DISPOSITIVO SENSOR PARA MEMORIA DE MATRIZ PASIVA Y METODO DE LECTURA CORRESPONDIENTE.

Un dispositivo sensor (10) para leer datos almacenados en una memoria de matriz pasiva consistente en celdas de memoria en forma de condensadores ferroeléctricos,

en el que el referido dispositivo sensor (10) detecte una respuesta de corriente correspondiente a los datos, típicamente un uno binario o un cero binario, y realice una integración de dos valores de lectura, caracterizado porque el dispositivo sensor (10) incorpore un circuito integrador (11) para detectar la respuesta de corriente y medios (16, 17, 18) para almacenar y comparar dos valores de lectura consecutivos obtenidos en una salida (15) del circuito integrador (11).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: THIN FILM ELECTRONICS ASA.

Nacionalidad solicitante: Noruega.

Dirección: P.O. BOX 1872 VIKA,0124 OSLO.

Inventor/es: THOMPSON, MICHAEL CORNELL UNIVERSITY, WOMACK, RICHARD HIGH DENSITY CIRCUITS INC.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 24 de Agosto de 2001.

Fecha Concesión Europea: 12 de Octubre de 2005.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G11C11/22 FISICA.G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan elementos ferroeléctricos.
  • G11C7/06 G11C […] › G11C 7/00 Disposiciones para escribir una información o para leer una información en una memoria digital (G11C 5/00 tiene prioridad; circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193). › Amplificadores para lectura; Circuitos asociados.

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Guinea Ecuatorial, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.

DISPOSITIVO SENSOR PARA MEMORIA DE MATRIZ PASIVA Y METODO DE LECTURA CORRESPONDIENTE.

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