CIRCUITO CONDUCTOR PARA TRANSISTOR BIPOLAR DEL TIPO DE PUERTA AISLADA Y DISPOSITIVO DE IGNICION.
UN CIRCUITO DE CONTROL IGBT INCLUYE UN IGBT (2) CONECTADO EN SERIE CON EL DEVANADO PRIMARIO (1A) DE UNA BOBINA DE IGNICION (1) Y UNA RESISTENCIA DETECTORA DE CORRIENTE (3).
UN TRANSISTOR (4) ESTA CONECTADO A LA ENTRADA DEL IGBT PARA APLICAR UN VOLTAJE DE ENTRADA EN RESPUESTA A UNA SEÑAL DE IGNICION. UN COMPARADOR (10) COMPARA EL VOLTAJE QUE SE PRODUCE EN LA RESISTENCIA DETECTORA DE CORRIENTE (3) CON UNA TENSION DE COMPARACION. UN TRANSISTOR NPN (15) CONECTADO A LA ENTRADA DEL IGBT CONVIERTE EL ESTADO ACTIVO E INACTIVO EN UNA REPUESTA AL RESULTADO DE LA COMPARACION DEL COMPARADOR PARA AJUSTAR LA TENSION DE PUERTA. LA TENSION DE PUERTA SE REALIMENTA A LA ZONA DE DETECCION DEL TERMINAL DEL COMPARADOR PARA ELIMINACION DE LAS OSCILACIONES MEDIANTE UNA RESISTENCIA SUPRESORA DE LAS OSCILACIONES (12). UNA RESISTENCIA DE CONTROL DE CARGA/DESCARGA (6) SE CONECTA ENTRE LA PUERTA DEL IGBT Y LA RESISTENCIA SUPRESORA DE LA OSCILACION, Y UN DIODO (16) SE CONECTA EN PARALELO CON LA RESISTENCIA DE CONTROL DE CARGA /DESCARGA, DE FORMA QUE LA CORRIENTE ELECTRICA (I1) QUE CIRCULA HACIA EL IGBT SE MANTENGA CONSTANTE.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: DENSO CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 1-1, SHOWA-CHO, KARIYA-CITY AICHI-PREF. 448.
Inventor/es: OOYABU, SHINJI, ENOMOTO, MITSUYASU.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 8 de Marzo de 2000.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H03K17/04 ELECTRICIDAD. › H03 CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS. › H03K TECNICA DE IMPULSO (medida de las características de los impulsos G01R; modulación de oscilaciones sinusoidales por impulsos H03C; transmisión de información digital, H04L; circuitos discriminadores de detección de diferencia de fase entre dos señales de conteo o integración de ciclos de oscilación H03D 3/04; control automático, arranque, sincronización o estabilización de generadores de oscilaciones o de impulsos electrónicos donde el tipo de generador es irrelevante o esta sin especificar H03L; codificación, decodificación o conversión de código, en general H03M). › H03K 17/00 Conmutación o apertura de puerta electrónica, es decir, por otros medios distintos al cierre y apertura de contactos (amplificadores controlados H03F 3/72; disposiciones de conmutación para los sistemas de centrales que utilizan dispositivos estáticos H04Q 3/52). › Modificaciones para acelerar la conmutación.
- H03K17/16 H03K 17/00 […] › Modificaciones para eliminar las tensiones o corrientes parásitas.
- H03K17/567 H03K 17/00 […] › Circuitos caracterizados por la utilización de al menos dos tipos de dispositivos semiconductores, p. ej. BIMOS, dispositivos compuestos tales como IGBT.
Patentes similares o relacionadas:
Circuito de conmutación de cascode, del 10 de Julio de 2019, de United Silicon Carbide Inc: Un circuito de conmutación de cascode que comprende un dispositivo semiconductor normalmente encendido , un dispositivo semiconductor normalmente […]
Célula de conmutación y circuito de compensación para la misma, del 19 de Junio de 2019, de TM4 Inc: Una célula de conmutación configurada para limitar la sobretensión de conmutación y para limitar la corriente de recuperación, que comprende: un conmutador […]
Procedimiento para controlar dos IGBT de conducción inversa, conectados eléctricamente en serie, de un semipuente, del 17 de Mayo de 2019, de SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT: Procedimiento para controlar dos IGBT de conducción inversa (T1, T2) conectados eléctricamente en serie, de un semipuente , en el cual se encuentra […]
Dispositivo y circuito de control de un componente electrónico de potencia, procedimiento de mando y distribuidor asociados, del 12 de Abril de 2017, de ALSTOM Transport Technologies: Circuito de control de la apertura y del cierre de un componente electrónico de potencia , teniendo el componente electrónico de potencia […]
Procedimiento y configuración de circuitos para conmutar un interruptor semiconductor, del 14 de Diciembre de 2016, de CONTI TEMIC MICROELECTRONIC GMBH: Procedimiento para conmutar un interruptor semiconductor (HS1) desde un primer estado de conexión estático hasta un segundo estado de conexión […]
Circuito y procedimiento de accionamiento para MOSFET, del 15 de Junio de 2016, de NORTH-WEST UNIVERSITY: Un procedimiento de utilización de un circuito para accionar un dispositivo semiconductor de puerta aislada que comprende como un primer […]
Circuito excitador para activar un interruptor de semiconductor de potencia, del 3 de Diciembre de 2014, de SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG: Circuito excitador con una primera salida (12a) y una segunda salida (12b) para activar un interruptor de semiconductor de potencia conectable con una señal de una primera […]
CIRCUITO INTEGRADO PARA LA GENERACION DE UNA SEÑAL DE ACTIVACION PARA UN TRANSISTOR BIPOLAR CON PUERTA AISLADA (IGBT)., del 16 de Junio de 2006, de SIEMENS AG: Circuito integrado para la generación de una señal de activación para un IGBT con una conexión de entrada para una señal de control generada por medio de un microcontrolador […]