CIP-2021 : G11C 11/00 : Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares;

Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad).

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G11C 11/02 · que utilizan elementos magnéticos.

Notas[n] desde G11C 11/02 hasta G11C 11/54:

G11C 11/04 · · que utilizan elementos de almacenamiento de forma cilíndrica, p. ej. barra, hilo (G11C 11/12, G11C 11/14 tienen prioridad).

G11C 11/06 · · que utilizan elementos de almacenamiento de simple abertura, p. ej. núcleo anular; que utilizan placas de varias aberturas en las que cada abertura constituye un elemento de almacenamiento.

G11C 11/061 · · · que utilizan elementos de una sola abertura o de bucle magnético único, a razón de un elemento por bit, y para la lectura destructiva.

G11C 11/063 · · · · organizados por bit, p. ej. organización 2L/2D, 3D, es decir, para la selección de un elemento por medio de al menos dos corrientes parciales coincidentes, tanto para la lectura como la escritura.

G11C 11/065 · · · · organizados por palabras, p. ej. organización 2D o selección lineal, es decir, para la selección de todos los elementos de una palabra por medio de una corriente completa para la lectura.

G11C 11/067 · · · que utilizan elemento de una sola abertura o de bucle magnético único, a razón de un elemento por bit, y para la lectura no destructiva.

G11C 11/08 · · que utilizan elementos de almacenamiento de aberturas múltiples, p. ej. que utilizan un transfluxor; que utilizan placas que tienen varios elementos de almacenamiento individuales de aberturas múltiples (G11C 11/10 tiene prioridad).

G11C 11/10 · · que utilizan elementos de almacenamiento multi-axiales.

G11C 11/12 · · que utilizan tensores; que utilizan tuistors, es decir, elementos en los que un eje de magnetización es retorcido.

G11C 11/14 · · que utilizan elementos de películas finas.

G11C 11/15 · · · que utilizan capas magnéticas múltiples (G11C 11/155 tiene prioridad).

G11C 11/155 · · · con una configuración cilíndrica.

G11C 11/16 · · que utilizan elementos en los que el efecto de almacenamiento está basado en el efecto de spin magnético.

G11C 11/18 · que utilizan dispositivos de efecto Hall.

G11C 11/19 · que utilizan dispositivos reactivos no lineales en los circuitos resonantes.

G11C 11/20 · · que utilizan parametrones.

G11C 11/21 · que utilizan elementos eléctricos.

G11C 11/22 · · que utilizan elementos ferroeléctricos.

G11C 11/23 · · que utilizan almacenamiento electrostático sobre una capa común, p. ej. tubos de Forester-Haeff (G11C 11/22 tiene prioridad).

G11C 11/24 · · que utilizan condensadores (G11C 11/22 tiene prioridad; utilizando una combinación de dispositivos a semiconductores y de condensadores G11C 11/34, p. ej. G11C 11/40).

G11C 11/26 · · que utilizan tubos de descarga.

G11C 11/28 · · · que utilizan tubos de atmósfera gaseosa.

G11C 11/30 · · · que utilizan tubos de vacío (G11C 11/23 tiene prioridad).

G11C 11/34 · · que utilizan dispositivos de semiconductores.

G11C 11/35 · · · con almacenamiento de cargas en una región de empobrecimiento, p. ej. dispositivos acoplados por carga (CCD).

G11C 11/36 · · · que utilizan diodos, p. ej. utilizados como elementos de entrada.

G11C 11/38 · · · · que utilizan diodos túnel.

G11C 11/39 · · · utilizando tiristores.

G11C 11/40 · · · que utilizan transistores.

G11C 11/401 · · · · formando celdas que necesiten un refresco o una regeneración de la carga, es decir celdas dinámicas.

G11C 11/402 · · · · · con regeneración de la carga individual de cada celda de memoria, es decir refresco interno.

G11C 11/403 · · · · · con regeneración de la carga común a varias celdas de memoria, es decir refresco externo.

G11C 11/404 · · · · · · con una puerta de transferencia de carga, p. ej. un transistor MOS, por celda.

G11C 11/405 · · · · · · con tres puertas de transferencia de carga, p. ej. transistores MOS, por celda.

G11C 11/406 · · · · · Organización o control de los ciclos de de refresco o de regeneración de la carga.

G11C 11/4063 · · · · · Circuitos auxiliares, p. ej. para el direccionamiento, la descodificación, el accionamiento, la escritura, la lectura o la sincronización.

G11C 11/4067 · · · · · · para las celdas de memoria de tipo bipolar.

G11C 11/407 · · · · · · para celdas de memoria del tipo efecto de campo.

G11C 11/4072 · · · · · · · Circuitos para la inicialización, para la puesta en o fuera de tensión, para el borrado de la memoria o para el preajuste.

G11C 11/4074 · · · · · · · Circuitos de alimentación o de generación de tensión, p. ej. generadores de tensión de polarización, generadores de tensión de substrato, alimentación de seguridad, circuitos de control de alimentación.

G11C 11/4076 · · · · · · · Circuitos de sincronización (para la gestión de la regeneración G11C 11/406).

G11C 11/4078 · · · · · · · Circuitos de seguridad o de protección, p. ej. para impedir la lectura o la escritura inadvertidas o no autorizadas; Celdas de estado; Celdas de prueba (protección de los contenidos de la memoria durante la comprobación o ensayo G11C 29/52).

G11C 11/408 · · · · · · · Circuitos de direccionamiento.

G11C 11/409 · · · · · · · Circuitos de lectura-escritura [R-W].

G11C 11/4091 · · · · · · · · Amplificadores de lectura o de lectura/refresco, o circuitos de lectura asociados, p. ej. para la precarga, la compensación o el aislamiento de las líneas de bits acoplados.

G11C 11/4093 · · · · · · · · Disposiciones de interfaz de entrada/salida [I/O] de datos, p. ej. memorias intermedias de datos.

G11C 11/4094 · · · · · · · · Circuitos de control o de gestión de líneas de bits.

G11C 11/4096 · · · · · · · · Circuitos de control o de gestión de entrada/salida [I/O] de datos, p. ej.circuitos para la lectura o la escritura, circuitos de activación de entrada/salida, conmutadores de líneas de bits.

G11C 11/4097 · · · · · · · · Organización de líneas de bits, p. ej. configuración de líneas de bits, líneas de bits dobladas.

G11C 11/4099 · · · · · · · · Procesamiento de celdas ficticias; Generadores de tensión de referencia.

G11C 11/41 · · · · formando celdas con realimentación positiva, es decir, celdas que no necesitan refresco o regeneración de la carga, p. ej. multivibrador biestable, disparador de Schmitt.

G11C 11/411 · · · · · utilizando únicamente transistores bipolares.

G11C 11/412 · · · · · utilizando únicamente transistores de efecto de campo.

G11C 11/413 · · · · · Circuitos auxiliares, p. ej. para el direccionamiento, la decodificación, el control, la escritura, la lectura, la sincronización o la reducción del consumo.

G11C 11/414 · · · · · · para celdas de memoria de tipo bipolar.

G11C 11/415 · · · · · · · Circuitos de direccionamiento.

G11C 11/416 · · · · · · · Circuitos de lectura-escritura [R-W].

G11C 11/417 · · · · · · para celdas de memoria del tipo de efecto de campo.

G11C 11/418 · · · · · · · Circuitos de direccionamiento.

G11C 11/419 · · · · · · · Circuitos de lectura-escritura [R-W].

G11C 11/4193 · · · Circuitos auxiliares específicos para tipos particulares de dispositivos semiconductores de almacenamiento, p. ej. para el direccionamiento, el accionamiento, la lectura, la sincronización, la alimentación, la propagación de señal (G11C 11/4063, G11C 11/413 tienen prioridad).

G11C 11/4195 · · · · Circuitos de direccionamiento.

G11C 11/4197 · · · · Circuitos de lectura-escritura [R-W].

G11C 11/42 · · utilizando dispositivos optoelectrónicos, es decir, dispositivos emisores de luz y dispositivos fotoeléctricos acoplados eléctricamente u ópticamente.

G11C 11/44 · · que utilizan elementos supraconductores, p. ej. criotrones.

G11C 11/46 · que utilizan elementos termoplásticos.

G11C 11/48 · que utilizan elementos de acoplamiento desplazable, p. ej. núcleos ferromagnéticos, para producir un cambio entre diferentes estados de inducción mutua o de autoinducción.

G11C 11/50 · que utilizan el accionamiento de contactos eléctricos para almacenar la información.

G11C 11/52 · · que utilizan relés electromagnéticos.

G11C 11/54 · que utilizan elementos simuladores de células biológicas, p. ej. neurona.

G11C 11/56 · utilizando elementos de almacenamiento que tienen más de dos estados estables representados por escalones, p. ej. de tensión, de corriente, de fase, de frecuencia.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Métodos y sistemas para detectar y corregir errores en una memoria no volátil.

(30/01/2019) Un sistema de memoria, que comprende: una matriz de memoria no volátil resistiva configurada para almacenar datos, bits de anticipación y bits de código de corrección de errores (ECC) correspondientes a los datos almacenados y a los bits de anticipación almacenados, en la que los bits de anticipación indican la calidad de los bits de datos almacenados en la matriz de memoria no volátil, y un número total de bits de anticipación es menor que un número total de los bits de datos, caracterizado por que un controlador de memoria está configurado para: realizar una operación de lectura en los bits de anticipación y en los bits de ECC para detectar errores de bit de…

Dispositivo de memoria híbrida con una única interfaz.

(23/01/2019) Un procedimiento que comprende: recibir, en un controlador , órdenes, direcciones y datos en un dispositivo de memoria mediante una interfaz definida asociada con el dispositivo de memoria, comprendiendo el dispositivo de memoria un primer tipo de memoria y un segundo tipo de memoria, correspondiéndose la interfaz definida con el primer tipo de memoria , de forma que el dispositivo de memoria opere con el protocolo de acceso del primer tipo de memoria tanto para el primer tipo de memoria como para el segundo tipo de memoria ; y determinar en el controlador si la información recibida en el dispositivo de memoria se corresponde con el segundo tipo de memoria asociado con el dispositivo de memoria, y si es así, producir señales al segundo tipo de memoria…

Métodos y sistemas para gestión de datos de memoria no volátil.

(09/01/2019) Un sistema, que comprende: una primera matriz de memoria no volátil resistiva ; una segunda matriz de memoria no volátil basada en transistores ; y un controlador de memoria configurado para: leer bits de datos almacenados en la primera matriz de memoria no volátil resistiva ; escribir los bits de datos leídos de la primera matriz de memoria no volátil resistiva y un bit indicador en la segunda matriz de memoria no volátil basada en transistores , indicando el bit indicador si bits de datos almacenados en la segunda matriz de memoria no volátil basada en transistores son válidos; determinar si el bit indicador es válido en respuesta a un encendido del sistema después de un evento de alta temperatura,…

NANOCAPSULAS QUE CONTIENEN PARTICULAS CARGADAS, SUS USOS Y PROCEDIMIENTOS DE PREPARACION DE LAS MISMAS.

(01/02/2007). Ver ilustración. Solicitante/s: BOARD OF TRUSTEES OPERATING MICHIGAN STATE UNIVERSITY. Inventor/es: TOMANEK, DAVID, ENBODY, RICHARD, YOUNG-KYUN, KWON, BREHOB, MARK, W.

Un nanomecanismo para su uso en un elemento de memoria a nanoescala que comprende: a) un primer elemento en forma nanoconjunto que tiene una cavidad ; b) un segundo elemento en forma de al menos una nanoestructura dispuesta dentro de la cavidad; en el que el al menos uno de los primero y segundo elementos es móvil respecto del otro de dichos primero y segundo elementos para lograr una conmutación entre estados, y caracterizado porque dicho nanoconjunto incluye segmentos conductores y no conductores (28A).

DISPOSITIVO PERSONAL DE ALMACENAJE DE INFORMACION CLINICA.

(16/07/2005) 1. Dispositivo personal de almacenaje de información clínica, que teniendo como finalidad almacenar en el mismo el historial clínico del usuario del dispositivo, con directo acceso al mismo en cualquier momento, se caracteriza porque se materializa en cualquier objeto ornamental de uso personal, como por ejemplo un reloj, un brazalete, un collar o similar, provisto de un alojamiento en el que se establece un chip de memoria asistido por un puerto de conexión, tal como un conector USB, de infrarrojos, de lectura láser o de cualquier otro tipo, que permite la extracción del historial clínico almacenado en el chip de memoria y su traslado a un ordenador, para su visualización a través de la pantalla del mismo. 2. Dispositivo personal de almacenaje de información clínica, según…

SISTEMA PARA ASISTIR A UN USUARIO EN UN AUTOTRATAMIENTO MEDICO, EL CUAL COMPRENDE UNA PLURALIDAD DE ACCIONES.

(01/03/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: NOVO NORDISK A/S. Inventor/es: AASMUL, SOREN, POULSEN, JENS, ULRIK, CHRISTENSEN, LARS, HOFMANN.

Sistema informático que tiene unos medios para ejecutar un programa, en el que, cuando el programa es ejecutado, hace que el ordenador ejecute un método que comprende las fases siguientes: recopilación, en una base de datos individual del usuario, de los datos que representan valores de un grupo de parámetros relacionados con la condición fisiológica del usuario, caracterizado por las fases siguientes: estimación de uno o más valores futuros para un parámetro específico del grupo de parámetros, basándose en la información de la base de datos individual del usuario, y cálculo automático de una pluralidad de opciones basándose en uno o más de los valores futuros estimados y en los datos de la base de datos individual del usuario, para proporcionar dos o más opciones y al menos un valor relacionado para cada opción, cada opción y valor relacionado llevando un valor del parámetro específico dentro de una gama de valores aceptables en un momento futuro dado en el tiempo.

CHIP DE MEMORIA DE SEMICONDUCTORES.

(16/11/2003). Ver ilustración. Solicitante/s: GIESECKE & DEVRIENT GMBH. Inventor/es: GRASSL, THOMAS.

Módulo de chips de memoria de semiconductores, que tiene un primer chip de memoria de un primer tipo, un segundo chip de memoria de un segundo tipo, y una conexión eléctrica entre el primer y segundo chips de memoria , caracterizado porque los chips de memoria están dispuestos uno encima de otro en diferentes niveles y están conectados mediante interconexiones de chips verticales.

UNA UNIDAD DE MEMORIA SEMICONDUCTORA NO VOLATIL, DE APLICACION A CIRCUITOS ELECTRONICOS.

(16/11/1986). Solicitante/s: HUGHES AIRCRAFT COMPANY.

UNIDAD DE MEMORIA SEMICONDUCTORA NO VOLATIL. SE TRATA DE UN CIRCUITO DE RETENCION BIESTABLE, QUE PUEDE PROGRAMARSE ELECTRICAMENTE PARA SER ESTABLE EN UNO DE SUS DOS ESTADOS PARA EL CASO DE QUE SE APLIQUE POTENCIA AL CIRCUITO. EL ESTADO SELECCIONADO PUEDE PROGRAMARSE, ESCOGIENDOSE CUALQUIERA DE LOS DOS PERMITIDOS DE FORMA INDISTINTA, NO CONSUMIENDOSE CORRIENTE CONTINUA DURANTE LA PROGRAMACION O LA LECTURA. EN EL MODO DE LECTURA, LOS POTENCIALES EN LOS NODOS DE CIRCUITO SON TALES QUE SE CONSIGNAN TIEMPOS LARGOS DE RETENCION DE DATOS. LA UNIDAD COMPRENDE DISPOSITIVOS DE TECNOLOGIA MOSFET. DE APLICACION A CIRCUITOS ELECTRONICOS CON REQUERIMIENTOS DE MEMORIA NO VOLATIL.

UN SISTEMA DE MEMORIA DE TRANSFERENCIA DE CARGA.

(01/08/1980). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.

Un sistema de memoria de transferencia de carga que comprende un substrato semiconductor de conductividad de tipo P, al menos dos regiones de difusión de conductividad de tipo N+, dispuestas dentro de dicho substrato que están conectadas a una fuente de polarización, una pluralidad de líneas de palabra paralelas a dichas regiones de difusión que están conectadas a excitadores de palabra, una pluralidad de celdas de memoria capacitiva adyacentes acopladas a dicho substrato que tienen una de dos tensiones de umbral diferentes y están dispuestas adyacentes a dichas regiones de difusión, estando formadas por secciones de dichas líneas de palabra y cargas bajo las mismas, una pluralidad de líneas de bitio-percepción perpendiculares a dichas líneas de palabra y que están conectadas a amplificadores de percepción.

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