DIAMANTE CON SUPERFICIE ENRIQUECIDA.

ESTA INVENCION SE REFIERE A UN CRISTAL DE DIAMANTE IMPURIFICADO CON ELEMENTOS QUE POSEE UNA MAYOR RESISTENCIA A LA FRACTURA COMPRENSIVA AUMENTANDO LA CONCENTRACION DE LAS IMPUREZAS DE IMPURIFICACION DEL ELEMENTO ENTRE EL CENTRO Y LA SUPERFICIE DEL CRISTAL DE DIAMANTE,

GENERANDO ASI UNOS ESFUERZOS COMPRESIVOS TANGENCIALES EN LA SUPERFICIE DEL CRISTAL DE DIAMANTE. LA INVENCION TAMBIEN SE REFIERE A METODOS PARA LA PRODUCCION DEL CRISTAL DE DIAMANTE.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: GENERAL ELECTRIC COMPANY.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 1 RIVER ROAD, SCHENECTADY, NY 12345.

Inventor/es: D\'EVELYN, MARK P., PARK, DONG-SIL, ANTHONY, THOMAS RICHARD, SPIRO, CLIFFORD LAWRENCE, MENG, YUE.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C30B29/04 QUIMICA; METALURGIA.C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Diamante.
  • C30B31/00 C30B […] › Procesos de difusión o de dopado de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada; Aparatos para estos efectos.
  • C30B33/00 C30B […] › Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada (C30B 31/00  tiene prioridad).
DIAMANTE CON SUPERFICIE ENRIQUECIDA.

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