DIRECCIONAMIENTO DE UNA MATRIZ DE MEMORIA.

Método para el control de una pantalla o dispositivo de memoria direccionable por matriz pasiva

, de células que comprenden un material polarizable eléctricamente que muestra histéresis, en particular un material ferroeléctrico, en el que el estado de polarización de células individuales, seleccionables separadamente, se puede cambiar al estado deseado por aplicación de potenciales eléctricos o voltajes eléctricos a líneas de palabras y de bits que forman una matriz de direccionado, y en el que el método comprende el establecimiento de un protocolo pulsante de voltaje con n niveles de voltaje o potencial, n>_3, de manera tal que el protocolo pulsante de voltaje define una secuencia de temporización para controlar individualmente los niveles de voltaje aplicados a líneas de palabras y de bits de la matriz en forma coordinada a lo largo del tiempo, disponiendo dicha secuencia de temporización para comprender como mínimo dos partes distintas, incluyendo un “ciclo de lectura” durante el cual las cargas que pasan entre dichas línea o líneas de bits seleccionadas y las células que se conectan a dicha línea o líneas de bits son detectadas, y un “ciclo de regeneración/escritura” durante el cual el estado o estados de polarización en células que conectan con líneas de palabras y de bits seleccionadas se llevan a correspondencia con un conjunto de estados lógicos predeterminados o valores de datos.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: THIN FILM ELECTRONICS ASA.

Nacionalidad solicitante: Noruega.

Dirección: P.O. BOX 1872 VIKA,0124 OSLO.

Inventor/es: NORDAL, PER-ERIK, GUDESEN, HANS, GUDE, CARLSSON, JOHAN, THOMPSON, MICHAEL, GUSTAFSSON, GIRAN.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 6 de Julio de 2001.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION G — FISICA > REGISTRO DE LA INFORMACION > MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado... > Memorias digitales caracterizadas por la utilización... > G11C11/22 (que utilizan elementos ferroeléctricos)
  • SECCION G — FISICA > REGISTRO DE LA INFORMACION > MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado... > G11C7/00 (Disposiciones para escribir una información o para leer una información en una memoria digital (G11C 5/00 tiene prioridad; circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193))
  • SECCION G — FISICA > ENSEÑANZA; CRIPTOGRAFIA; PRESENTACION; PUBLICIDAD;... > DISPOSICIONES O CIRCUITOS PARA EL CONTROL DE DISPOSITIVOS... > Disposiciones o circuitos de control que presentan... > G09G3/20 (para la presentación de un conjunto de varios caracteres, p. ej. de una página, componiendo el conjunto por combinación de elementos individuales colocados en una matriz)
  • SECCION G — FISICA > REGISTRO DE LA INFORMACION > MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado... > G11C8/00 (Disposiciones para seleccionar una dirección en una memoria digital (circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193))

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.

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