UTILIZACION DE UN SUSTRATO ADAPTADO PARA LA FABRICACION DE MONOCAPAS MOLECULARES ORGANIZADAS Y ESTRUCTURAS ASI OBTENIDAS.
Utilización para el injerto químico de una monocapa molecular ordenada de un substrato cristalino que pertenece al grupo que comprende el topacio y la diasporita cuya formula comprende un grupo hidroxilo,
siendo este cristal escindido de manera que unos grupos hidroxilos aparezcan en el plano de escisión.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: EUROPEAN SYNCHROTRON RADIATION FACILITY
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: 6, RUE JULES HOROWITZ, B.P. 220,38043 GRENOBLE CEDEX.
Inventor/es: STRUTH, BERND, RIEUTORD, FRANCOIS, TERECH, PIERRE.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 6 de Septiembre de 2006.
Clasificación Internacional de Patentes:
- B05D1/18 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B05 PULVERIZACION O ATOMIZACION EN GENERAL; APLICACION DE MATERIALES FLUIDOS A SUPERFICIES, EN GENERAL. › B05D PROCEDIMIENTOS PARA APLICAR MATERIALES FLUIDOS A SUPERFICIES, EN GENERAL (transporte de objetos en los baños de líquidos B65G, p. ej.. B65G 49/02). › B05D 1/00 Procedimientos para aplicar líquidos u otras materias fluidas a las superficies (B05D 5/00, B05D 7/00 tienen prioridad). › por inmersión.
- C30B33/00 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada (C30B 31/00 tiene prioridad).
Clasificación PCT:
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