MATERIAL SUPERCONDUCTOR NANOESTRUCTURADO TIPO REBA2CU3O7(RE=TIERRA RARA O YTRIO) CON UNA ELEVADA DENSIDAD DE CENTROS DE ANCLAJE DE VORTICES Y SU METODO DE PREPARACION.

Material superconductor nanoestructurado tipo REBa{sub,2}Cu{sub,

3}O{sub,7} (RE=Tierra Rara o Ytrio) con una elevada densidad de centros de anclaje de vórtices y su método de preparación.#La presente invención se refiere a un material superconductor nanoestructurado tipo REBa{sub,2}Cu{sub,3}O{sub,7}, donde RE= Tierra Rara o Ytrio, que comprende dos fases, una matriz principal de REBa{sub,2}Cu{sub,3}O{sub,7} y una fase secundaria de BaZrO{sub,3}, CeO{sub,2}, BaSnO{sub,3}, BaCeO{sub,3}, SrRuO{sub,3}, La{sub,1-x}M{sub,x}MnO{sub,3} (M=Ca, Sr, Ba), RE{sub,2}O{sub,3} y/o RE{sub,2}Cu{sub,2}O{sub,5}). La fase secundaria se encuentra distribuida al azar en el seno de la matriz de forma que proporciona una alta densidad de defectos nanométricos en la estructura del material, aumentando la capacidad de anclar eficazmente los vórtices. Otro objeto de la invención es el procedimiento por el cual se obtienen estos materiales superconductores.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: CONSEJO SUPERIOR INVESTIG. CIENTIFICAS.

Nacionalidad solicitante: España.

Provincia: MADRID.

Inventor/es: OBRADORS BERENGUER,XAVIER, PUIG MOLINA,TERESA, POMAR BARBEITO,ALBERTO, SANDIUMENGE,FELIP, RICART,SUSANA, MESTRES,NARCIS, LLORDES,ANNA, GIBERT,MARTA, GUTIERREZ,JOFRE, GAZQUEZ,JAUME, ROMA BUYREU,NEUS.

Fecha de Publicación: .

Clasificación PCT:

  • C01G3/00 QUIMICA; METALURGIA.C01 QUIMICA INORGANICA.C01G COMPUESTOS QUE CONTIENEN METALES NO CUBIERTOS POR LAS SUBCLASES C01D O C01F (hidruros metálicos C01B 6/00; sales de oxácidos de halógenos C01B 11/00; peróxidos, sales de los perácidos C01B 15/00; tiosulfatos, ditionitos, politionatos C01B 17/64; compuestos que contienen selenio o teluro C01B 19/00; compuestos binarios del nitrógeno con metales C01B 21/06; azidas C01B 21/08; amidas metálicas C01B 21/092; nitritos C01B 21/50; fosfuros C01B 25/08; sales de los oxácidos del fósforo C01B 25/16; carburos C01B 32/90; compuestos que contienen silicio C01B 33/00; compuestos que contienen boro C01B 35/00; compuestos que tienen propiedades de tamices moleculares pero que no tienen propiedades de cambiadores de base C01B 37/00; compuestos que tienen propiedades de tamices moleculares y de cambiadores de base, p. ej. zeolitas cristalinas, C01B 39/00; cianuros C01C 3/08; sales del ácido ciánico C01C 3/14; sales de cianamida C01C 3/16; tiocianatos C01C 3/20; procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; obtención a partir de mezclas, p. ej. a partir de minerales, de compuestos metálicos que son los compuestos intermedios de un proceso metalúrgico para la obtención de un metal libre C21B, C22B; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › Compuestos de cobre.
  • H01L39/24 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 39/00 Dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; superconductores caracterizados por la técnica de formación o por la composición de las cerámicas C04B 35/00; conductores, cables o líneas de transmisión superconductores o hiperconductores H01B 12/00; bobinas o arrollamientos superconductores H01F; amplificadores que utilizan la superconductividad H03F 19/00). › Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de los dispositivos cubiertos por H01L 39/00 de sus partes constitutivas.
MATERIAL SUPERCONDUCTOR NANOESTRUCTURADO TIPO REBA2CU3O7(RE=TIERRA RARA O YTRIO) CON UNA ELEVADA DENSIDAD DE CENTROS DE ANCLAJE DE VORTICES Y SU METODO DE PREPARACION.

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