(16/10/1999). Solicitante/s: ASTROPOWER INC. Inventor/es: HALL, ROBERT B., BARNETT, ALLEN M., BROWN, JACOB E., CHECCHI, JOSEPH C., FORD, DAVID H., KENDALL,CHRISTOPHER L., MULLIGAN, WILLIAM P.RAND, JAMES A., RUFFINS, TODD R.

LA INVENCION SE REFIERE A TECNICAS PARA LA FABRICACION DE LAMINAS POLICRISTALINAS DE GRANO COLUMNAR, QUE SON ESPECIALMENTE UTILES COMO SUSTRATOS O DISCOS PARA CELULAS SOLARES. LA LAMINA SE HACE APLICANDO SILICIO GRANULAR A UN MATERIAL DE FIJACION, QUE SOPORTA EL MATERIAL GRANULAR. EL MATERIAL DE FIJACION Y EL SILICIO GRANULAR SE SOMETEN A UN PERFIL TERMICO, TODO LO CUAL IMPULSA EL DESARROLLO COLUMNAR MEDIANTE LA FUSION DEL SILICIO DESDE LA PARTE SUPERIOR HACIA ABAJO. EL PERFIL TERMICO CREA SECUENCIALMENTE UNA ZONA DE FUSION EN LA PARTE SUPERIOR DEL SILICIO GRANULAR, Y DESPUES UNA ZONA DE DESARROLLO DONDE COEXISTEN TANTO EL LIQUIDO COMO LA CAPA LAMINAR POLICRISTALINA DE DESARROLLO. SE CREA UNA ZONA DE RECOCIDO, DONDE SE REDUCE CONTROLABLEMENTE LA TEMPERATURA DE LA CAPA LAMINAR DE SILICIO POLICRISTALINO DE DESARROLLO, PARA OBTENER ATENUACION DE EFECTOS RESIDUALES.

(01/10/1998). Solicitante/s: ISIS INNOVATION LIMITED. Inventor/es: DOBSON, PETER JAMES, SALATA, OLEG VIKTOROVICH, SMARTS COTTAGE, HULL, PETER JAMES, HUTCHISON, JOHN LAIRD, 56 COVERLEY ROAD.

PARTICULAS DE TAMAÑO DESEADO CRISTALITOS CERO-DIMENSIONALES DE UN METAL O COMPUESTO DE METAL QUE SE FABRICAN MEDIANTE UN METODO QUE PROPORCIONA UNA SOLUCION EN UN SOLVENTE EVAPORABLE EN UNA CONCENTRACION PREDETERMINADA DE UN METAL ELEGIDO, Y QUE FORMA GOTAS DE LA SOLUCION CON UN TAMAÑO PREDETERMINADO SUSTANCIALMENTE UNIFORME. LAS GOTAS SE PONEN ENTONCES EN CONTACTO CON UN REAGENTE DE FASE GASEOSA FORMANDO ASI LAS PARTICULAS DE COMPUESTO DE METAL DESEADAS. EL SOLVENTE PUEDE EXTRAERSE ANTES, DURANTE O DESPUES DEL CONTACTO DE LAS GOTAS CON EL REAGENTE DE FASE GASEOSA. LAS PARTICULAS DE TAMAÑO DESEADO DEL COMPUESTO DE METAL ASI FORMADAS SE DEPOSITAN SOBRE UN SUSTRATO. ESTAS PUEDEN CONTENERSE DENTRO DE UN POLIMERO COMO UNA PELICULA. MEDIANTE EL CONTROL DE LA CONCENTRACION DE LA SOLUCION Y DEL TAMAÑO DE LAS GOTAS, EL TAMAÑO DE LAS PARTICULAS PUEDE CONTROLARSE ESTRECHAMENTE.

(16/09/1998). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: TOYAMA, NOBORU, NAKAGAWA, KATSUMI.

UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO COMPRENDE UN METAL CON UNA SUPERFICIE LISA; UNA CAPA TRANSPARENTE FORMADA SOBRE LA SUPERFICIE LISA; Y UNA CAPA DE CONVERSION FOTOELECTRICA FORMADA SOBRE LA CAPA TRANSPARENTE. LA CAPA TRANSPARENTE TIENE UNA SUPERFICIE IRREGULAR EN UNA CARA OPUESTA A LA SUPERFICIE LISA.

(01/01/1998). Ver ilustración. Solicitante/s: CENTRO ASOCIACION DE MEDICINA Y SEGURIDAD EN EL TRABAJO DE UNESA PARA LA INDUSTRIA ELECTRICA. Inventor/es: SERRANO HERNANDEZ, DOLORES, PEREZ MORALES, JOSE MANUEL, OLMOS MORENO, PEDRO, MARTINEZ GARCIA, ANGEL, SANTOS PEÑA, MARIA TERESA, DIEGUEZ DELGADO, ERNESTO.

SISTEMA DE FABRICACION DE MICRODETECTORES DE RADIACION BASADOS EN HGI2. LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE AL METODO DE CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES DE HGI2 Y EN LAMINAS A SU POSTERIOR PREPARACION EN GEOMETRIA PARA FABRICAR MICRODETECTORES DE RADIACION DE ALTAS PRESTACIONES. ESTOS DETECTORES TIENEN GRAN EFICIENCIA FRENTE A RADIACION X Y GAMMA, PUDIENDO SER UTILIZADOS A TEMPERATURA AMBIENTE CON UNA GRAN SENSIBILIDAD, CARACTERIZADA POR UN LIMITE INFERIOR DE DETECCION DE 2 KEV. SU REDUCIDO TAMAÑO HACE QUE TENGAN UN CAMPO DE APLICABILIDAD POTENCIALMENTE MUY ALTO (MEDICINA NUCLEAR, MONITORAJE DE INSTALACIONES RADIACTIVAS, INVESTIGACION,...).

(16/09/1997). Solicitante/s: ALCATEL SEL AKTIENGESELLSCHAFT ALCATEL N.V.. Inventor/es: BOUAYAD-AMINE, JAMAL, KUEBART, WOLFGANG, SCHERB, JOACHIM.

EN UN METODO PARA LA FABRICACION Y PASIVACION DE CAMPOS DE ELEMENTOS DE CONSTRUCCION EN III-V EN SUBSTRATOS SEMICONDUCTORES SE LLEVA A CABO MEDIANTE UN TRATAMIENTO PRELIMINAR DE LA SUPERFICIE EN PLAMA-SUSTANCIA DE CARBONO-HALOGENOS ANTES DE LA COLOCACION DE LAS CAPAS DE PASIVACION Y AISLAMIENTO. LOS ELEMENTOS GENERADOS TIENEN UN MEJOR VALOR ELECTRICO QUE LOS ELEMENTOS DE CONSTRUCCION SIN EL TRATAMIENTO PRELIMINAR, CONCRETAMENTE PRESENTAN UNA CORRIENTE DE BLOQUEO MENOR (CORRIENTE OSCURA).

(16/07/1997). Solicitante/s: ASE AMERICAS, INC. Inventor/es: HANOKA, JACK, I., DANIELSON, SCOTT, E.

SE SUMINISTRAN UN METODO Y UN APARATO PARA FORMAR ELECTRODOS DE REJILLA PARA CELULAS SOLARES, IMPLICANDO ESENCIALMENTE EL METODO Y EL APARATO LA DISTRIBUCION DE UNA TINTA VISCOSA A TRAVES DEL PUNTO HUECO DE UNA PLUMA A UNA PLACA SELECCIONADA DE CELULA SOLAR ORIENTADA HORIZONTALMENTE , PARA QUE LA DESCARGA DE TINTA FORME UNA CINTA O LINEA EN LA PLACA, ESTANDO LO BASTANTE SEPARADO EL PUNTO DE LA PLUMA DE LA PLACA DE CELULA SOLAR PARA FORMAR UNA CATENARIA CON EL FIN DE QUE NO VAYA POR LA CINTA O LINEA DEPOSITADA, DE ESTA FORMA, NI EL DIAMETRO EXTERIOR DEL PUNTO DE LA PLUMA NI PRESION ALGUNA EJERCIDA POR EL PUNTO DE LA PLUMA DETERMINAN EL ANCHO DE LA CINTA O LINEA ESCRITA.

(01/04/1997). Solicitante/s: ANTEC ANGEWANDTE NEUE TECHNOLOGIEN GMBH. Inventor/es: BONNET, DIETER, DR., HENRICHS, BEATE, JAGER, KARLHEINZ, RICHTER, HILMAR, DR.

PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE CELULAS SOLARES DE CAPA FINA DE PN CDTE/CDS, EN EL QUE SOBRE UN SUBSTRATO TRANSPARENTE EN FORMA DE UN VIDRIO DE CAL SODICA ECONOMICO SE SEPARA UNA CAPA TRANSPARENTE DE TCO COMO CONTACTO FRONTAL, QUE PREFERENTEMENTE ESTA PROVISTA DE UNA CAPA DE INDIO ULTRAFINA, LA CUAL SE RECUBRE A SU VEZ CON UNA CAPA DE CDS, EN DONDE EL SUBSTRATO RECUBIERTO DE TAL MODO SE LLEVA HASTA EL RECUBRIMIENTO DE CDTE A UNA TEMPERATURA 480 (GRADOS) C Y 520 (GRADOS) C, QUE DURANTE LA SIGUIENTE SEPARACION DE CDTE RAPIDA SEGUN EL PROCEDIMIENTO DISTANCIADOR PEQUEÑO SE CONSERVA CON UNA CUOTA DE SEPARACION PREFERENTE DE 5 HASTA 15 (MU)M/MIN EN UNA ATMOSFERA DE GAS INERTE. LA CAPA DE INDIO SE DESPRENDE DURANTE ESTA SEPARACION Y CONSIGUE LA DOTACION NECESARIA DE LA CAPA CDS SIN UN PASO DE PROCEDIMIENTO ADICIONAL. DE ESTE MODO SE PUEDEN PRODUCIR CELULAS SOLARES CON UN ELEVADO RENDIMIENTO EN UN PROCEDIMIENTO DE COSTE FAVORABLE APROPIADO PARA LA CONFECCION DE MASAS.

(01/03/1997). Solicitante/s: SPECTROLAB, INC. Inventor/es: CAVICCHI, BRUCE T., MASON, ANNE V.

EN UNA ESTRUCTURA DE VIA ELECTRICA Y UN METODO DE FABRICACION QUE ESTA PARTICULARMENTE ADAPTADO PARA CELULAS SOLARES DE CONTACTO COPLANAR, SE CUBRE Y SUBSTANCIALMENTE SE CIERRA UNA ABERTURA INICIAL (48A, 48B) A TRAVES DEL SUBSTRATO CON UN MATERIAL DIELECTRICO . A CONTINUACION SE FORMA UNA ABERTURA INTERIOR A TRAVES DEL DIELECTRICO Y SE SUMINISTRA LA VIA CON UN REVESTIMIENTO CONDUCTOR . INICIALMENTE SE APLICA EL DIELECTRICO EN ESTADO LIQUIDO Y, POSTERIORMENTE, SE CURA EN UN SOLIDO. SE ELIMINA LA NECESIDAD DE REACTIVOS QUIMICOS FUERTES PARA ATAQUE CON EL FIN DE IGUALAR LA ABERTURA DE LA VIA ANTES DE LA APLICACION DEL DIELECTRICO Y LA METALIZACION, Y UN DIELECTRICO POLIIMIDA DE UNA CELULA SOLAR GAAS/GE HA PRODUCIDO UNA MEJORA SUBSTANCIAL DE LA RESISTENCIA A LAS PERDIDAS Y DEL RENDIMIENTO DE LA CELULA.

(01/12/1996). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Inventor/es: GUHA, SUBHENDU, YANG, CHI, C., BANERJEE, ARINDAM.

EL VOLTAJE DE CIRCUITO ABIERTO DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS MANUFACTURADOS POR UN PROCESO DE DEPOSICION POR MICROONDAS SE INCREMENTA DISPONIENDO UN CABLE DE DESVIO EN EL PLASMA ENERGIZADO DE MICROONDAS Y APLICANDO UN VOLTAJE POSITIVO DE APROXIMADAMENTE 100 VOLTIOS AL CABLE DURANTE SOLAMENTE UNA PARTE DEL TIEMPO EN EL CUAL ESTA SIENDO DEPOSITADA LA CAPA SEMICONDUCTORA INTRINSECA (12A, 12B).

(01/07/1996). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SAKAI,AKIRA, KANAI, MASAHIRO, MURAKAMI, TSUTOMU, NAKAGAWA, KATSUMI, ISHIHARA, SHUNICHI, ARAO, KOZO, FUJIOKA, YASUSHI.

UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO QUE GENERA FUERZA FOTOELECTROMOTRIZ MEDIANTE LA CONEXION DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO-P Y OTRA TIPO-N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS UNA DE DICHAS CAPAS ESTA HECHA DE UNA PELICULA DEPOSITADA, COMPUESTA DE ATOMOS DE ZN, SE, OPCIONALMENTE TE, Y POR LO MENOS H, CONTENIENDO DICHA PELICULA DEPOSITADA UN AGENTE DOPANTE TIPO-P O TIPO-N, QUE CONTIENE 1-4 % EN ATOMOS DE ATOMOS DE H, QUE CONTIENEN ATOMOS DE SE Y DE TE EN LA RELACION 1:9-3:7 (EN TERMINOS DE NUMERO DE ATOMOS), Y QUE TAMBIEN TIENE GRANOS EN UNA RELACION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN.

(16/08/1995). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SAKAI,AKIRA, KANAI, MASAHIRO, MURAKAMI, TSUTOMU, NAKAGAWA, KATSUMI, ISHIHARA, SHUNICHI, ARAO, KOZO, FUJIOKA, YASUSHI.

UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE, QUE PRODUCE ENERGIA FOTOELECTROMOTRIZ POR UNION DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P, UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I Y OTRA TIPO N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS UNA DE DICHAS CAPAS SEMICONDUCTORAS TIPOS P Y N TIENE UNA PELICULA TIPO P O N DE ZNSE1-XTEX:H:M, DONDE M ES UN DOPANTE TIPO P O N; LA RELACION CUANTITATIVA DE SE A TE ESTA EN EL INTERVALO DE 1:9 A 3:7 EN TERMINOS DE RELACION ATOMICA, LA CANTIDAD DE HIDROGENO ESTA ENTRE 1 Y 4 % EN ATOMOS; Y DICHA PELICULA CONTIENE CAMPOS DE GRANO CRISTALINO EN PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN; Y DICHA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I TIENE UNA PELICULA DE CRISTAL NO SENCILLO DE SI(C, GE) (H, F).

(16/08/1995). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SAKAI,AKIRA, KANAI, MASAHIRO, NAKAGAWA, KATSUMI, ISHIHARA, SHUNICHI, ARAO, KOZO, FUJIOKA, YASUSHI.

UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR REMACHE MEJORADO, QUE PRODUCE ENERGIA FOTOELECTROMOTRIZ POR UNION DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO P, UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I, Y UNA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS UNA DE DICHAS CAPAS SEMICONDUCTORAS TIPO P Y N CONTIENE UNA PELICULA DE ZNSE:H:M TIPO P O N, DONDE M ES UN DOPANTE TIPO P O N, LA CANTIDAD DE HIDROGENO ESTA ENTRE 1 Y 4 % EN ATOMOS; Y DICHA PELICULA CONTIENE CAMPOS DE GRANO DE CRISTAL EN UNA PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN; Y DICHA CAPA SEMICONDUCTORA TIPO I TIENE UNA PELICULA DE CRISTAL NO SIMPLE DE SI (H, F) O UNA PELICULA DE CRISTAL NO SIMPLE DE SI (C, GE) (H, F).

(16/07/1995). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Inventor/es: NATH, PREM, LAARMAN, TIMOTHY, VOGELI, CRAIG.

LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN DISPOSITIVO FOTOVOTAICO ENCAPSULADO PREPARADO DISPONIENDO DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS SOBRE UNA LAMINA DE MATERIAL TERMOPLASTICO , DISPONIENDO UN MATERIAL ENCAPSULANTE FRONTAL ENCIMA DE LOS DISPOSITIVOS Y DISPONIENDO UNA CAPA ENCAPSULANTE INFERIOR DE MODO QUE PROPORCIONE UNA ESTRUCTURA MULTICAPA. ESTA ESTRUCTURA MULTICAPA ES LAMINADA BAJO TENSION DE MODO QUE SE COMPRIMA LAS CAPAS Y EL PRODUCTO RESULTANTE DE LA LAMINACION SE CALIENTA PARA ACTIVAR EL MATERIAL TERMOPLASTICO Y LIGAR LAS CAPAS. CAPAS ADICIONALES SE PUEDEN INTERPONER ANTES DE LA LAMINACION.

(16/08/1994). Solicitante/s: NUKEM GMBH. Inventor/es: SCHUM, BERTHOLD, HEWIG, GERT, WORNER, JORG, DR.

AL EXAMINAR PARA CONOCER COMO ES DEBIDO UN PROCESO DE COMBUSTION LENTA, DEBE REPRODUCIRSE SU REALIZACION, MEDIANTE UNA REPRESENTACION EN PERSEGUIDOS MEDIANTE ESPECTROMETRIA DE MASAS.

(16/01/1994). Solicitante/s: NUKEM GMBH. Inventor/es: VON CAMPE, HILMAR, DR..

SE PROPONE UN PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA LA FABRICACION DE UN SISTEMA DE SEMICONDUCTO DE ESTRATOS, EN EL QUE EN UN ESTRATO SE APLICAN LAS CAPAS CORRESPONDIENTES DE SEMICONDUCTO MEDIANTE EFECTO DE CAMBIO CON UNA FUNDICION . LA CAPA SOPORTE EN SI PUEDE SER DE VIDRIO O CUARZO QUE EN SU INTERIOR SE FORMA DE UNA FUNDICION DEJANDO RIGIDA UNA FUNDICION DE METAL.

(01/12/1993). Solicitante/s: BAYER AG. Inventor/es: SCHWIRTLICH, INGO, DR..

EL INVENTO ANTES CITADO SE REFIERE A UN SILICIO, CON PROPIEDADES FOTOVOLTAICAS MEJORADAS, PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION ASI COMO SU UTILIZACION PARA LA FABRICACION DE CELULAS SOLARES.

(16/04/1993). Solicitante/s: NUKEM GMBH. Inventor/es: HOFFMANN, WINFRIED, DR. DIPL.-PHYS., HUSCHKA, HANS, DR. DIPL.-CHEM.

SE DESCRIBE UN CAPSULADO DE UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO, CUYA SUPERFICIE EXTERIOR ESTA EQUIPADA CON UNA CAPA DE PROTECCION, QUE CONSTA DE CARBONO Y DE UNA UNION DIELECTRICA DE UNION DE SILICIO.

(01/04/1993). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC.. Inventor/es: NATH, PREM, VOGELI, CRAIG.

UN DISPOSITIVO ELECTRONICO , DEL TIPO QUE INCLUYE UN CUERPO DE PELICULA ESTRECHA CON UN ELECTRODO SUPERPUESTO , Y QUE TIENE DEFECTOS DE CORTOCIRCUITO (32A, 32B), PASIVADOS MEDIANTE UN PROCESO DE CONVERSION EN EL QUE LA RESISTIVIDAD ELECTRICA DEL MATERIAL DEL ELECTRODO SE AUMENTA (42A, 42B) PROXIMA A LA DE LAS ZONAS DE DEFECTOS. LA CONVERSION SE ACOMPAÑA DE UNA EXPOSICION DEL MATERIAL DEL ELECTRODO A UN REACTIVO DE CONVERSION , Y DE UNA ACTIVACION DEL REACTIVO PROXIMO A LAS ZONAS DE DEFECTOS. EL PROCESO PUEDE SER UTILIZADO POR UNA GRAN VARIEDAD DE DISPOSITIVOS CONFIGURADOS DIFERENTEMENTE, Y PUEDE SER ADAPTADO RAPIDAMENTE PARA SU UTILIZACION EN EL PROCESO DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS CILINDRO A CILINDRO.

(01/03/1993). Solicitante/s: NUKEM GMBH. Inventor/es: HEZEL, RUDOLF, PROF. DR., HOFFMAN, WINFRIED, DR. DIPL.-PHYS, SCHUM, BERTHOLD, ING.

SE PRESENTA UN PROCEDIMIENTO PARA LA APLICACION DE NUEVO DE MATERIAL DE BASE DE SILICIO DE CELULAS SOLARES DEFECTUOSAS DE CAPAS DE INVERSION (MIS). ADEMAS SE DERRIBAN AL MENOS CAPAS ESPECIFICAS DE CELULAS SOLARES - MIS Y SE SUSTITUYEN A TRAVES DE CAPAS NUEVAS CORRESPONDIENTES.

(01/01/1993). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC.. Inventor/es: HANAK, JOSEPH J.

PROCESO DE PRODUCCION DE UNA SUPERFICIE RELATIVAMENTE LARGA DE DELGADAS PELICULAS DE CELULAS FOTOVOLTAICAS, DEPOSITANDO UN SEMICONDUCTOR AISLADO A LA PELICULA, TAL COMO SILICONA AMORFA, PEGANDO UN MATERIAL SOPORTE A LA PELICULA DEPOSITADA Y SEPARANDO ESTA Y EL MATERIAL SOPORTE DEL FONDO SUSTRATO.

(01/12/1992). Solicitante/s: NUKEM GMBH. Inventor/es: SCHUM, BERTHOLD, VON CAMPE, HILMAR, DR., WORNER, JORG, DR., LIEDTKE, DIETMAR.

SE PROPONE UN PROCEDIMIENTO Y UN DISPOSITIVO PARA FORMACION DE UNA CAPA DE UNA SUPERFICIE DE UN SUSTRATO MEDIANTE PROCESO PLASMAQUIMICO. CON ELLO SE DIRIGE LA SUPERFICIE PARALELAMENTE AL CAMPO ELECTRICO QUE SE NECESITA PARA EL PROCESO PLASMAQUIMICO. ADEMAS EL GAS NECESARIO CORRE INMEDIATAMENTE SOBRE LA SUPERFICIE.

(16/03/1991). Solicitante/s: SAINT-GOBAIN VITRAGE. Inventor/es: KAWAHARA, HIDEO, MISONOU, MASAO, HIRATA, MASAHIRO.

LA INVECION SE REFIERE A UN SUSTRATO TRANSPARENTE Y CONDUCTOR UTILIZABLE COMO ELEMENTO FOTOELECTRICO. SE PROPONE UTILIZAR COMO SUSTRATO UN SOPORTE TAL COMO EL VIDRIO REVESTIDO DE UN ESPESOR POR LO MENOS IGUAL A 0.7 MICROMETRO, DE OXIDO DE ESTAÑO OBTENIDO POR DESCOMPOSICION TERMICA Y OXIDACION DE UN COMPUESTO DE ESTAÑO CONTENIENDO CLORO, PERO SIN NINGUN OTRO HALOGENO.

(16/08/1989). Ver ilustración. Solicitante/s: FUNDACION GENERAL DE LA UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID C.I.F. : G-28826055. Inventor/es: LUQUE LOPEZ,ANTONIO, CUEVAS FERNANDEZ, ANDRES.

CELULA SOLAR DE EFECTO TRANSISTOR, DESTINADA A LA CONVERSION FOTOVOLTAICA DE LA ENERGIA SOLAR. LAS CARACTERISTICAS DIFERENCIALES DE ESTA NUEVA CELULA SOLAR SON QUE EN ELLA EXISTEN REGIONES N- Y P-, IMPURIFICADAS CON ATOMOS DONADORES Y ACEPTORES, RESPECTIVAMENTE, QUE ESTAN YUXTAPUESTAS, Y QUE EN UNA DE ELLAS SE VERIFICA EL EFECTO TRANSISTOR, ES DECIR, ES ATRAVESADA POR PORTADORES MINORITARIOS DE CORRIENTE (HUECOS O ELECTRONES, RESPECTIVAMENTE) EN SU CAMINO HACIA LA OTRA REGION, EN LA QUE SON COLECTADOS.

(16/04/1989). Solicitante/s: FUNDACION GENERAL DE LA UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID C.I.F. : G-28826055. Inventor/es: LOPEZ ARAUJO, GERARDO.

CELULA SOLAR, PREFERENTEMENTE DE ARSENIURO DE QALIO, CONSTITUIDA POR UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR SOBRE EL QUE SE CRECEN LAS CAPAS DEL DISPOSITIVO ACTIVO, EL CUAL ESTA FUNDAMENTALMENTE COMPUESTO POR UNA CAPA DE EMISOR Y UNA CAPA DE BASE.LA CELULA DE LA INVENCION SE CARACTERIZA PORQUE EL CONTACTO ELECTRICO DEL EMISOR SE REALIZA SOBRE LA CARA POSTERIOR DEL SUSTRATO EL CUAL SE CONECTA ELECTRICAMENTE CON EL EMISOR MEDIANTE CANALES DE CONDUCCION A BASE DEL MISMO MATERIAL Y TIPO DE CONDUCTIVIDAD QUE LAS REGIONES QUE CONECTAN ENTRE SI DICHOS CANALES. LOS CANALES ATRAVIESAN LA REGION BASE. EL CONTACTO ELECTRICO DE BASE SE REALIZA FRONTALMENTE, CUBRIENDO SOLAMENTE UNA FRACCION MUY PEQUEÑA DE LA SUPERFICIE FRONTAL DE LA CELULA.

(16/03/1989). Solicitante/s: FUNDACION GENERAL DE LA UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID. Inventor/es: CUEVAS FERNANDEZ, ANDRES.

PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE CELULAS SOLARES DE SILICIO CRISTALINO, ILUMINABLES POR UNA O POR AMBAS CARAS BASADO EN LA DIFUSION A ALTA TEMPERATURA DE FOSFORO EN UNA CARA DEL SUSTRATO Y DE ALUMINIO EN LA OTRA CARA. LOS DIVERSOS PARAMETROS DEL PROCESO DAN LUGAR A REGIONES N+ Y P+, IMPURIFICADAS CON FOSFORO Y CON ALUMINIO, RESPECTIVAMENTE, DE MAYOR PROFUNDIDAD Y CON UNA CONCENTRACION MENOR DE DICHAS IMPUREZAS, QUE EN LOS PROCESOS CONVENCIONALES.EL PROCEDIMIENTO COMPRENDE LAS ETAPAS DE A) REALIZAR UNA PREDEPOSICION DE FOSFORO SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO; B) PRODUCIR UNA OXIDACION PASIVADORA DE DICHAS SUPERFICIES; C) DEPOSITAR UNA CAPA DE ALUMINIO EN LA CARA POSTERIOR DEL SUSTRATO; Y D) PROVOCAR LA DIFUSION SIMULTANEA A ALTA TEMPERATURA DEL FOSFORO Y DEL ALUMINIO.

(16/10/1987). Solicitante/s: SOHIO COMMERCIAL DEVELOPMENT COMPANY, BP PHOTOVOLTAICS LIMITED.

METODO PARA LA PREPARACION DE UNA CELDA FOTOVOLTAICA GENERADORA DE CORRIENTE ELECTRICA. COMPRENDE LAS OPERACIONES DE SUMERGIR EL SUSTRATO EN UN BAÑO ELECTROLITICO QUE INCLUYE UNA ELEVADA DISOLUCION ACIDA QUE TENGA POR LO MENOS UNA CAPA SUPERFICIAL DE TELURIO; DE APLICAR UN VOLTAJE DE GALVANIZADO ENTRE EL ANODO Y EL SUSTRATO QUE FORMA EL CATODO, SIENDO EL VOLTAJE NEGATIVO ENTRE EL CATODO Y EL ELECTRODO DE REFERENCIA STANDARD; Y DE CONTINUAR EL PROCESO DE GALVANIZADO HASTA QUE SE DEPOSITE UNA CAPA DELGADA DE TELURURO DE CADMIO POLICRISTALINA, DE CONDUCTIVIDAD DEL TIPO P. LA CAPA DE TELURURO DE CADMIO DE TIPO P SE SUMERGE EN UN BAÑO ELECTROLITICO QUE INCLUYE UNA ELEVADA DISOLUCION ACIDA DE SULFATO DE CADMIO Y SULFATO SODICO Y SE ELECTROGALVANIZA UNA CAPA DELGADA DE TELURIO DE TIPO P EN DICHA CAPA DE TELURURO DE CADMIO DE TIPO P.

(16/10/1987). Solicitante/s: SOHIO COMMERCIAL DEVELOPMENT COMPANY, BP PHOTOVOLTAICS LIMITED.

METODO PARA LA PREPARACION DE UNA CELDA FOTOVOLTAICA GENERADORA DE CORRIENTE ELECTRICA. COMPRENDE LAS OPERACIONES DE SUMERGIR UN SUSTRATO METALICO EN UN BAÑO ELECTROLITICO QUE INCLUYE SULFATO DE CADMIO, EL CUAL SIRVE COMO CATODO; DE PROPORCIONAR UN ANODO EN EL BAÑO QUE TENGA POR LO MENOS UN REVESTIMIENTO EXTERIOR DE TELURIO; DE MANTENER EL BAÑO ELECTROLITICO A UN PH ACIDO; Y DE APLICAR UN VOLTAJE NEGATIVO ENTRE EL CATODO Y EL ELECTRODO DE REFERENCIA STANDARD. EL VOLTAJE CON RELACION AL PH SE SELECCIONA DE TAL FORMA QUE EL TELURURO DE CADMIO DEPOSITADO CONTENGA UNA PROPORCION PREDETERMINADA DE CADMIO A TELURIO, PARA OBTENER UNA CAPA DEL TIPO DE CONDUCTIVIDAD PREDETERMINADA, CONTINUANDOSE LA DEPOSICION HASTA QUE SE DEPOSITE UNA CAPA DE TELURURO DE CADMIO POLICRISTALINA DE ESPESOR PREDETERMINADO. DE APLICACION EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS DE BARRERA SCHOTTKY.

(01/07/1987). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR INVESTIGACIONES CIENTIFICAS.

PROCEDIMIENTO PARA OBTENER CELULAS SOLARES DE SILICO POLICRISTALINO EPITAXIADO. COMPRENDE: A) LIMPIAR Y ELIMINAR EN UN SUSTRATO DE SILICIO POLICRISTALINO, LA SUPERFICIE DAÑADA POR EL CORTE MEDIANTE DECAPADO CON SOLUCION AL 30 POR CIENTO DE HIDROXIDO SODICO A 115GC; DEPOSICION DE UNA CAPA ACTIVA DE SILICIO EPITAXIADO DE 20 MUM DE ESPESOR MEDIANTE TECNICA LPCVD; D) DOPAGE DURANTE CRECIMIENTO DE LAS 20 MUM DE SILICIO EPITAXIADO, UTILIZANDO COMO DOPANTE B2H6; E) DOPADO DEL SUSTRATO CON LA CAPA EPITAXIAL PARA FORMAR UNION N + /P, A 870GC CON POCL3 COMO FUENTE DOPANTE; F) ATACAR AL OXIDO POSTERIOR CON ACIDO FLUORHIDRICO Y FORMAR EL CONTACTO DE ALUMINIO/PLATA/PLOMO SERIGRAFIADA; G) ATACAR OXIDO ANTERIOR EN LA ZONA DE CONTACTOS CON ACIDO FLUORHIDRICO Y DEPOSITAR DO CAPAS SUCESIVAS DE ORO-NIQUEL POR ELECTROLESS; H) DEPOSITAR UNA CAPA DE ESTAÑO/PLOMO SOBRE CONTACTOS DE NIQUEL Y FORMACION DE CONTACTO ALUMICO.

(16/03/1987). Solicitante/s: SOHIO COMMERCIAL DEVELOPMENT COMPANY, BP PHOTOVOLTAICS LIMITED.

METODO PARA LA PREPARACION DE UNA CELDA FOTOVOLTAICA PARA GENERAR CORRIENTE ELECTRICA A PARTIR DE RADIACIONES LUMINOSAS, EN PARTICULAR A PARTIR DE RADIACIONES SOLARES. COMPRENDE LAS SIGUIENTES OPERACIONES: PRIMERA, EN UNA FASE INICIAL SE FORMA UN COMPUESTO SEMICONDUCTOR CON UN TIPO DE CONDUCTIVIDAD SELECCIONADA MEDIANTE DEPOSICION DE UNA CONCENTRACION INCREMENTADA DEL CORRESPONDIENTE ELEMENTO METALICO O NO METALICO, DEPENDIENDO DEL TIPO DE CONDUCTIVIDAD SELECCIONADA; SEGUNDA, EN UNA SEGUNDA FASE DE DEPOSICION ELECTROQUIMICA SOBRE UN ELECTRODO, SE REVISTE EL COMPUESTO SEMICONDUCTOR DE UN BAÑO ELECTROLITICO QUE INCLUYE LOS COMPONENTES DE DICHO COMPUESTO SEMICONDUCTOR.