirección desde la parte superior (TP) a la parte inferior (BP), y la parte inferior (BP) de cada una de las nanobarras de óxido de indio (R) está en contacto con el sustrato (SUB).
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E15184576.
Solicitante: Hsu, Kuo-Ming.
Nacionalidad solicitante: Taiwan, Provincia de China.
Dirección: No. 359, Sec. 3 Qingyun Road Toucheng Township Yilan County 261 TAIWAN.
Inventor/es: HSU,KUO-MING.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B23/00 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por condensación de un material evaporado o sublimado.
- C30B29/16 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Oxidos.
- C30B29/60 C30B 29/00 […] › caracterizados por la forma.
PDF original: ES-2699373_T3.pdf
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