TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE METAL SEMICONDUCTOR DE ALTA FRECUENCIA Y ALTA POTENCIA FORMADO DE CARBURO DE SILICIO.

SE PRESENTA UN TRANSISTOR DE ALTA POTENCIA, DE EFECTO DE CAMPO DE METAL SEMICONDUCTOR,

Y DE ALTA FRECUENCIA QUE COMPRENDE UN SUBSTRATO DE CARBURO DE SILICIO DE CRISTAL SIMPLE EN BRUTO (10), UNA PRIMERA CAPA EPITAXIAL (12) DE CARBURO DE SILICIO DE CONDUCTIVIDAD TIPO P FORMADA SOBRE EL SUBSTRATO, Y UNA SEGUNDA CAPA EPITAXIAL (14) DE CARBURO DE SILICIO DE TIPO N FORMADA SOBRE LA PRIMERA CAPA EPITAXIAL. LA SEGUNDA CAPA EPITAXIAL TIENE DOS CAVIDADES SEPARADAS (18, 16) QUE ESTAN DEFINIDAS RESPECTIVAMENTE POR CONCENTRACIONES MAYORES DE MATERIAL DE SOPORTE DE IONES DOPANTES DE TIPO N DE LAS QUE ESTAN PRESENTES EN EL RESTO DE LA SEGUNDA CAPA EPITAXIAL. UNOS CONTACTOS OMICOS (20, 22) ESTAN SITUADOS SOBRE LAS CAVIDADES PARA DEFINIR RESPECTIVAMENTE UNA DE LAS CAVIDADES (18) COMO CATODO Y LA OTRA (16) COMO ANODO. UN CONTACTO DE METAL "SCHOTTKY" SE SITUA SOBRE UNA PARTE DE LA SEGUNDA CAPA EPITAXIAL (149 QUE SE ENCUENTRA ENTRE LOS CONTACTOS OMICOS (20, 22) Y POR LO TANTO ENTRE EL CATODO Y EL ANODO PARA FORMAR UN CANAL ACTIVO EN LA SEGUNDA CAPA EPITAXIAL CUANDO SE EFECTUE UNA DESVIACION HACIA EL CONTACTO "SCHOTTKY" (24).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: CREE RESEARCH, INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 2810 MERIDIAN PARKWAY, SUITE 176, DURHAM, NORTH CAROLINA 27713.

Inventor/es: PALMOUR, JOHN, W.

Fecha de Publicación: 1 de Marzo de 2003.

Fecha Concesión Europea: 28 de Agosto de 2002.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L21/34 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › los dispositivos tienen cuerpos semiconductores no cubiertos por los grupos H01L 21/06, H01L 21/16, y H01L 21/18 con o sin impurezas, p. ej. material de dopado.
H01L29/24 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › con únicamente materiales semiconductores inorgánicos, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, no previstos en los grupos H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20 o H01L 29/22.
H01L29/812 H01L 29/00 […] › puerta Schottky.

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