Semiconductor de potencia no uniforme y método de fabricación.
(07/05/2019) Un dispositivo semiconductor transistor bipolar de puerta aislada comprendiendo: una pastilla semiconductora con un área activa comprendiendo un conjunto de celdas activas ; una primera parte del área activa compuesta por celdas (K) conforme con los primeros parámetros de diseño de celda seleccionados, donde los primeros parámetros de diseño de celda seleccionados determinan las dimensiones físicas de cada celda (K) de la primera parte del área activa , y donde la primera parte constituye la parte central del área activa ; una segunda parte del área activa compuesta por celdas (M) conforme con los segundos parámetros de diseño de celda seleccionados, donde los segundos parámetros de diseño…