Control térmico activo para dispositivos de IC apilados.

Un dispositivo de IC apilado (30) que comprende:

un nivel superior (11) y un nivel inferior (12),

teniendo cada nivel una capa de sustrato y una capa activa en la que están dispuestos unos circuitos activos, en el que el nivel superior (11) y el nivel inferior (12) están apilados de modo que la capa activa (102) del nivel superior está enfrente de la capa activa (103) del nivel inferior; y

un dispositivo termoeléctrico (TE) que comprende al menos una unión P-N (301, 302) y un conductor inferior (303), en el que el material de la unión P-N está dispuesto dentro de la capa de sustrato (101) del nivel superior, en el que el dispositivo TE está adaptado para facilitar un flujo térmico entre el conductor inferior de dicho dispositivo TE y un área localizada (110) del dispositivo de IC apilado (30), y en el que el flujo térmico pasa a través de las capas activas de los niveles superior e inferior.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2009/048031.

Solicitante: QUALCOMM INCORPORATED.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: GU,SHIQUN, NOWAK,MATTHEW, TOMS,THOMAS R.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L23/38 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Dispositivos de refrigeración que utilizan el efecto Peltier.
  • H01L23/48 H01L 23/00 […] › Disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido durante su funcionamiento, p. ej. hilos de conexión o bornes.
  • H01L25/065 H01L […] › H01L 25/00 Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas H01L 31/042). › siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 27/00.

PDF original: ES-2796653_T3.pdf

 

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