PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO DE FABRICACION DE UN DETECTOR ELECTRONICO DE GAAS PARA LA DETECCION DE RAYOS X PARA LA FORMACION DE IMAGENES.

Procedimiento de fabricación de un detector electrónico de GaAs para la detección de rayos X para la formación de imágenes,

en el que se hace crecer primeramente una capa epitaxial sobre un sustrato n+ (o p+) para formar un material semiconductor que comprende un cierto dopaje residual, durando dicha etapa de crecimiento de dicha capa epitaxial en tanto el espesor de la capa epitaxial no sea suficiente para absorber eficazmente los fotones X, comprendiendo las etapas siguientes: #- asegurar el paralelismo y el aislamiento térmico entre el sustrato n+ (o p+) y el material fuente, siendo dicho material fuente una plaquita cortada en un lingote de GaAs semiaislante no intencionadamente dopado, siendo de la misma naturaleza dicho material fuente y dicho material semiconductor;# - calentar dicho material fuente a una primera temperatura T1 > 600ºC;# - calentar dicho sustrato n+ (o p+) a una segunda temperatura T2, siendo dicha segunda temperatura T2 inferior a dicha primera temperatura T1; - hacer interactuar químicamente un gas reactivo con el material fuente de temperatura T1 para crear productos volátiles; #- transportar dichos productos volátiles hacia dicho sustrato n+ (o p+) por medio de un gradiente de presión entre dicho material fuente a la temperatura T1 y dicho sustrato n+ (o p+) a la temperatura T2#; - hacer interactuar químicamente dichos productos volátiles con la superficie de dicho sustrato n+ (o p+) a la temperatura T2 a fin de recompensar dicho gas reactivo y dicho material semiconductor, prosiguiéndose el procedimiento de fabricación con las etapas siguientes:# - disminuir el espesor del sustrato por pulido mecanoquímico, formar una estructura p+/i/n+ implantando iones p+ (o n+) en una cara externa del material semiconductor y recocer dicha estructura p+/i/n+ a una temperatura zeta1 durante un tiempo t1; - realizar contacto óhmnicos en las dos caras de la estructura p+/i/n+; - realizar detectores individuales por enmascaramiento, pasivación y decapado óhmnico; comprendiendo asimismo dicho procedimiento una etapa que consiste en reducir el dopaje residual de dicha capa epitaxial.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: UNIVERSITE PIERRE ET MARIE CURIE.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 4, PLACE JUSSIEU,75252 PARIS CEDEX 05.

Inventor/es: BOURGOIN,JACQUES.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 8 de Agosto de 2007.

Clasificación PCT:

  • C03B23/02 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C03 VIDRIO; LANA MINERAL O DE ESCORIA.C03B FABRICACION O MODELADO DE VIDRIO O DE LANA MINERAL O DE ESCORIA; PROCESOS SUPLEMENTARIOS EN LA FABRICACION O MODELADO DE VIDRIO O DE LANA MINERAL O DE ESCORIA (tratamiento de la superficie C03C). › C03B 23/00 Acabado del vidrio modelado (acabado de fibras o filamentos C03B 37/14). › Acabado de las hojas de vidrio.
  • C30B25/02 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor. › Crecimiento de un lecho epitaxial.
  • H01L31/115 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Dispositivos sensibles a la radiación de ondas muy cortas, p. ej. rayos X, rayos gamma o radiación corpuscular.
  • H01L31/117 H01L 31/00 […] › del tipo detectores de radiación con efecto de volumen, p. ej. detectores PIN en Ge compensados al Li para rayos gamma.
  • H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
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