Dispositivo de memoria híbrida con una única interfaz.

Un procedimiento que comprende:

recibir, en un controlador (208),

órdenes, direcciones y datos en un dispositivo (202) de memoria mediante una interfaz definida asociada con el dispositivo (202) de memoria, comprendiendo el dispositivo de memoria un primer tipo de memoria y un segundo tipo de memoria, correspondiéndose la interfaz definida con el primer tipo de memoria (204), de forma que el dispositivo (202) de memoria opere con el protocolo de acceso del primer tipo de memoria (204) tanto para el primer tipo de memoria (204) como para el segundo tipo de memoria (206); y

determinar en el controlador (208) si la información recibida en el dispositivo (202) de memoria se corresponde con el segundo tipo de memoria (206) asociado con el dispositivo (202) de memoria, y si es así, producir señales al segundo tipo de memoria (206) para comunicar al menos una orden al segundo tipo de memoria (206) y/o para realizar al menos una operación de entrada/salida (I/O) de datos en el segundo tipo de memoria (206), en el que el primer tipo de memoria comprende una memoria volátil (204), y el segundo tipo de memoria comprende una memoria no volátil (206),

caracterizado porque algunas de las direcciones del dispositivo (202) de memoria en un intervalo referenciable de direcciones se corresponden con el primer tipo de memoria (204), y ciertas direcciones del dispositivo (202) de memoria en el intervalo referenciable de direcciones están asociadas con el segundo tipo de memoria (206), en el que la determinación en el controlador (208) de si la información de órdenes y direcciones recibidas en el dispositivo (202) de memoria se corresponde con el segundo tipo de memoria (206) está basada en si las direcciones recibidas están asociadas con el segundo tipo de memoria (206).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2007/013127.

Solicitante: Microsoft Technology Licensing, LLC.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: ONE MICROSOFT WAY REDMOND, WA 98052 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: PANABAKER,RUSTON, CREASY,JACK.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G06F12/06 SECCION G — FISICA.G06 COMPUTO; CALCULO; CONTEO.G06F TRATAMIENTO DE DATOS DIGITALES ELECTRICOS (computadores en los que una parte del cálculo se efectúa hidráulica o neumáticamente G06D, ópticamente G06E; sistemas de computadores basados en modelos de cálculo específicos G06N). › G06F 12/00 Acceso, direccionamiento o asignación en sistemas o arquitecturas de memoria (registro de la información en general G11). › Direccionamiento de un bloque físico de posiciones, p. ej. por dirección de base, direccionamiento de módulos, extensión del espacio de dirección, especialización de memoria (G06F 12/08 tiene prioridad).
  • G11C11/00 G […] › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.G11C MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado en un movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B; dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/115; técnica del impulso en general H03K, p. ej. conmutadores electrónicos H03K 17/00). › Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad).
  • G11C7/10 G11C […] › G11C 7/00 Disposiciones para escribir una información o para leer una información en una memoria digital (G11C 5/00 tiene prioridad; circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193). › Disposiciones de interfaz para entrada/salida [I/O] de datos, p.ej. circuitos de control de entrada/salida [I/O] de datos, memorias intermedias de entrada/salida [I/O] de datos (circuitos de conversión de nivel en general H03K 19/0175).
  • G11C8/12 G11C […] › G11C 8/00 Disposiciones para seleccionar una dirección en una memoria digital (circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193). › Circuitos de selección de grupo, p.ej. para la selección de un bloque de memoria, la selección de un circuito integrado, la selección de una red de celdas.
  • H01L27/115 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › Memorias de solo lectura programables eléctricamente (EPROM).

PDF original: ES-2718463_T3.pdf

 

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