CAPA GRUESA DE DIAMANTE MONOCRISTALINO, PROCEDIMIENTO DE PRODUCCION Y GEMAS PRODUCIDAS A PARTIR DE LA CAPA.
Una capa de diamante CVD monocristalino de alta calidad que tiene un espesor de al menos 2 mm y que tiene una o más de las siguientes características:
1) una gran distancia de recolección de carga a 300 K de al menos 100 ìm medida a un campo aplicado de 1 V/ìm; 2) un valor elevado para el producto de la movilidad media y duración de portadores ìô tal que supera 1, 0 x 10-6 cm2/V a 300 K; 3) una movilidad de electrones (ìe) medida a 300 K mayor de 2400cm2V-1s-1; 4) una movilidad de huecos (ìh) medida a 300 K mayor de 2100 cm2V-1s-1; y 5) en el estado desactivado, una resistividad a 300 K mayor de 1012 Ùcm a un campo aplicado de 50 V/ìm.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: DE BEERS INDUSTRIAL DIAMOND DIVISION (PROPRIETARY) LIMITED.
Nacionalidad solicitante: Sudáfrica.
Dirección: SEO BUILDING, CORNER CROWNWOOD & BOOYSENS RESERVE ROADS, THETA,JOHANNESBURG 2001.
Inventor/es: SCARSBROOK, GEOFFREY ALAN, MARTINEAU, PHILIP MAURICE, DORN, BARBEL SUSANNE CHARLOTTE, COOPER, ANDREW MICHAEL, COLLINS, JOHN LLOYD, WHITEHEAD, ANDREW JOHN, TWITCHEN, DANIEL JAMES.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 14 de Junio de 2001.
Fecha Concesión Europea: 30 de Noviembre de 2005.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C23C16/27 QUIMICA; METALURGIA. › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › solamente diamante.
- C30B25/02 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor. › Crecimiento de un lecho epitaxial.
- C30B25/10 C30B 25/00 […] › Calentamiento del recinto de reacción o del sustrato.
- C30B25/20 C30B 25/00 […] › siendo el sustrato del mismo material que el lecho epitaxial.
- C30B29/04 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Diamante.
- C30B33/00 C30B […] › Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada (C30B 31/00 tiene prioridad).
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
Patentes similares o relacionadas:
Técnicas de desprendimiento y transferencia para grafeno desarrollado hetero-epitaxialmente, del 17 de Octubre de 2018, de Guardian Glass, LLC: Un método para aislar una película delgada de grafeno, comprendiendo el método: crecimiento hetero-epitaxial de la película delgada de grafeno sobre una película delgada […]
Procedimiento para procesar superficies cilíndricas de piezas de zafiro, un par de pistones de zafiro y una bomba de dosificación basada en los mismos, del 24 de Septiembre de 2018, de Obschestvo S Ogranichennoy Otvetstvennostyu "Farmasapfir": Procedimiento de mecanizado de superficies cilíndricas de piezas de cristal basado en la modificación α del óxido de aluminio con el logro […]
Método de crecimiento que usa capas compatibles de nanocolumnas y HVPE para producir materiales semiconductores compuestos de alta calidad, del 15 de Noviembre de 2017, de Nanogan Limited: Un metodo para producir un material semiconductor compuesto de un solo cristal, que comprende: a) proporcionar un material de sustrato que tiene una nanocolumna […]
PROCEDIMIENTO DE TRANSFERENCIA DE NANOCAPAS Y APARATO DE REALIZACIÓN DEL MISMO, del 25 de Mayo de 2015, de UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID: Procedimiento de transferencia de nanocapas y aparato de realización del mismo, que se refiere a un procedimiento para la transferencia […]
UTILIZACION DE UN SUSTRATO ADAPTADO PARA LA FABRICACION DE MONOCAPAS MOLECULARES ORGANIZADAS Y ESTRUCTURAS ASI OBTENIDAS., del 1 de Mayo de 2007, de EUROPEAN SYNCHROTRON RADIATION FACILITY CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE: Utilización para el injerto químico de una monocapa molecular ordenada de un substrato cristalino que pertenece al grupo que comprende el topacio y la diasporita cuya formula […]
CRISTALES FOTONICOS CON ESTRUCURA DE ESQUELO., del 16 de Marzo de 2007, de CONTINENTAL TEVES AG & CO. OHG: Cristal fotónico cuya estructura es topológicamente equivalente a la estructura inversa de un cuerpo de molde convexo en su mayor parte, caracterizado porque […]
DIAMANTE CON SUPERFICIE ENRIQUECIDA., del 16 de Junio de 2004, de GENERAL ELECTRIC COMPANY: ESTA INVENCION SE REFIERE A UN CRISTAL DE DIAMANTE IMPURIFICADO CON ELEMENTOS QUE POSEE UNA MAYOR RESISTENCIA A LA FRACTURA COMPRENSIVA AUMENTANDO […]
PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR PASTILLAS DE SILICIO, del 2 de Febrero de 2011, de SCHOTT AG: Procedimiento para fabricar pastillas de silicio que presentan una superficie delantera y una superficie trasera, así como aristas laterales, por troceado de […]