Método de procesamiento por láser.

Un método de procesamiento por láser, que comprende las etapas de:



irradiar un objeto (1) a procesar, que comprende un sustrato de silicio (15), que tiene una cara frontal y una cara posterior (21), y una parte laminada (17), dispuesta en la cara frontal del sustrato de silicio (15), con luz láser (L), al colocar un punto de convergencia de luz (P) dentro del sustrato de silicio (15), para formar una región procesada fundida (7) solo dentro del sustrato de silicio (15), y hacer que la región procesada fundida (7) forme una región de punto de partida, ubicada dentro del sustrato de silicio (15), a una distancia predeterminada de una cara incidente de luz láser del objeto (1), para cortar el objeto;

formar la región del punto de partida para cortar dentro del objeto (1) a lo largo de una línea que se extiende linealmente (5), a lo largo de la cual se debe cortar el objeto moviendo relativamente la luz láser (L), a lo largo de la línea que se extiende linealmente (5) para mover el punto convergente de luz (P) de la luz láser (L) a lo largo de la línea que se extiende linealmente (5) y formar la región procesada fundida (7) a lo largo de la línea que se extiende linealmente (5); y

cortar el sustrato de silicio (15) y la parte laminada (17), a lo largo de la línea que se extiende linealmente (5),

aplicando una fuerza artificial al objeto para que se genere una fractura en una dirección de espesor del sustrato de silicio desde la región de punto de partida para que la fractura generada alcance la cara frontal y la cara posterior (21) del sustrato de silicio (15),

en el que el sustrato de silicio (15) y la parte laminada (17) se cortan a lo largo de la línea (5).

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E15192444.

Solicitante: HAMAMATSU PHOTONICS K.K..

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 1126-1, ICHINO-CHO HAMAMATSU-SHI, SHIZUOKA 435-8558 JAPON.

Inventor/es: FUKUYO,FUMITSUGU, FUKUMITSU,KENSHI.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • B23K26/38 SECCION B — TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES.B23 MAQUINAS-HERRAMIENTAS; TRABAJO DE METALES NO PREVISTO EN OTRO LUGAR.B23K SOLDADURA SIN FUSION O DESOLDEO; SOLDADURA; REVESTIMIENTO O CHAPADO POR SOLDADURA O SOLDADURA SIN FUSION; CORTE POR CALENTAMIENTO LOCALIZADO, p. ej. CORTE CON SOPLETE; TRABAJO POR RAYOS LASER (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión de metales B21C 23/22; realización de guarniciones o recubrimientos por moldeo B22D 19/08; moldeo por inmersión B22D 23/04; fabricación de capas compuestas por sinterización de polvos metálicos B22F 7/00; disposiciones sobre las máquinas para copiar o controlar B23Q; recubrimiento de metales o recubrimiento de materiales con metales, no previsto en otro lugar C23C; quemadores F23D). › B23K 26/00 Trabajo por rayos láser, p. ej. soldadura, corte o taladrado. › mediante escariado o corte.
  • B23K26/40 B23K 26/00 […] › tomando en consideración las propiedades del material involucrado.
  • B28D1/22 B […] › B28 TRABAJO DEL CEMENTO, DE LA ARCILLA O LA PIEDRA.B28D TRABAJO DE LA PIEDRA O DE MATERIALES SIMILARES A LA PIEDRA (máquinas o procedimientos de explotación de minas o canteras E21C). › B28D 1/00 Trabajo de la piedra o de los materiales análogos, p. ej. ladrillos, hormigón, no previsto en otro lugar; Máquinas, dispositivos, herramientas a este efecto (trabajo fino de las perlas, joyas, cristales B28D 5/00; trabajo con muela o pulido B24; dispositivos o medios para desgastar o acondicionar el estado de superficies abrasivas B24B 53/00). › por recorte, p. ej. ejecución de entalladuras.
  • B28D5/00 B28D […] › Trabajo mecánico de las piedras finas, piedras preciosas, cristales, p. ej. de materiales para semiconductores; Aparatos o dispositivos a este efecto (trabajo con muela o pulido B24; con fines artísticos B44B; por procedimientos no mecánicos C04B 41/00; postratamiento no mecánico de monocristales C30B 33/00).
  • C03B33/02 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C03 VIDRIO; LANA MINERAL O DE ESCORIA.C03B FABRICACION O MODELADO DE VIDRIO O DE LANA MINERAL O DE ESCORIA; PROCESOS SUPLEMENTARIOS EN LA FABRICACION O MODELADO DE VIDRIO O DE LANA MINERAL O DE ESCORIA (tratamiento de la superficie C03C). › C03B 33/00 Seccionamiento del vidrio enfriado (seccionamiento de las fibras de vidrio C03B 37/16). › Corte o hendido de hojas de vidrio; Dispositivos o máquinas a tal efecto (C03B 33/09 tiene prioridad; herramientas para cortar el vidrio C03B 33/10).
  • C03B33/033 C03B 33/00 […] › Aparatos para ensanchar las líneas de corte en las hojas de vidrio.
  • C03B33/07 C03B 33/00 […] › Corte de artículos de vidrio armado o estratificado.
  • H01L21/301 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › para subdividir un cuerpo semiconductor en partes separadas, p. ej. realizando particiones (corte H01L 21/304).

PDF original: ES-2762406_T3.pdf

 

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