DISIPADOR DE CALOR Y DISPOSITIVO LASER SEMICONDUCTOR Y PILA DE LASER DE SEMICONDUCTOR QUE USA UN DISIPADOR DE CALOR.

Un aparato de láser de semiconductor que comprende: un disipador de calor (10a,

10b, 10c) que comprende: un primer miembro plano (12) que tiene una primera y una segunda caras opuestas una a la otra y que tiene una primera parte de ranura (22) en la primera cara del mismo; un segundo miembro plano (16) que tiene una primera y una segunda caras opuestas una a la otra y que tiene una segunda parte de ranura (30) en la segunda superficie de la misma; una partición (14) que tiene una primera superficie y una segunda superficie y dispuestas entre la primera superficie del primer miembro plano (12) y la segunda superficie del segundo miembro plano (16), en la que la primera parte de ranura (22) y la segunda cara de la partición (14) definen un primer espacio (40), la segunda parte de ranura (30) y la primera superficie de la partición (14) definen un segundo espacio (42), y la partición (14) tiene un agujero (38) para proporcionar un paso desde el primer espacio (40) al segundo espacio (42); un puerto de alimentación (44) al primer espacio (40) para suministrar un fluido dentro del primer espacio (40); y un puerto de descarga (46) al segundo espacio (42) para descargar un fluido desde el segundo espacio (42); caracterizado porque: un dispositivo de láser de semiconductor (2a, 2b, 2c) se monta en la primera cara del segundo miembro plano (16) opuesto al agujero (38); y en que el aparato de láser de semiconductor comprende además: una primera placa de cobre (3b) que está eléctricamente en contacto con una primera superficie del dispositivo de láser de semiconductor (2c); una segunda placa de cobre (3a) que está eléctricamente en contacto con la segunda superficie del primer miembro plano (12) de forma que el dispositivo de láser de semiconductor (2c) realice la emisión por medio de la aplicación de una predeterminada tensión entre la primera y la segunda placas de cobre (3b, 3a); y un primer y un segundo miembros aislantes de goma (7a, 7d) dispuestos sobre la primera superficie del segundo miembro plano (16) y la segunda superficie del primer miembro plano (12), respectivamente, en una posición diferente que el dispositivo de láser de semiconductor, para rodear el puerto de alimentación (44) y el puerto de descarga (46).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: HAMAMATSU PHOTONICS K.K..

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 1126-1, ICHINO-CHO, HAMAMATSU-SHI,SHIZUOKA-KEN 435-8558.

Inventor/es: MIYAJIMA, HIROFUMI, HAMAMATSU PHOTONICS K.K., KAN, HIROFUMI, HAMAMATSU PHOTONICS K.K., NAITOH, TOSHIO, HAMAMATSU PHOTONICS K.K., OHTA, HIROKAZU, HAMAMATSU PHOTONICS K.K., KANZAKI, TAKESHI, HAMAMATSU PHOTONICS K.K.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 29 de Marzo de 1999.

Fecha Concesión Europea: 14 de Junio de 2006.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L23/473 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › por circulación de líquidos.
  • H01S3/18

Clasificación PCT:

  • H01L23/473 H01L 23/00 […] › por circulación de líquidos.
  • H05K7/20 H […] › H05 TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR.H05K CIRCUITOS IMPRESOS; ENCAPSULADOS O DETALLES DE LA CONSTRUCCIÓN DE APARATOS ELECTRICOS; FABRICACION DE CONJUNTOS DE COMPONENTES ELECTRICOS.H05K 7/00 Detalles constructivos comunes a diferentes tipos de aparatos eléctricos (encapsulados, armarios, cajones H05K 5/00). › Modificaciones para facilitar la refrigeración, ventilación o calefacción.

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Países Bajos, Oficina Europea de Patentes.

DISIPADOR DE CALOR Y DISPOSITIVO LASER SEMICONDUCTOR Y PILA DE LASER DE SEMICONDUCTOR QUE USA UN DISIPADOR DE CALOR.

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