UN METODO PARA LA FABRICACION DE CELULAS FOTOVOLTAICAS.
METODO DE FABRICAICON DE CELULAS FOTOVOLTAICAS. CONSISTE EN ROCIAR,
SOBRE UNA PLANCHA DE VIDRIO CALIENTE (VIDRIO NES) REVESTIDO CON SNOX, CON UNA PELICULA CONDUCTORA TRANSPARENTE; CON UNA SOLUCION COMPRENDIENDO UN SOLVENTE; UNA SAL DE CADMIO; UN COMPUESTO CONTENIENDO AZUFRE Y UN COMPUESTO SOLUBLE CONTENIENDO ALUMINIO ALTAMENTE CONCENTRADO. UNA SOLUCION COMPLEMENTARIA A BASE DE UNA SAL DE CADMIO Y UN COMPUESTO CONTENIENDO AZUFRE, CON BAJA CONCENTRACION DE ALUMINIO, PUEDE SER POSTERIORMENTE ROCIADA SOBRE EL SUBSTRATO DE VIDRIO. EL PROCESO DE ROCIADO SE REALIZA MANTENIENDO LA SUPERFICIE DEL SUBSTRATO A UNA TEMPERATURA CONSTANTE DEL ORDEN DE 257G A 588GC, CALENTANDOLO POSTERIORMENTE HASTA UNA TEMPERATURA DE 525GC EN UNA ATMOSFERA DE OXIGENO, Y ENFRIANDO POSTERIORMENTE HASTA APROXIMADAMENTE LA TEMPERATURA AMBIENTE. FINALMENTE, LA SUPERFICIE EXPUESTA DE LA PELICULA OBTENIDA DE CDS SE CONVIERTE EN CUXS, MEDIANTE INMERSION O MEDIANTE GALVAPOLASTIA O UNA COMBINACION DE AMBAS. APLICADO EN LA FABRICACION DE CELULAS SOLARES.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: PHOTON POWER, INC.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 10767 GATEWAY WEST, EL PASO, TEXAS 79935.
Fecha de Solicitud: 31 de Enero de 1979.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 16 de Diciembre de 1980.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/18 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
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