PROCEDIDMIENTO Y APARATO PARA SACAR UNA CINTA DE CRISTAL.
Un aparato para sacar una tira de cristal de semiconductores continuamente desde un crisol (12),
que comprende: un horno de crecimiento del cristal (11) que tiene un crisol (12), una pareja de cintas sin fin (20a, 20b) para sacar continuamente una tira de cristal de semiconductores (15) desde dicho crisol (12), comprendiendo dicho aparato: un dispositivo de control de la posición (23) para ajustar mecánicamente una posición transversal de la tira de cristal de semiconductores (15), estando dispuesto dicho dispositivo de control de la posición (23) en una trayectoria para extraer la tira de cristal de semiconductores (15) desde el crisol (12), donde dicho dispositivo de control de la posición (23) comprende;: una pareja de bloques (25) dispuestos sobre cada lado de dicha trayectoria, teniendo dichos bloques (25) caras laterales (27) para ajustar una dirección de la tira de cristal de semiconductores (15) contactando con un borde de la tira, siendo movidos dichos bloques (25) periódicamente desde sus posiciones iniciales (A) hacia la tira de cristal (15), y una pareja de sensores de posición (26) montados, respectivamente, sobre dichos bloques (25) para detectar un borde de la tira y para fijar la posición transversal de dicho bloque.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: EBARA CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 11-1, HANEDA ASAHI-CHO,OHTA-KU, TOKYO.
Inventor/es: ISOZAKI, HIDEYUKI, TERAO, KENJI, YAMAGUCHI, YASUYOSHI.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 19 de Octubre de 2005.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B15/00 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00).
- C30B15/34 C30B […] › C30B 15/00 Crecimiento de monocristales por estirado fuera de un baño fundido, p. ej. método de Czochralski (bajo un fluido protector C30B 27/00). › Crecimiento de cristales por alimentación del lecho con control de superficie utilizando matrices de formación o grietas de conducción.
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