CRECIMIENTO DE PARTICULAS DE DIAMANTE EN LECHO FLUIDIZADO.
SE OFRECE UN CRECIMIENTOPARA FORMAR DIAMANTES SINTETICOS POR DEPOSICION DE VAPOR DE UNA FUENTE DE GAS DE CARBONO,
EN PRESENCIA DE HIDROGENO ATOMICO, SOBRE UN SUSTRATO CONTENIDO EN UN LECHO FLUIDIZADO. EL DIAMANTE PUEDE RECUBRIRSE POR DEPOSICION DE VAPOR DE UN MATERIAL NO DIAMANTINO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: CRYSTALLUME.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 125 CONSTITUTION DRIVE, MENLO PARK CALIFORNIA 94025.
Inventor/es: PINNEO, JOHN MICHAEL.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 29 de Julio de 1992.
Clasificación Internacional de Patentes:
- B01J8/24 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B01 PROCEDIMIENTOS O APARATOS FISICOS O QUIMICOS EN GENERAL. › B01J PROCEDIMIENTOS QUÍMICOS O FÍSICOS, p. ej. CATÁLISIS O QUÍMICA DE LOS COLOIDES; APARATOS ADECUADOS. › B01J 8/00 Procedimientos químicos o físicos en general, llevados a cabo en presencia de fluidos y partículas sólidas; Aparatos para tales procedimientos. › según la técnica del "lecho fluidificado" (B01J 8/20 tiene prioridad).
- B01J8/40 B01J 8/00 […] › siendo el lecho fluidificado sometido a vibraciones o pulsaciones.
- B01J8/42 B01J 8/00 […] › estando el lecho fluidificado sometido a la acción de una corriente eléctrica o a radiaciones.
- C30B25/02 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor. › Crecimiento de un lecho epitaxial.
- C30B29/04 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Diamante.
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