Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector 27/00) [3]

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CIP: C30B15/00, Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector 27/00) [3]

Entorno:
  • Crecimiento de monocristales a partir de líquidos; Solidificación unidireccional de materiales eutécticos [3]

Subcategorías:

Inventos patentados en esta categoría

  1. 2.-

    Cinta de carbono (16') que comprende dos caras y dos extremos longitudinales , comprendiendo al menos una de las caras de la cinta (16') una parte central (20a, 22a) situada entre los dos extremos longitudinales 34, 36) y destinada a recibir el deposito de una capa de un material semiconductor , caracterizada por que comprende además, en al menos una de sus caras , al menos una ranura longitudinal situada entre uno de dichos extremos y la parte central (20a, 22a), y por que la ranura longitudinal está conformada de manera que, cuando la capa de dicho material semiconductor es depositada, dicho material semiconductor que rellena dicha ranura forma una protuberancia adyacente a uno de los extremos longitudinales de una de...

  2. 3.-

    Un método para la producción de una materia prima de silicio, siendo la materia prima de silicio para laproducción de lingotes de silicio solidificados direccionalmente por el método de Czochalski, por zona de flotación omulti-cristalino, láminas de silicio delgadas o cintas para la producción de obleas de silicio para células solaresfotovoltaicas, caracterizado porque el silicio de grado metalúrgico producido en un horno de arco eléctrico medianteun horno de reducción carbotérmica y que contiene hasta 300 ppm (átomos) de boro y hasta 100 ppm (átomos) defósforo se somete a las siguientes etapas de refino: a) tratamiento del silicio de grado metalúrgico con una escoria de calcio-silicato para reducir el contenido de boro delsilicio...

  3. 4.-

    Procedimiento de fabricación de células fotovoltaicas que comprende las siguientes etapas: - fabricar una cinta de material compuesto depositando en continuo dos capas de material semiconductor que rodean una cinta de carbono , pasando la cinta de carbono por un baño de material semiconductor fundido, teniendo respectivamente cada una de las dos capas de material semiconductor una cara libre opuesta a su cara en contacto con la cinta de carbono, - aplicar al menos un tratamiento a partir de la cara libre de al menos una de dichas capas de material semiconductor, en vistas a realizar funciones fotovoltaicas de dichas células sobre dicha capa, antes de la eliminación de la cinta de carbono...

  4. 5.-

    Un procedimiento para el crecimiento de una cinta cristalina , el procedimiento comprende: proporcionar un crisol que contiene material fundido ; hacer pasar un hilo a través del material fundido para que crezca la cinta cristalina; y dirigir flujo de gas alrededor de la cinta cristalina, de manera que el gas fluya hacia abajo a lo largo de lacinta cristalina, en dirección al crisol.

  5. 6.-

    Procedimiento para la producción de un silicio policristalino, que comprende introducir un gas de reacción, quecontiene un componente con un contenido de silicio e hidrógeno, mediante una o varias toberas en un reactor conun volumen de espacios vacíos, limitado por medio de unas paredes con una determinada temperatura Tpared, quecontiene por lo menos una barra filamentosa calentada a una temperatura Tbarra, sobre la que se deposita silicio,caracterizado por que un número de Arquímedes Ar, que describe las condiciones de circulación en el reactor y quese calcula de la siguiente manera: Ar ≥...

  6. 7.-

    Procedimiento para tratamiento de un cristal de cinta, comprendiendo dicho procedimiento: proporcionar un cristal de cinta de hilo, y eliminar al menos un borde del cristal de cinta de hilo, donde el cristal de cinta incluye una pluralidad de granos grandes, una pluralidad de granos pequeños y una pluralidad de portadores, teniendo la pluralidad de portadores una longitud de difusión, teniendo la pluralidad de granos grandes dimensiones exteriores las menores de las cuales son mayores que alrededor de dos veces la longitud de difusión de los portadores, comprendiendo la acción de eliminación dejar la mayoría de los granos grandes en el cristal de cinta eliminando la mayoría de los granos pequeños del...

  7. 8.-

    Metodo de generaci6n de grietas en una varilla de silicio policristalino, que comprende: 5 calentar una varilla de silicio policristalino; posteriormente realizar un enfriamiento de parte local de la varilla de silicio policristalino para aplicar unfluido refrigerante sobre at menos una zona a modo de punto de una superficie de la varilla de siliciopolicristalino; y realizar un enfriamiento completo para hacer que una sustancia refrigerante entre en contacto con unasuperficie completa de la varilla de silicio policristalino tras el enfriamiento de parte local, caracterizado porque el fluido refrigerante se expulsa...

  8. 9.-

    PROCESO Y DISPOSITIVO PARA TRITURACION Y SELECCION DE POLISILICIO

    . Ver ilustración. Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es:

    Dispositivo para la trituración y selección de silicio policristalino, que comprende un equipo de alimentación para una fracción gruesa de polisilicio en una planta de fragmentación, la planta de fragmentación, y una planta de selección para la clasificación de la fracción de polisilicio, caracterizado porque el dispositivo está provisto de un control, que hace posible un ajuste variable de al menos un parámetro de fragmentación en la planta de fragmentación y al menos de un parámetro de selección en la planta de selección.

  9. 10.-

    METODO Y APARATO PARA EL CRECIMIENTO DE MULTIPLES CINTAS CRISTALINAS A PARTIR DE UN UNICO CRISOL.

    . Solicitante/s: EVERGREEN SOLAR INC.. Inventor/es:

    Un método de crecimiento de múltiples cintas de semiconductor en un único crisol, método que comprende formar una masa fundida a partir de un material semiconductor dispuesto en un crisol abierto; dividir la masa fundida en una pluralidad de subregiones de masa fundida separadas disponiendo una pluralidad de conformadores de menisco en el crisol, teniendo cada subregión de la masa fundida una superficie de masa fundida separadas definida por el conformador de menisco; y hacer crecer de forma continua múltiples cintas de semiconductor, haciendo crecer cada una de las cintas desde una subregión de la masa fundida mediante el arrastre de una pareja de cuerdas separadas hacia fuera de la superficie separada de la masa fundida.

  10. 11.-

    Un aparato para fabricar un cristal de estructura dendrítica, incluyendo: a) una cámara ; b) un conjunto de equipo de crecimiento situado en dicha cámara , utilizándose dicho conjunto de equipo de crecimiento para cultivar un cristal de estructura dendrítica; y c) un generador de campo magnético rodeando el perímetro de dicha cámara , utilizándose dicho generador de campo magnético para obtener un campo magnético en una dirección vertical durante el crecimiento, donde dicho generador de campo magnético incluye un conjunto en espiral rodeando dicho perímetro de dicha cámara ; caracterizado...

  11. 12.-

    Un aparato para sacar una tira de cristal de semiconductores continuamente desde un crisol , que comprende: un horno de crecimiento del cristal que tiene un crisol , una pareja de cintas sin fin (20a, 20b) para sacar continuamente una tira de cristal de semiconductores desde dicho crisol , comprendiendo dicho aparato: un dispositivo de control de la posición para ajustar mecánicamente una posición transversal de la tira de cristal de semiconductores , estando dispuesto dicho dispositivo de control de la posición en una trayectoria...

  12. 13.-

    CONTROL DE LA PROFUNDIDAD DEL MATERIAL FUNDIDO PARA EL CRECIMIENTO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DESDE UN MATERIAL FUNDIDO.

    . Ver ilustración. Solicitante/s: EVERGREEN SOLAR INC.. Inventor/es:

    Un método de crecimiento continuo de cristales que comprende las etapas de: a) proporcionar un crisol que comprende un material fundido a partir de un material fuente; b) suministrar al material fundido de forma continua un material fuente adicional; c) hacer pasar una señal de entrada a través del material fundido; d) medir la señal de salida, generada en respuesta a la señal de entrada, a través de dos electrodos (C, D) en contacto directo con el crisol o el material fundido, estando relacionaba la señal de salida con una profundidad del material fundido; e) mantener la profundidad del material fundido a un nivel sustancialmente constante ajustando una velocidad de suministro del material fuente adicional utilizando la señal de salida; y f) hacer crecer de forma continua una cinta cristalina mediante la solidificación del material fundido.

  13. 14.-

    CELULAR SOLAR QUE COMPRENDE UNA PLACA DE SEMICONDUCTORES DE SILICIO DE UN TIPO NUEVO Y PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE LA PLACA DE SEMICONDUCTORES DE SILICIO.

    . Solicitante/s: SIEMENS SOLAR GMBH. Inventor/es:

    SE PROPONE UNA PLACA DE SEMICONDUCTOR DE SILICIO (WAFER) A BASE DE TRES ZONAS MONOCRISTALINAS INCLINADAS QUE FORMAN TRES SECTORES DEL WAFER. SUS SUPERFICIES DE LIMITACION Y LINEAS CIRCUNDANTES SE EXTIENDEN RADIALMENTE UNA HACIA OTRA E INCLUYEN ANGULOS (W6, W7, W8) DE MENOS DE 180 SUPERFICIES DE LIMITACION FORMAN LIMITES DE CONTORNO GRANULADAS O GEMELAS ENTRE DOS PLANOS DE CRISTAL . ESTE WAFER SEMICONDUCTOR DE SILICIO ES UTILIZADO PARA LA ELABORACION DE CELDAS SOLARES DE ALTA POTENCIA ECONOMICA.

  14. 15.-

    PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE SEMI-AISLANTES 3-5-MONO-CRISTALINOS POR DOPADO Y APLICACION DE SEMIAISLANTES ASI OBTENIDOS.

    . Solicitante/s: ETAT FRANCAIS REPRESENTE PAR LE MINISTRE DES PTT (CENTRE NATIONAL D'ETUDES DES TELECOMMUNICATIONS). Inventor/es:

    LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE PREPARACION DE SEMI-AISLANTES 3-5-MONOCRISTALINOS POR DOPADO, CARACTERIZADO EN QUE SE DOPE LA CARGA DE SALIDA DE TIPO P CON AL MENOS UN DONANTE PROFUNDO DEBIDO A UN ELEMENTO DE TRANSICION. SE REFIERE IGUALMENTE A LA UTILIZACION DE SEMI-AISLANTES OBTENIDOS EN LOS CAMPOS DE LA OPTOELECTRONICA Y DE LA ELECTRONICA RAPIDA.

  15. 16.-

    METODO PARA LA PREPARACION DE UNA PELICULA SEMICONDUCTORA DELGADA.

    . Solicitante/s: THE BOC GROUP PLC. Inventor/es:

    METODO PARA PREPARAR UNA PELICULA DELGADA DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR SOBRE UN SUSTRATO EN EL CUAL SE GENERAN MICROGOTAS CARGADAS DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR O UN CONSTITYENTE DEL MISMO POR EXTRACCION ELECTRODINAMICA (EHD) DE LAS GOTAS DESDE UN MENISCO FORMADO EN UNA PUNTA ALARGADA DE UNA BOQUILLA QUE CONTIENE EL MATERIAL EN ESTADOFUNDIDO. LA EXTRACCION EHD SE PRODUCE BAJO LA INFLUENCIA DE UN ALTO CAMPO ELECTRICO PRODUCIDO POR UN ELECTRODO EXTRACTOR ADYACENTE A LA PUNTA DE LA BOQUILLA PARA FORMAR UN HAZ TIPO CINTA BIDIMENSIONAL O CAPA DE MICROGOTAS CARGADAS. EL HAZ BIDIMENSIONAL SE DIRIGE SOBRE EL BORDE POSTERIOR DE UN BLANCO SOPORTADO POR UN SUSTRATO MOVIL DE MANERA QUE SE FORMA SOBRE DICHO SUSTRATO UNA PELICULA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR POR DEPOSICION DE LAS MICROGOTAS SOBRE EL BORDE POSTERIOR DEL BLANCO MOVIL.

  16. 18.-

    Un proceso para el crecimiento de cintas de un material semiconductor, a saber de silicio, mediante la extracción de una zona fundida del citado material, caracterizado porque(a) la citada zona fundida se extiende a lo largo de la anchura de una placa de soporte hecha del citado material;(b) la citada zona fundida es mantenida mediante una corriente eléctrica paralela a la superficie de la citada cinta y perpendicular a la dirección de crecimiento de la citada cinta; (c) la citada zona fundida es alimentada por transferencia de material en el estado líquido desde uno o más depósitos del citado...

  17. 19.-

    METODO Y DISPOSITIVO PARA PRODUCIR LAMINAS DE METAL

    . Ver ilustración. Solicitante/s: RGS DEVELOPMENT B.V. Inventor/es:

    Método para producir láminas de metal por el principio de fundición de láminas que comprende las etapas de: #- rellenar una estructura de fundición con metal líquido ; #- mover un sustrato por el fondo de la estructura de fundición , estando el sustrato a una temperatura inferior al punto de fusión del metal líquido en el fondo de la estructura de fundición , de modo que una capa del fondo del metal líquido cristaliza sobre el sustrato , y una lámina metálica es formada en el sustrato en un lado de la estructura de fundición , caracterizado por las fases de #- medir al menos uno del grosor y el peso de la lámina metálica ; #- ajustar el área de superficie de contacto entre el metal líquido y el sustrato como una función de un valor medido para al menos uno del grosor y del peso.

  18. 20.-

    METODO Y APARATO PARA CRECIMIENTO DE CRISTAL

    . Ver ilustración. Solicitante/s: EVERGREEN SOLAR INC.. Inventor/es:

    Un método para formar una cinta cristalina, comprendiendo el método: proporcionar un crisol mesa que tiene una superficie superior y bordes que definen un límite de la superficie superior del crisol mesa; formar un fundido de un material fuente en la superficie superior del crisol mesa, siendo retenidos los bordes del fundido por adhesión capilar a los bordes del crisol mesa; y extraer una cinta cristalina desde el fundido.

  19. 21.-

    Disposición de fabricación de varillas de cristal con sección transversal definida y estructura policristalina columnar por medio de cristalización continua sin crisol, que presenta al menos un crisol lleno de material de cristal y dotado de un conducto de salida central para transportar el contenido del crisol hasta una varilla de cristal regulable en altura que crece por debajo del crisol, sumergiéndose el conducto de salida central en el menisco de fusión sobre la superficie frontal superior de la varilla de cristal, medios para efectuar una carga continuamente regulable del crisol con material de cristal sólido, medios para alimentar la energía de fusión y medios para ajustar el frente de cristalización sobre la varilla...

  20. 22.-

    METODO PARA PRODUCIR UN FILAMENTO CONTINUO DE UN MATERIAL CRISTALINO

    . Ver ilustración. Solicitante/s: TYCO LABORATORIES, INC.

    Resumen no disponible.