6 inventos, patentes y modelos de PARK,DONGKYU

(01/03/2019) Un dispositivo de memoria de semiconductor de doble voltaje que comprende: una pluralidad de controladores de escritura (105a-c) que reciben señales de entrada de datos de bajo voltaje y, en respuesta, que escriben valores de datos de nivel de bajo voltaje en un núcleo de memoria; un cambiador de nivel configurado para cambiar un nivel de una señal de dirección de un nivel de bajo voltaje a un nivel de voltaje más alto (313a-313c); un descodificador configurado para descodificar la señal de dirección de nivel cambiado para proporcionar una señal de línea de palabras de nivel cambiado de voltaje más alto que activa las células de…

(19/02/2019) Un dispositivo, que comprende: una memoria de múltiples bancos con al menos bancos de memoria primero y segundo ; al menos controladores locales primero y segundo adaptados para controlar operaciones de lectura y escritura en los al menos bancos de memoria primero y segundo; un controlador global en comunicación con los al menos controladores locales primero y segundo; en el que el controlador global está configurado para recibir una primera instrucción que comprende una primera dirección de memoria y una primera operación a realizar en la primera dirección de memoria y una segunda instrucción que comprende una segunda dirección de memoria y una segunda operación a realizar en la segunda dirección de memoria, y el controlador global está…

(06/04/2016) Un procedimiento, que comprende: proporcionar una memoria de múltiples bancos, con al menos bancos de memoria primero y segundo; proporcionar al menos controladores locales primero y segundo adaptados para controlar operaciones de lectura y de escritura en al menos dichos bancos de memoria primero y segundo; proporcionar un controlador global en comunicación con al menos dichos controladores locales primero y segundo; proporcionar al controlador global una primera instrucción que comprende una primera dirección de memoria y una primera operación a realizar en la primera dirección de memoria; proporcionar al controlador global una segunda instrucción que comprende una segunda dirección de memoria y una segunda operación a realizar…

(13/05/2015) Un aparato que comprende: una célula bit acoplada a una primera línea de bit , a una segunda línea de bit , y a una línea de palabra que es sensible a un circuito de ataque de línea de palabra ; un amplificador de lectura acoplado a la primera línea de bit y a la segunda línea de bit ; un circuito de temporización configurado para generar una primera señal y una segunda señal ; un circuito de bucle configurado para suministrar una señal de administración de aplicación de lectura al amplificador de lectura en respuesta a la recepción de la primera señal ; y un circuito de habilitación…

(03/12/2014) Un dispositivo que comprende: un elemento de unión-túnel magnética (MTJ) de par de transferencia de espín (STT); y un transistor acoplado al elemento de STT-MTJ, en el que el transistor incluye una primera puerta y una segunda puerta , y define unos canales de inversión primero y segundo controlados por las puertas primera y segunda que definen diferentes rutas de lectura y escritura.

(30/09/2013) Un dispositivo de memoria que comprende: una célula de memoria que incluye un elemento de memoria resistivaacoplado a un transistor de acceso, teniendo el transistor de acceso un primerespesor de óxido para permitir la operación de la célula de memoria a una tensión operativa; yun primer amplificador configurado para acoplar la célula de memoria a una tensión dealimentación que es mayor que un límite de tensión para generar una señal de datos basada en unacorriente que atraviesa la célula de memoria, caracterizado porque el primer amplificador incluye un transistor de fijación de nivel que tiene unsegundo espesor de óxido que es mayor que el primer espesor…