12 inventos, patentes y modelos de Camel,Denis

(24/07/2019) Crisol para la fabricación de un lingote de silicio por solidificación que comporta un fondo y paredes laterales formadas al menos parcialmente por un material refractario, caracterizado porque: - el material refractario es grafito que presenta un coeficiente de dilatación térmica medio, en un rango de temperatura comprendido entre la temperatura ambiente y la temperatura de fusión del silicio, superior o igual al coeficiente de dilatación térmica de dicho silicio en dicho rango de temperatura; - las paredes laterales del crisol están al menos en parte recubiertas por una capa impermeable al aire a base de carburo de silicio; - y el crisol comporta un sistema de apriete que conecta dos paredes laterales adyacentes, el sistema de apriete está configurado para autorizar la separación de las dos paredes…

(03/04/2019) Procedimiento útil para ensamblar al menos dos piezas carbonadas con una granulometría inferior a 10 μm y que comprende al menos las etapas que consisten en: a) colocar las piezas carbonadas a ensamblar y de un elemento de silicio, particularmente en forma de un fleje de silicio, intercalándose el mencionado elemento entre las indicadas piezas, y b) mantener el conjunto cohesivo bajo el efecto de una presión y someterlo a un calentamiento a una temperatura que varía de 1410oC a 1500oC bajo atmósfera inerte, para fundir el silicio y formar una junta que contenga al menos un puente de carburo de silicio en la superficie de contacto de las indicadas piezas y c) exponer el conjunto obtenido al final de la etapa b) a un nivel de temperaturas superior a la temperatura de la etapa b) y que varía de 1500oC a 1750oC para consumir la integridad del…

(06/03/2019) Procedimiento de fabricación de un lingote de silicio por recuperación de semillas en un horno de solidificación dirigida, que comprende al menos las etapas que consisten en: (i) disponer de un crisol de eje (Z) longitudinal, cuyo fondo comprende un pavimento de semillas de silicio monocristalino de forma en prisma recto, estando el pavimento formado: - de una o varias semillas centrales Gc; y - de unas o varias semillas periféricas Gp, contiguas a las semillas Gc; y (ii) proceder a la solidificación dirigida de silicio por recuperación de semillas, según una dirección de crecimiento colineal al eje (Z); caracterizado por que una semilla Gp presenta una red cristalina simétrica de la red cristalina de la semilla Gc contigua, con respecto al plano P definido por la frontera entre dichas semillas…

(23/01/2019) Procedimiento de fabricación de un lingote de silicio , dotado de juntas de grano simétricas, que comprende al menos las etapas que consisten en: (i) disponer de un crisol de eje (Z) longitudinal, cuyo fondo comprende un pavimento formado de gérmenes de silicio monocristalino de forma de adoquín recto de base cuadrada o rectangular y dispuestos de manera aneja, estando dicho pavimento visto según el eje (Z) en forma de una cuadrícula de direcciones ortogonales (x) y (y) paralelas a las aristas de los gérmenes; y (ii) proceder a la solidificación dirigida de silicio por recogida en gérmenes según una dirección de crecimiento colineal al eje (Z); caracterizado por que el pavimento en la etapa (i) se realiza a partir de gérmenes de silicio idénticos, siendo dos gérmenes…

(06/01/2016) Intercambiador térmico de un sistema de solidificación y/o de cristalización de un material semiconductor, que comprende una primera pieza (2; 2a; 2b; 2c; 2d; 2e; 2f; 2g; 2h; 2i; 2j) y una segunda pieza (3; 3a; 3b; 3c; 3d; 3e; 3f; 3g; 3h; 3i; 3j), siendo las primera y segunda piezas desplazables una con respecto a la otra, caracterizado por que la primera pieza comprende unos primeros relieves y la segunda pieza comprende unos segundos relieves , estando los primeros relieves destinados a cooperar con los segundos relieves y por que comprende un elemento de desplazamiento de la primera pieza en relación con la segunda pieza que permite controlar un flujo de calor intercambiado, por…

(16/12/2015) Dispositivo que forma un crisol para la fabricación de material cristalino por cristalización dirigida que incluye un fondo y al menos una pared lateral en el que el fondo incluye: - una primera parte (2a) que presenta una primera resistencia térmica y una segunda parte (2b) que presenta una segunda resistencia térmica inferior a la primera resistencia térmica y destinada a recibir una semilla en el segundo material cristalino para la fabricación de dicho material cristalino, estando el fondo y dicha al menos una pared lateral formados al menos en parte por una pieza estanca que incluye al menos un endentado que participa para definir dichas partes primera y segunda (2a, 2b), dispositivo caracterizado porque la primera parte (2a) está recubierta por una primera…

(18/06/2014) Dispositivo de guiado de ondas ultrasonoras susceptible de ser utilizado en un recinto térmicamente aislante de un horno de cristalización de silicio y destinado a ser insertado parcialmente en el recinto de dicho horno por un orificio dispuesto en la pared del recinto, caracterizado porque comprende: - una guía de onda de sílice cristalina, que comprende una cara de entrada de una onda ultrasonora, una cara de salida de una onda ultrasonora y una superficie lateral que une la cara de entrada y la cara de salida, - una estructura de grafito o de carburo de silicio, que rodea al menos parcialmente la superficie lateral de la guía de onda, - una…

(04/12/2013) Procedimiento para la purificación de silicio metalúrgico por solidificación dirigida con el fin de obtener silicio de calidad solar o fotovoltaica , procedimiento caracterizado porque comprende una etapa de cristalización usando un germen de silicio que recubre el fondo del crisol.

(11/07/2012) Revestimiento en material basado en plata que comprende un apilamiento de una capa principal y de una película delgada oxidada , caracterizado porque la película delgada oxidada tiene un espesor comprendido entre 10 nm y 1 !my porque presenta un gradiente de concentración de plata decreciente desde la interfase entre la película delgada y la capa principal hasta la superficie libre (2a) de la película delgada .

(08/06/2012) Dispositivo de realización de un bloque de material cristalino a partir de un baño de material fundido , que comprende un crisol que tiene un fondo , medios de extracción del calor dispuestos bajo el crisol y medios de modulación de la conductividad térmica interpuestos entre el fondo del crisol y los medios de extracción del calor , dispositivo caracterizado porque los medios de modulación de la conductividad térmica comprenden una pluralidad de placas , de material térmicamente conductor y de baja emisividad, paralelas al fondo del crisol y medios de acercamiento y de alejamiento de dichas placas unas con respecto a otras y con respecto al fondo del crisol , presentando las placas una emisividad inferior a 0,5.

(02/04/2012) Procedimiento de solidificación de semiconductor, que incluye al menos las etapas de: - formar un baño de semiconductor fundido a partir de al menos una primera carga de semiconductor que incluye dopantes, - solidificar el semiconductor fundido , y que incluye además, en el transcurso de la solidificación del semiconductor fundido , la realización, en el curso de al menos una parte del procedimiento de solidificación, de una o varias etapas de adición de una o varias cargas suplementarias del semiconductor, que incluyen asimismo dopantes, al baño de semiconductor rebajando la variabilidad del valor del término **Fórmula** del semiconductor fundido del baño con relación a la variabilidad realizada de forma natural por los valores de los coeficientes de…