CMOS DE CARBURO DE SILICIO Y METODO DE FABRICACION.
DISPOSITIVO MONOBLOQUE DE CMOS INTEGRADO, FORMADO EN CARBURO DE SILICIO Y METODO PARA LA FABRICACION DEL MISMO.
EL INSTRUMENTO DE CMOS INTEGRADO INCLUYE UNA CAPA DE CARBURO DE SILICIO DE UN TIPO DE PRIMERA CONDUCTIVIDAD CON UNA REGION HUNDIDA DE UN TIPO DE SEGUNDA CONDUCTIVIDAD FORMADO EN LA CAPA DE CARBURO DE SILICIO. UN TRANSISTOR COMPLEMENTARIO MOS DE EFECTO DE CAMPO SE FORMA EN LA REGION HUNDIDA Y UN TRANSITOR MOS COMPLEMENTARIO DE EFECTO DE CAMPO SE FORMA EN LA CAPA DE CARBURO DE SILICIO. EL METODO DE FABRICACION DEL CMOS DE CARBURO DE SILICIO INCLUYE LA FORMACION DE UNA REGION HUNDIDA DE UNA CONDUCTIVIDAD OPUESTA EN UNA CAPA DE CARBURO DE SILICIO POR IMPLANTACION DE ION. LOS CONTACTOS DE FUENTE Y DRENAJE TAMBIEN ESTAN FORMADOS POR IMPLANTACION SELECTIVA DE ION EN LA CAPA DE CARBURO DE SILICIO Y EN LA REGION HUNDIDA. UNA CAPA DE PUERTA DIELECTRICA SE FORMA POR DEPOSICION Y REOXIDACION. UN ELECTRODO DE PUERTA SE FORMA SOBRE LA PUERTA DIELECTRICA DE TAL FORMA QUE SE FORME UNA REGION DE CANAL ENTRE LA FUENTE Y EL DRENAJE DONDE SE APLICA UNA DESVIACION AL ELECTRODO DE LA PUERTA. EL DRENAJE DEL ORIGEN Y LOS CONTACTOS DEL DISPOSITIVO SE FORMAN PREFERENTEMENTE DEL MISMO MATERIAL EN UN SOLO PASO DE LA FABRICACION.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: CREE RESEARCH, INC..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 4600 SILICON DRIVE,DURHAM, NORTH CAROLINA 27703-8.
Inventor/es: PALMOUR, JOHN, W., SLATER, DAVID, B., JR., LIPKIN, LORI, A., SUVOROV, ALEXANDER, V.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 14 de Abril de 1997.
Fecha Concesión Europea: 24 de Marzo de 2004.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/82 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › para producir dispositivos, p. ej. circuitos integrados que consisten cada uno en una pluralidad de componentes.
- H01L27/06 H01L […] › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › con una pluralidad de componentes individuales en una configuración no repetitiva.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Australia, Azerbayán, Bosnia y Herzegovina, Barbados, Bulgaria, Brasil, Bielorusia, Canadá, China, República Checa, Estonia, Georgia, Ghana, Hungría, Israel, Islandia, Japón, Kenya, Kirguistán, República de Corea, Kazajstán, Santa Lucía, Sri Lanka, Liberia, Lesotho, República del Moldova, Madagascar, Mongolia, Malawi, México, Noruega, Nueva Zelanda, Polonia, Federación de Rusia, Sudán, Singapur, Eslovaquia, Tayikistán, Turkmenistán, Turquía, Uganda, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Cuba, República Popular Democrática de Corea, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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