Técnicas de desprendimiento y transferencia para grafeno desarrollado hetero-epitaxialmente.

Un método para aislar una película delgada de grafeno, comprendiendo el método:

crecimiento hetero-epitaxial de la película delgada de grafeno sobre una película delgada de catalizador; disponer un recubrimiento a base de polímero sobre la película delgada de grafeno sobre una superficie de la misma opuesta a la película 5 delgada de catalizador;

curar el recubrimiento a base de polímero; y

hacer que la película delgada de grafeno y el recubrimiento a base de polímero se liberen de la película delgada de catalizador, en donde la película delgada de catalizador se dispone sobre un sustrato de soporte posterior, formándose el sustrato de soporte posterior sobre la película delgada de catalizador sobre una superficie opuesta a la película delgada de grafeno, caracterizado por que una capa de liberación de película delgada está dispuesta entre el sustrato de soporte posterior y la película delgada de catalizador, en donde la capa de liberación comprende óxido de zinc.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2010/002056.

Solicitante: Guardian Glass, LLC.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 2300 Harmon Road Auburn Hills, MI 48326 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: VEERASAMY, VIJAYEN S..

Fecha de Publicación: 17 de Octubre de 2018.

Clasificación Internacional de Patentes:

B82Y30/00 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B82 NANOTECNOLOGIA. › B82Y USOS O APLICACIONES ESPECIFICOS DE NANOESTRUCTURAS; MEDIDA O ANALISIS DE NANOESTRUCTURAS; FABRICACION O TRATAMIENTO DE NANOESTRUCTURAS. › Nano tecnología para materiales o ciencia superficial, p.ej. nano compuestos.
B82Y40/00 B82Y […] › Fabricación o tratamiento de nanoestructuras.
C01B32/188 QUIMICA; METALURGIA. › C01 QUIMICA INORGANICA. › C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 32/00 Carbono; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; percarbonatos C01B 15/10; negro de carbón C09C 1/48). › mediante crecimiento epitaxial.
C01B32/194 C01B 32/00 […] › Tratamiento posterior.
C25F5/00 C […] › C25 PROCESOS ELECTROLITICOS O ELECTROFORETICOS; SUS APARATOS. › C25F PROCESOS PARA LA ELIMINACION ELECTROLITICA DE MATERIA EN OBJETOS; SUS APARATOS (tratamiento del agua, agua residual o de alcantarilla por procesos electroquímicos C02F 1/46; protección anódica o catódica C23F 13/00). › Levantado electrolítico de capas o revestimientos metálicos.
C30B29/02 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Elementos.
C30B33/00 C30B […] › Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada (C30B 31/00 tiene prioridad).

PDF original: ES-2686329_T3.pdf

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