CIRCUITO DE MEMORIA FERROELECTRICA Y METODO PARA SU FABRICACION.

Circuito (C) de memoria ferroeléctrica que comprende una célula (F) de memoria ferroeléctrica en la forma de una película delgada de polímero ferroeléctrico y un primero y segundo electrodos

(E1;E2) respectivamente, que entran en contacto con la célula (F) de memoria ferroeléctrica por unas superficies opuestas de la misma, por lo que un estado de polarización de la célula puede ser establecido, conmutado o detectado mediante la aplicación de unas tensiones apropiadas sobre los electrodos (E1;E2), caracterizado porque por lo menos uno de los electrodos (E1;E2) comprende por lo menos una capa de contacto (P1;P2), comprendiendo dicha por lo menos una capa de contacto (P1;P2) un polímero conductor en contacto con la célula (F) de memoria, y opcionalmente una segunda capa (M1;M2) de una película metálica en contacto con el polímero conductor (P1;P2), por lo que dicho por lo menos uno de los electrodos (E1;E2) comprende o bien únicamente una capa (P1;P2) de contacto de polímero conductor, o bien una combinación de una capa (P1;P2) de contacto de polímero conductor y una capa (M1;M2) de película metálica.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: THIN FILM ELECTRONICS ASA.

Nacionalidad solicitante: Noruega.

Dirección: P.O. BOX 1872 VIKA,0124 OSLO.

Inventor/es: JOHANSSON, NICKLAS, CHEN, LICHUN.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 27 de Noviembre de 2001.

Fecha Concesión Europea: 9 de Marzo de 2005.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION G — FISICA > REGISTRO DE LA INFORMACION > MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado... > Memorias digitales caracterizadas por la utilización... > G11C11/22 (que utilizan elementos ferroeléctricos)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Procedimientos o aparatos especialmente adaptados... > H01L21/768 (Fijación de interconexiones que sirvan para conducir la corriente entre componentes separados en el interior de un dispositivo)
  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS... > Detalles de dispositivos semiconductores o de otros... > H01L23/532 (caracterizadas por los materiales)

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Mozambique, Federación de Rusia, Sudán, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, República Unida de Tanzania, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Zambia, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Guinea Ecuatorial, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.

google+ twitter facebookPin it
CIRCUITO DE MEMORIA FERROELECTRICA Y METODO PARA SU FABRICACION.