Célula de disco mejorada para múltiples componentes semiconductores puestos en contacto a presión.

Celda de disco (1) para la puesta en contacto a presión de múltiples componentes semiconductores mediante medios de sujeción (4,

13) que producen una fuerza de sujeción (F), que presenta:

una carcasa (2, 3, 7, 8);

al menos un primer componente semiconductor (6) del primer tipo de construcción, alojado dentro de la carcasa;

al menos un segundo componente semiconductor (5) de un tipo de construcción diferente al primer tipo de construcción, alojado dentro de la carcasa;

comprendiendo la carcasa (2, 3, 7, 8) al menos una placa de presión (2) metálica que engrana sobre el primer (6) y el segundo (5) componentes semiconductores y que está orientada sustancialmente en ángulo recto con respecto a la fuerza de sujeción (F), para la sujeción del primer y del segundo componentes semiconductores, estando realizada la placa de presión (2) de tal forma que la fuerza de sujeción (F) actúa de forma localmente limitada (9) sobre esta para sujetar a través de la placa de presión (2) el primer (6) y el segundo (5) componentes semiconductores, estando dispuesto el primer componente semiconductor (6) por debajo de la zona de acción local (9) de la fuerza de sujeción (F) y estando dispuesto el segundo componente (5) al menos en parte fuera de la zona de acción local (9).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2015/053289.

Solicitante: Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: Max-Planck-Straße 5 59581 Warstein ALEMANIA.

Inventor/es: DORN,Jörg, SCHENK,MARIO, PRZYBILLA,JENS, BARTHELMESS,REINER.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L23/051 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › estando constituida otra conexión por la cubierta paralela a la base, p. ej. de tipo "sandwich".
  • H01L23/473 H01L 23/00 […] › por circulación de líquidos.
  • H01L23/48 H01L 23/00 […] › Disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido durante su funcionamiento, p. ej. hilos de conexión o bornes.
  • H01L25/07 H01L […] › H01L 25/00 Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas H01L 31/042). › siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 29/00.

PDF original: ES-2669495_T3.pdf

 

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