CAPAS SEMICONDUCTORAS DOPADAS CON TIERRA RARA SUPERSATURADA POR DVQ.

SE DESCUBRE UN PROCESO DVQ PARA PRODUCIR UNA CAPA SEMICONDUCTORA EPITAXIAL,

DOPADA CON TIERRA RARA, SOBRE UN SUSTRATO. EL EQUIPO ES UN REACTOR DE DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO EN VACIO ULTRA ALTO (DVQVUA) DE 7,6 CM DE DIAMETRO, EN DONDE EL BOMBEO Y LA CARGA DE LA PASTILLA SON HECHOS EN EL MISMO EXTREMO DEL REACTOR. ESTA MODIFICACION PERMITE LA INSTALACION DE UN DEPOSITO (1) DE PRECURSOR CALENTADO SOBRE EL EXTREMO OPUESTO DEL REACTOR. EL DEPOSITO ESTA CONECTADO AL FLANCO DEL EXTREMO DEL REACTOR USANDO UN TUBO (12) DE ACERO INOXIDABLE DE DIAMETRO CORTO. EL REACTOR ES CALENTADO POR CALENTADORES (4) RESISTIVOS EXTERNOS. EL REACTOR ES BOMBEADO ANTES Y DURANTE LA DEPOSICION POR UNA BOMBA (8) TURBOMOLECULAR DE 150 L/SEG RESPALDADA POR UNA BOMBA (9) DE ACEITE DE DOS ETAPAS. LA CAMARA DE INMOVILIZACION DE CARGA ES TAMBIEN BOMBEADA POR UNA BOMBA (10) TURBOMOLECULAR PARA PREVENIR LA CONTAMINACION DE LA BOMBA DE ACEITE. EL PROCESO UTILIZA SILANO O GERMANIO Y UN COMPUESTO DE TIERRA RARA EN LA FASE DE GAS. POR ESTE METODO DE FASE UNICA SE PRODUCEN CAPAS SEMICONDUCTORAS DOPADAS CON TIERRA RARA, SUPERSATURADAS CON LA TIERRA RARA. LA TIERRA RARA PREFERIDA ES ERBIO Y LOS PRECURSORES PREFERIDOS PARA DEPOSITAR ERBIO POR DVQ SON ERBIO HEXAFLUOROACETILOACETONATO , ACETILOACETONATO, TETRAMETILOEPTANODIONATO Y FLUOROOCTANODIONATO. EL PROCESO PUEDE SER USADO PARA PRODUCIR DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS QUE COMPRENDEN UN SUSTRATO DE SILICIO Y UNA PELICULA DE SILICIO EPITAXIAL DOPADA CON ERBIO.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: OLD ORCHARD ROAD,ARMONK, N.Y. 10504.

Inventor/es: BEACH, DAVID BRUCE.

Fecha de Publicación: 16 de Julio de 1998.

Fecha Concesión Europea: 20 de Mayo de 1998.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L21/205 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico.
H01L31/0288 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › caracterizados por el material de dopado.
H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
H01L33/00 H01L […] › Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).

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