TRANSDUCTOR FOTOELECTRICO DE SILICIO POLICRISTALINO Y PROCESO PARA SU PRODUCCION.
ESTA INVENCION SE REFIERE A UNA CELULA SOLAR DE SILICIO POLICRISTALINO NO CARA QUE TIENE UNA CAPA SEMICONDUCTORA POLICRISTALINA DE GRAN DIMENSION DE GRANO CULTIVADA SOBRE UN SUSTRATO DE SILICIO DE NIVEL DE METAL DE BAJO COSTE,
Y UN PROCESO PARA SU PRODUCCION. LA CELULA SOLAR DE SILICIO POLICRISTALINO COMPRENDE UN SUSTRATO DE SILICIO DE NIVEL DE METAL 101, UNA CAPA DE OXIDO DE METAL 102 FORMADA SOBRE ESTA Y UNA CAPA DE SILICIO POLICRISTALINO 105 FORMADO SOBRE LA CAPA DE OXIDO DE METAL. EL PROCESO PARA PRODUCIR LA CELULA SOLAR DE SILICIO POLICRISTALINO COMPRENDE LOS PASOS DE I) DEPOSICION DE CAPA DE OXIDO DE METAL 102 SOBRE UN SUSTRATO DE SILICOI DE NIVEL DE METAL 101, II) DEPOSICION D UNA CAPA DE SILICIO 103 SOBRE LA SUPERFICIE DE LA CAPA DE OXIDO DE METAL, III) DEPOSICION DE UNA CAPA DE TAPA 104 SOBRE LA SUPERFICIE DE LA CAPA DE SILICIO Y FUSION DE LA CAPA DE SILICIO CALENTADO DESDE LA PARTE DE LA CAPA DE TAPA, SEGUIDA DE LA SOLIDIFICACION PARA FORMAR UNA CAPA DE SILICIO POLICRISTALINO, Y IV) ELIMINACION DE LA CAPA DE TAPA Y FORMACION DE UNA UNION SEMICONDUCTORA SOBRE LA SUPERFICIE DE LA CAPA DE SILICIO POLICRISTALINO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: CANON KABUSHIKI KAISHA.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 30-2, 3-CHOME, SHIMOMARUKO, OHTA-KU,TOKYO.
Inventor/es: NISHIDA, SHOJI.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 22 de Julio de 1998.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/072 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › siendo las barreras de potencial únicamente del tipo heterounión PN.
- H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
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