CIP-2021 › H › H01 › H01L › H01L 21/00[m] › Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/02 · Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas.
Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
- Los grupos H01L 21/70 tienen prioridad sobre los grupos H01L 21/02 - H01L 21/67 .
H01L 21/027 · · Fabricación de máscaras sobre cuerpos semiconductores para tratamiento fotolitográfico ulterior, no prevista en el grupo H01L 21/18 o H01L 21/34.
H01L 21/033 · · · incluyendo capas inorgánicas.
H01L 21/04 · · los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas.
H01L 21/06 · · · los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen selenio o teluro, en forma no combinada, no constituyendo impurezas para los cuerpos semiconductores de otros materiales.
H01L 21/08 · · · · Preparación de la placa de soporte.
H01L 21/10 · · · · Tratamiento preliminar del selenio o del teluro, aplicación sobre la placa de soporte, o tratamiento subsiguiente del conjunto.
H01L 21/103 · · · · · Conversión del selenio o del teluro al estado conductor.
H01L 21/105 · · · · · Tratamiento de la superficie de la capa de selenio o de teluro después de la conversión al estado conductor.
H01L 21/108 · · · · · Producción de capas aislantes discretas, es decir, barreras de superficie no activas.
H01L 21/12 · · · · Aplicación de un electrodo a la superficie libre del selenio o del teluro, después de la aplicación del selenio o del teluro a la placa de soporte.
H01L 21/14 · · · · Tratamiento del dispositivo completo, p. ej. por electromoldeo para formar una barrera.
H01L 21/145 · · · · · Envejecimiento.
H01L 21/16 · · · los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen óxido cuproso o ioduro cuproso.
H01L 21/18 · · · los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del Grupo IV de la Tabla Periódica, o de compuestos A III B V con o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado.
Notas[n] de H01L 21/18:
- El presente grupo cubre igualmente los procedimientos y los aparatos que, utilizando la tecnología apropiada, están claramente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos cuyos cuerpos comprenden elementos del Grupo IV del Sistema Periódico o compuestos A III B V incluso si el material utilizado no está explícitamente especificado
H01L 21/20 · · · · Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.
H01L 21/203 · · · · · utilizando un depósito físico, p. ej. depósito en vacío, pulverización.
H01L 21/205 · · · · · utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico.
H01L 21/208 · · · · · utilizando un depósito líquido.
H01L 21/22 · · · · Difusión de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, en el interior o fuera del cuerpo semiconductor, o entre las regiones semiconductoras; Redistribución de las impurezas, p. ej. sin introducción o sin eliminación de dopante suplementario.
H01L 21/223 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido a partir de o en una fase gaseosa.
H01L 21/225 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido a partir de o en una fase sólida, p. ej. una capa de óxido dopada.
H01L 21/228 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase líquida, p. ej. procesos de difusión de aleación.
H01L 21/24 · · · · Formación de aleaciones de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, con un cuerpo semiconductor.
H01L 21/26 · · · · Bombardeo con radiación ondulatoria o de partículas.
H01L 21/261 · · · · · para producir una reacción nuclear que transmute elementos químicos.
H01L 21/263 · · · · · con radiaciones de alta energía (H01L 21/261 tiene prioridad).
H01L 21/265 · · · · · · produciendo una implantación de iones.
H01L 21/266 · · · · · · · utilizando máscaras.
H01L 21/268 · · · · · · utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser.
H01L 21/28 · · · · Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20 - H01L 21/268.
H01L 21/283 · · · · · Depósito de materiales conductores o aislantes para los electrodos.
H01L 21/285 · · · · · · a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.
H01L 21/288 · · · · · · a partir de un líquido, p. ej. depósito electrolítico.
H01L 21/30 · · · · Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20 - H01L 21/26 (fabricación de electrodos sobre estos cuerpos H01L 21/28).
H01L 21/301 · · · · · para subdividir un cuerpo semiconductor en partes separadas, p. ej. realizando particiones (corte H01L 21/304).
H01L 21/302 · · · · · para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado.
H01L 21/304 · · · · · · Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, pulido, corte.
H01L 21/306 · · · · · · Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica (para formar capas aislantes H01L 21/31; postratamiento de capas aislantes H01L 21/3105).
H01L 21/3063 · · · · · · · Grabado electrolítico.
H01L 21/3065 · · · · · · · Grabado por plasma; Grabado mediante iones reactivos.
H01L 21/308 · · · · · · · utilizando máscaras (H01L 21/3063, H01L 21/3065, tienen prioridad).
H01L 21/31 · · · · · para formar capas aislantes en superficie, p. ej. para enmascarar o utilizando técnicas fotolitográficas (capas de encapsulamiento H01L 21/56 ); Postratamiento de estas capas; Selección de materiales para estas capas.
H01L 21/3105 · · · · · · Postratamiento.
H01L 21/311 · · · · · · · Grabado de las capas aislantes.
H01L 21/3115 · · · · · · · Dopado de las capas aislantes.
H01L 21/312 · · · · · · Capas orgánicas, p. ej. capa fotosensible (H01L 21/3105, H01L 21/32 tienen prioridad).
H01L 21/314 · · · · · · Capas inorgánicas (H01L 21/3105, H01L 21/32 tienen prioridad).
H01L 21/316 · · · · · · · compuestas de óxidos o de óxidos vítreos o de vidrios a base de óxido.
H01L 21/318 · · · · · · · compuestas de nitruros.
H01L 21/32 · · · · · · utilizando máscaras.
H01L 21/3205 · · · · · · Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras o resistivas, sobre capas aislantes; Postratamiento de esas capas (fabricación de electrodos H01L 21/28).
H01L 21/321 · · · · · · · Postratamiento.
H01L 21/3213 · · · · · · · · Grabado físico o químico de las capas, p. ej. para producir una capa con una configuración determinada a partir de una capa extendida predepositada.
H01L 21/3215 · · · · · · · · Dopado de las capas.
H01L 21/322 · · · · · para modificar sus propiedades internas, p. ej. para producir defectos internos.
H01L 21/324 · · · · · Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/20 - H01L 21/288, H01L 21/302 - H01L 21/322 tienen preferencia).
H01L 21/326 · · · · · Aplicación de corrientes o de campos eléctricos, p. ej. para electromoldeo (H01L 21/20 - H01L 21/288, H01L 21/302 - H01L 21/324 tienen prioridad).
H01L 21/328 · · · · Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo bipolar, p. ej. diodos, transistores, tiristores.
H01L 21/329 · · · · · teniendo los dispositivos uno o dos electrodos, p. ej. diodos.
H01L 21/33 · · · · · teniendo los dispositivos tres o más electrodos.
H01L 21/331 · · · · · · Transistores.
H01L 21/332 · · · · · · Tiristores.
H01L 21/334 · · · · Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo unipolar.
H01L 21/335 · · · · · Transistores de efecto de campo.
H01L 21/336 · · · · · · con puerta aislada.
H01L 21/337 · · · · · · con unión PN.
H01L 21/338 · · · · · · con puerta Schottky.
H01L 21/339 · · · · · Dispositivos de transferencia de carga.
H01L 21/34 · · · los dispositivos tienen cuerpos semiconductores no cubiertos por los grupos H01L 21/06, H01L 21/16, y H01L 21/18 con o sin impurezas, p. ej. material de dopado.
H01L 21/36 · · · · Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.
H01L 21/363 · · · · · utilizando un depósito físico, p. ej. depósito bajo vacío, pulverización.
H01L 21/365 · · · · · utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso que dan un condensado sólido, es decir, un depósito químico.
H01L 21/368 · · · · · utilizando un depósito líquido.
H01L 21/38 · · · · Difusión de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, en o fuera del cuerpo semiconductor, o entre las regiones semiconductoras.
H01L 21/383 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase gaseosa.
H01L 21/385 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase sólida, p. ej. una capa de óxido dopada.
H01L 21/388 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase líquida, p. ej. procesos de difusión de aleación.
H01L 21/40 · · · · Formación de aleaciones de impurezas, p. ej. de los materiales de dopado, de los materiales para electrodos, con un cuerpo semiconductor.
H01L 21/42 · · · · Bombardeo por radiaciones.
H01L 21/423 · · · · · por radiaciones de energía elevada.
H01L 21/425 · · · · · · que producen una implantación de iones.
H01L 21/426 · · · · · · · utilizando máscaras.
H01L 21/428 · · · · · · utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser.
H01L 21/44 · · · · Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/36 - H01L 21/428.
H01L 21/441 · · · · · Depósito de materiales conductores o aislantes para los electrodos.
H01L 21/443 · · · · · · a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.
H01L 21/445 · · · · · · a partir de un líquido, p. ej. depósito electrolítico.
H01L 21/447 · · · · · que implican la aplicación de una presión, p. ej. soldadura por termocompresión (H01L 21/607 tiene prioridad).
H01L 21/449 · · · · · que implican la aplicación de vibraciones mecánicas, p. ej. vibraciones ultrasónicas.
H01L 21/46 · · · · Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/36 - H01L 21/428 (fabricación de electrodos sobre estos cuerpos H01L 21/44).
H01L 21/461 · · · · · para cambiar las características físicas o la forma de su superficie, p. ej. grabado, pulido, recortado.
H01L 21/463 · · · · · · Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, tratamiento por ultrasonidos.
H01L 21/465 · · · · · · Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabado electrolítico (para formar capas aislantes H01L 21/469).
H01L 21/467 · · · · · · · utilizando máscaras.
H01L 21/469 · · · · · · para formar las capas aislantes sobre los cuerpos, p. ej. para enmascarar o que utilizan técnicas fotolitográficas (capas de encapsulación H01L 21/56 ); Postratamiento de esas capas.
H01L 21/47 · · · · · · · Capas orgánicas, p. ej. capa fotosensible (H01L 21/475, H01L 21/4757 tienen prioridad).
H01L 21/471 · · · · · · · Capas inorgánicas (H01L 21/475, H01L 21/4757 tienen prioridad).
H01L 21/473 · · · · · · · · compuestas de óxido, óxidos vítreos o de cristales a base de óxido.
H01L 21/475 · · · · · · · utilizando máscaras.
H01L 21/4757 · · · · · · · Postratamiento.
H01L 21/4763 · · · · · · Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras, resistivas sobre capas aislantes; Postratamiento de esas capas (fabricación de electrodos H01L 21/28).
H01L 21/477 · · · · · Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/36 - H01L 21/449, H01L 21/461 - H01L 21/475 tienen prioridad).
H01L 21/479 · · · · · Aplicación de corrientes o de campos eléctricos, p. ej. para electromoldeo (H01L 21/36 - H01L 21/449, H01L 21/461 - H01L 21/477 tienen prioridad).
H01L 21/48 · · · Fabricación o tratamiento de partes, p. ej. de contenedores, antes del ensamblado de los dispositivos, utilizando procedimientos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326.
H01L 21/50 · · · Ensamblaje de dispositivos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326.
H01L 21/52 · · · · Montaje de cuerpos semiconductores en los contenedores.
H01L 21/54 · · · · Rellenado de contenedores, p. ej. rellenado gaseoso.
H01L 21/56 · · · · Encapsulación, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos.
H01L 21/58 · · · · Montaje de los dispositivos semiconductores sobre los soportes.
H01L 21/60 · · · · Fijación de hilos de conexión o de otras piezas conductoras, para conducir la corriente hacia o desde el dispositivo durante su funcionamiento.
H01L 21/603 · · · · · implicando la aplicación de una presión, p. ej. soldadura por termocompresión (H01L 21/607 tiene prioridad).
H01L 21/607 · · · · · implicando la aplicación de vibraciones mecánicas, p. ej. vibraciones ultrasónicas.
H01L 21/62 · · los dispositivos no tienen barrera de potencial ni de superficie.
H01L 21/64 · Fabricación o tratamiento de dispositivos de estado sólido diferentes de los dispositivos de semiconductores, o de sus partes constitutivas, por métodos no concebidos especialmente para uno de los dispositivos cubiertos por los grupos H01L 31/00 - H01L 51/00.
H01L 21/66 · Ensayos o medidas durante la fabricación o tratamiento.
H01L 21/67 · Aparatos especialmente adaptados para el manejo de dispositivos semiconductores o eléctricos de estado sólido durante su fabricación o tratamiento; Aparatos especialmente adaptados para el manejo de obleas durante la fabricación o tratamiento de dispositivos o componentes semiconductores o eléctricos de estado sólido.
H01L 21/673 · · que utilizan portadores especialmente adaptados.
H01L 21/677 · · para el transporte, p. ej. entre diferentes estaciones de trabajo.
H01L 21/68 · · para el posicionado, orientación o alineación.
H01L 21/683 · · para sostener o sujetar (para el posicionado, orientación o alineación H01L 21/68).
H01L 21/687 · · · que utilizan medios mecánicos, p. ej. mandiles, abrazaderas o pinzas.
H01L 21/70 · Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos (fabricación de conjuntos de componentes eléctricos prefabricados H05K 3/00, H05K 13/00).
H01L 21/71 · · Fabricación de partes constitutivas específicas de dispositivos definidos en el grupo H01L 21/70 (H01L 21/28, H01L 21/44, H01L 21/48 tienen prioridad).
H01L 21/74 · · · Realización de regiones profundas de alta concentración de impurezas, p. ej. capas colectoras profundas, conexiones internas.
H01L 21/76 · · · Realización de regiones aislantes entre los componentes.
H01L 21/761 · · · · Uniones PN.
H01L 21/762 · · · · Regiones dieléctricas.
H01L 21/763 · · · · Regiones semiconductoras policristalinas.
H01L 21/764 · · · · Espacios de aire.
H01L 21/765 · · · · por efecto de campo.
H01L 21/768 · · · Fijación de interconexiones que sirvan para conducir la corriente entre componentes separados en el interior de un dispositivo.
H01L 21/77 · · Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común (memorias de solo lectura programables eléctricamente EPROM o sus procesos de fabricación multi-etapa H01L 27/115).
H01L 21/78 · · · con una división ulterior del sustrato en una pluralidad de componentes individuales (corte para cambiar las características físicas de superficie o la forma de los cuerpos semiconductores H01L 21/304).
H01L 21/782 · · · · para producir dispositivos que consisten cada uno en un solo elemento de circuito (H01L 21/82 tiene prioridad).
H01L 21/784 · · · · · siendo el sustrato un cuerpo semiconductor.
H01L 21/786 · · · · · siendo el substrato distinto de un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante.
H01L 21/82 · · · · para producir dispositivos, p. ej. circuitos integrados que consisten cada uno en una pluralidad de componentes.
H01L 21/822 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología de silicio (H01L 21/8258 tiene prioridad).
H01L 21/8222 · · · · · · Tecnología bipolar.
H01L 21/8224 · · · · · · · que comprende una combinación de transistores verticales y laterales.
H01L 21/8226 · · · · · · · que comprende una lógica de transistores fusionados o una lógica de inyección integrada.
H01L 21/8228 · · · · · · · Dispositivos complementarios, p. ej. transistores complementarios.
H01L 21/8229 · · · · · · · Estructuras de memorias.
H01L 21/8232 · · · · · · Tecnología de efecto de campo.
H01L 21/8234 · · · · · · · Tecnología MIS.
H01L 21/8236 · · · · · · · · Combinación de transistores de enriquecimiento y transistores de empobrecimiento.
H01L 21/8238 · · · · · · · · Transistores de efecto de campo complementarios, p. ej. CMOS.
H01L 21/8239 · · · · · · · · Estructuras de memorias.
H01L 21/8242 · · · · · · · · · Estructuras de memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM).
H01L 21/8244 · · · · · · · · · Estructuras de memorias estáticas de acceso aleatorio (SRAM).
H01L 21/8246 · · · · · · · · · Estructuras de memorias de solo lectura (ROM).
H01L 21/8248 · · · · · · Combinación de tecnología bipolar y tecnología de efecto de campo.
H01L 21/8249 · · · · · · · Tecnología bipolar y MOS.
H01L 21/8252 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología III-V (H01L 21/8258 tiene prioridad).
H01L 21/8254 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología II-IV (H01L 21/8258 tiene prioridad).
H01L 21/8256 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnologías no cubiertas por uno de los grupos H01L 21/822, H01L 21/8252 o H01L 21/8254 (H01L 21/8258 tiene prioridad).
H01L 21/8258 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando una combinación de tecnologías cubiertas por los grupos H01L 21/822, H01L 21/8252, H01L 21/8254 o H01L 21/8256.
H01L 21/84 · · · · · siendo el sustrato diferente a un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante.
H01L 21/86 · · · · · · siendo el cuerpo aislante de zafiro, p. ej. silicio sobre una estructura de zafiro, es decir, S.O.S..
H01L 21/98 · · Ensamblaje de dispositivos que consisten en componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común; Ensamblaje de dispositivos de circuito integrado (H01L 21/50 tiene prioridad).
(01/05/1959). Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..
Mejoras introducidas en los elementos de circuito que comprenden un cuerpo en el cual una zona que consiste de un semiconductor es adyacente a una zona que consiste de un electreto, estando provistos medios usualmente contactos sobre el cuerpo para aplicar una diferencia de potencial eléctrico a la juntura entre el electro y el semiconductor.