Método de división de sustrato.

Un método de división de sustrato que comprende las etapas de:



irradiar un sustrato semiconductor (1), teniendo el sustrato semiconductor (1) una cara frontal (3) sobre la que se forman una pluralidad de dispositivos funcionales, con luz láser (L) mientras que se posiciona un punto de convergencia de luz (P) dentro del sustrato semiconductor (1) para formar una región procesada fundida (7, 13) debido a absorción multifotón solamente dentro del sustrato semiconductor (1), formando la región procesada fundida (7, 13) una región de punto de partida para el corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual el sustrato semiconductor (1) debe cortarse, dentro del sustrato semiconductor (1), una distancia predeterminada desde una cara incidente de luz láser del sustrato;

colocar una película protectora (20) sobre la cara frontal (3) del sustrato semiconductor (1) después de dicha etapa de irradiación, para mantener el sustrato semiconductor (1);

rectificar y a continuación grabar al aguafuerte una cara posterior (21) del sustrato semiconductor (1) después de la etapa de colocar la película protectora (19) sobre la cara frontal (3) del sustrato semiconductor (1) hasta alcanzar un espesor predeterminado, tras lo cual el sustrato semiconductor (1) está dividido en una pluralidad de chips por fracturas (15) generadas desde la región procesada fundida (7, 13) a lo largo de la línea a lo largo de la cual el sustrato semiconductor (1) debe cortarse y que alcanzan la cara frontal (3) y la cara posterior (21) del sustrato semiconductor (3);

fijar una película de expansión (23) a las caras posteriores de los chips después de la etapa de dividir el sustrato semiconductor (1) en los chips;

retirar la capa protectora (19) de la cara frontal (3) del sustrato semiconductor (1); y

expandir la película de expansión (23) después de la etapa de fijar la película de expansión (23) para separar los chips entre sí.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E11182633.

Solicitante: HAMAMATSU PHOTONICS K.K..

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 1126-1, Ichino-cho Higashi-ku Hamamatsu-shi, Shizuoka 435-8558 JAPON.

Inventor/es: UCHIYAMA, NAOKI, FUJII,YOSHIMARO, FUKUYO,FUMITSUGU, FUKUMITSU,KENSHI.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • B23K101/40 SECCION B — TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES.B23 MAQUINAS-HERRAMIENTAS; TRABAJO DE METALES NO PREVISTO EN OTRO LUGAR.B23K SOLDADURA SIN FUSION O DESOLDEO; SOLDADURA; REVESTIMIENTO O CHAPADO POR SOLDADURA O SOLDADURA SIN FUSION; CORTE POR CALENTAMIENTO LOCALIZADO, p. ej. CORTE CON SOPLETE; TRABAJO POR RAYOS LASER (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión de metales B21C 23/22; realización de guarniciones o recubrimientos por moldeo B22D 19/08; moldeo por inmersión B22D 23/04; fabricación de capas compuestas por sinterización de polvos metálicos B22F 7/00; disposiciones sobre las máquinas para copiar o controlar B23Q; recubrimiento de metales o recubrimiento de materiales con metales, no previsto en otro lugar C23C; quemadores F23D). › B23K 101/00 Objetos fabricados por soldadura sin fusión, soldadura o corte. › Dispositivos semiconductores.
  • B23K26/06 B23K […] › B23K 26/00 Trabajo por rayos láser, p. ej. soldadura, corte o taladrado. › Determinación de la configuración del haz de rayos, p. ej. con ayuda de máscaras o de focos múltiples.
  • B23K26/38 B23K 26/00 […] › mediante escariado o corte.
  • B23K26/40 B23K 26/00 […] › tomando en consideración las propiedades del material involucrado.
  • B28D5/00 B […] › B28 TRABAJO DEL CEMENTO, DE LA ARCILLA O LA PIEDRA.B28D TRABAJO DE LA PIEDRA O DE MATERIALES SIMILARES A LA PIEDRA (máquinas o procedimientos de explotación de minas o canteras E21C). › Trabajo mecánico de las piedras finas, piedras preciosas, cristales, p. ej. de materiales para semiconductores; Aparatos o dispositivos a este efecto (trabajo con muela o pulido B24; con fines artísticos B44B; por procedimientos no mecánicos C04B 41/00; postratamiento no mecánico de monocristales C30B 33/00).
  • H01L21/26 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Bombardeo con radiación ondulatoria o de partículas.
  • H01L21/30 H01L 21/00 […] › Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20 - H01L 21/26 (fabricación de electrodos sobre estos cuerpos H01L 21/28).
  • H01L21/301 H01L 21/00 […] › para subdividir un cuerpo semiconductor en partes separadas, p. ej. realizando particiones (corte H01L 21/304).
  • H01L21/324 H01L 21/00 […] › Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/20 - H01L 21/288, H01L 21/302 - H01L 21/322 tienen prioridad).
  • H01L21/42 H01L 21/00 […] › Bombardeo por radiaciones.
  • H01L21/46 H01L 21/00 […] › Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/36 - H01L 21/428 (fabricación de electrodos sobre estos cuerpos H01L 21/44).
  • H01L21/477 H01L 21/00 […] › Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/36 - H01L 21/449, H01L 21/461 - H01L 21/475 tienen prioridad).
  • H01L21/78 H01L 21/00 […] › con una división ulterior del sustrato en una pluralidad de componentes individuales (corte para cambiar las características físicas de superficie o la forma de los cuerpos semiconductores H01L 21/304).
  • H05K3/00 H […] › H05 TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR.H05K CIRCUITOS IMPRESOS; ENVOLTURAS O DETALLES DE REALIZACION DE APARATOS ELECTRICOS; FABRICACION DE CONJUNTOS DE COMPONENTES ELECTRICOS (detalles de instrumentos o detalles comparables de otros aparatos no previstos en otro lugar G12B; circuitos de película delgada o de película gruesa H01L 27/01, H01L 27/13; medios no impresos para realizar conexiones con o entre circuitos impresos H01R; envolturas o detalles de realización de tipos particulares de aparatos, ver las subclases apropiadas; procedimientos que sólo comprenden una técnica prevista en otro lugar, p. ej. calefacción, pulverización, ver la subclase apropiada). › Aparatos o procedimientos para la fabricación de circuitos impresos (producción por vía fotomecánica de superficies texturadas, materiales a este efecto o sus originales, aparellajes especialmente adaptados a este efecto, en general G03F; que implican la fabricación de dispositivos semiconductores H01L).

PDF original: ES-2639733_T3.pdf

 

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