TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, AUTOALINEADO, PARA APLICACIONES DE ALTA FRECUENCIA.
SE REVELA UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO SEMICONDUCTOR METALICO (MESFET) QUE MUESTRA UNA RESISTENCIA DE FUENTE REDUCIDA Y FRECUENCIAS DE OPERACION SUPERIORES.
EL MESFET COMPRENDE UNA CAPA EPITAXIAL DE CARBURO DE SILICIO Y UNA ZANJA DE PUERTA EN LA CAPA EPITAXIAL QUE EXPONE UNA SUPERFICIE DE PUERTA DE CARBURO DE SILICIO ENTRE LOS DOS BORDES RESPECTIVOS DE LA ZANJA. UN CONTACTO DE PUERTA SE REALIZA PARA LA SUPERFICIE DE PUERTA Y CON LA ZANJA DEFINE ADEMAS LAS REGIONES DE ORIGEN Y DE DRENAJE DEL TRANSISTOR. LAS SUPERFICIES METALICAS OHMICAS RESPECTIVAS FORMAN CONTACTOS OHMICOS SOBRE LAS REGIONES DE ORIGEN Y DRENAJE DE LA CAPA EPITAXIAL, Y LOS BORDES DE LAS CAPAS DE METALICAS EN LA ZANJA ESTAN ESPECIFICAMENTE ALINEADOS CON LOS BORDES DE LA CAPA EPITAXIAL EN LA ZANJA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: CREE RESEARCH, INC..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 2810 MERIDIAN PARKWAY, SUITE 176,DURHAM, NORTH CAROLINA 27713.
Inventor/es: ALLEN, SCOTT, T.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 15 de Septiembre de 1995.
Fecha Concesión Europea: 19 de Diciembre de 2001.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L29/161 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › con dos o más de los elementos previstos en H01L 29/16.
- H01L29/24 H01L 29/00 […] › con únicamente materiales semiconductores inorgánicos, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, no previstos en los grupos H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20 o H01L 29/22.
- H01L29/47 H01L 29/00 […] › Electrodos de barrera Schottky.
- H01L29/812 H01L 29/00 […] › puerta Schottky.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Mónaco, Irlanda, Oficina Europea de Patentes, Kenya, Malawi, Sudán, Uganda, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Organización Africana de la Propiedad Intelectual.
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