CIP-2021 : H01L 21/02 : Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/02 · Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN, MÉTODO DE OBTENCIÓN Y USO DEL MISMO.
(05/03/2020). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: ULLAN COMES,MIGUEL, QUIRION,David, HIDALGO VILLENA,Salvador, FLORES GUAL,David, COUSO FONTANILLO,Carlos.
En este documento se detallan tanto un dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), objeto de un primer aspecto de la invención, como el método para obtener el mismo, objeto de un segundo aspecto de la invención. El dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), presenta una serie de trincheras circulares concéntricas que se encuentran protegidas por una o varias trincheras de protección. Dichas trincheras de protección tiene forma rectangular con esquinas redondeadas y se desdoblan en trincheras de protección flotantes y trincheras de protección polarizadas, tal manera que una trinchera de protección polarizada es exterior a la última trinchera concéntrica mientras que una trinchera de protección flotante es exterior a dicha trinchera de protección polarizada.
Procedimiento para transferir una capa desde un sustrato monocristalino.
(04/03/2020). Solicitante/s: Soitec. Inventor/es: ECARNOT,LUDOVIC, DAVAL,NICOLAS, BEN MOHAMED,NADIA, BOEDT,FRANÇOIS, DAVID,CAROLE, GUERIN,ISABELLE.
Procedimiento para transferir una capa desde un sustrato monocristalino, denominado sustrato donador , sobre un sustrato receptor , que comprende:
- suministrar dicho sustrato donador monocristalino , presentando dicho sustrato una muesca orientada en una primera dirección del cristal y una zona de fragilidad que limita la capa que se va a transferir,
- unir el sustrato donador monocristalino sobre el sustrato receptor , estando la superficie principal del sustrato donador opuesta a la zona de fragilidad con respecto a la capa que se va a transferir en la interfaz de unión,
- separar el sustrato donador a lo largo de la zona de fragilidad ,
estando dicho procedimiento caracterizado por que el sustrato donador presenta, sobre la superficie principal unida al sustrato receptor , un conjunto de escalones atómicos que se extienden esencialmente en una segunda dirección del cristal diferente de dicha primera dirección.
PDF original: ES-2788148_T3.pdf
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN, MÉTODO DE OBTENCIÓN Y USO DEL MISMO.
(03/03/2020). Solicitante/s: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Inventor/es: ULLAN COMES,MIGUEL, QUIRION,David, HIDALGO VILLENA,Salvador, FLORES GUAL,David, COUSO FONTANILLO,Carlos.
Transistor de efecto de campo de unión y método de obtención del mismo.
En este documento se detallan tanto un dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), objeto de un primer aspecto de la invención, como el método para obtener el mismo, objeto de un segundo aspecto de la invención. El dispositivo transistor de efecto de campo de unión (JFET), presenta una serie de trincheras circulares concéntricas que se encuentran protegidas por una o varias trincheras de protección. Dichas trincheras de protección tienen forma rectangular con esquinas redondeadas y se desdoblan en trincheras de protección flotantes y trincheras de protección polarizadas, tal manera que una trinchera de protección polarizada es exterior a la última trinchera concéntrica mientras que una trinchera de protección flotante es exterior a dicha trinchera de protección polarizada.
PDF original: ES-2745740_B2.pdf
PDF original: ES-2745740_A1.pdf
Epitaxia de nanocables sobre un sustrato grafítico.
(05/02/2020). Solicitante/s: Norwegian University of Science and Technology (NTNU). Inventor/es: WEMAN,HELGE, FIMLAND,BJØRN-OVE, KIM,DONG CHUL.
Una composición de materia que comprende al menos un nanocable sobre un sustrato grafítico, dicho al menos un nanocable habiendo crecido epitaxialmente sobre dicho sustrato,
en donde dicho nanocable comprende al menos un compuesto del grupo III-V donde el elemento del grupo III es al menos uno de Al, Ga o In y el elemento del grupo V es al menos uno de N, P, As y Sb;
en donde dicho nanocable tiene una falta de coincidencia reticular de hasta el 10 % con el sustrato grafítico,
y en donde el sustrato grafítico comprende grafeno, grafano, u óxido de grafeno.
PDF original: ES-2777951_T3.pdf
Método para la fabricación de electrodos de nitruro de galio-indio para dispositivos electroquímicos.
(08/01/2020). Solicitante/s: UNIVERSITA DEGLI STUDI DI MILANO - BICOCCA. Inventor/es: NOETZEL,RICHARD, SANGUINETTI,STEFANO.
Método para la fabricación de electrodos, que comprende las etapas de:
a) depositar epitaxialmente nitruro de galio-indio (InGaN) en forma de una capa delgada sobre una superficie de un sustrato de silicio exponiendo una cara de cristal , de tal modo que la capa de InGaN crece epitaxialmente a lo largo del eje c y, en consecuencia, expone el plano c;
b) separar el depósito de InGaN del sustrato;
c) fragmentar el depósito de InGaN;
d) transferir los fragmentos de InGaN obtenidos de este modo sobre un soporte conductor con una estructura unidimensional, bidimensional o tridimensional.
PDF original: ES-2784436_T3.pdf
Composición adhesiva y su utilización en electrónica.
(11/12/2019). Solicitante/s: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES. Inventor/es: LAUCOURNET,RICHARD, ROUMANIE,MARYLINE, FLASSAYER,CÉCILE.
Composición adhesiva que comprende un polímero, cargas inorgánicas y al menos un disolvente orgánico, en la que:
- el polímero es al menos un polímero precerámico, basado en silicio,
- las cargas comprenden uno o varios tipos de cargas inorgánicas conductoras térmicas y aislantes eléctricas, eligiéndose el polímero precerámico entre el grupo que comprende polisiloxanos, polisilsesquioxanos, policarbosiloxanos, poliborosilanos, poliborosiloxanos, polisilazanos, polisilsesquiazanos, poliborosilazanos, policarbosilanos, polisililcarbodiimidas y polisilsesquicarbodiimidas,
eligiéndose las cargas inorgánicas entre el grupo que comprende AlN; AI2O3; hBN; nitruro de silicio; cerámicas basadas en silicio, aluminio, oxígeno y nitrógeno; y BeO,
las cargas inorgánicas representan entre un 60 y un 80 % en volumen, con respecto al volumen total de la composición adhesiva.
PDF original: ES-2763133_T3.pdf
Celda solar y método de fabricación de la misma.
(13/11/2019). Solicitante/s: ASM International N.V. Inventor/es: PIERREUX,DIETER.
Un método de fabricación de una celda solar que tiene una vida útil (Γef). efectiva del portador de carga minoritaria de al menos 500 ms, comprendiendo dicho método:
- proporcionar una oblea semiconductora; y
- pasivar una superficie posterior de dicha oblea depositando una capa de óxido de metal en dicha superficie mediante ALD secuencial y alternativamente:
(i) exponer dicha superficie a un primer precursor, dando como resultado una cobertura de la superficie con el primer precursor, y
(ii) exponer dicha superficie a un segundo precursor, dando como resultado una cobertura de la superficie con el segundo precursor, caracterizada porque al menos uno de los pasos (i) y (ii) se detiene antes de que la cobertura de la superficie alcance un nivel de saturación.
PDF original: ES-2758556_T3.pdf
Composición para el tratamiento por grabado químico de un material de resina.
(26/06/2019). Solicitante/s: OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO., LTD. Inventor/es: NAGAMINE,SHINGO, KITA,KOJI, OTSUKA,KUNIAKI.
Composición para el tratamiento por grabado químico de un material de resina, comprendiendo la composición una solución acuosa que presenta una concentración de ion permanganato de 0,2 mmoles/l o más y una concentración de ácido total de 10 moles/l o más con un límite superior de 15 moles/l y
satisfaciendo la solución acuosa la condición siguiente :
establecer la concentración molar de ion manganeso divalente a 15 o más veces superior a la concentración molar de ion permanganato, y
en la que la solución acuosa opcionalmente satisface además por lo menos una de las condiciones y siguientes:
contener un ácido sulfónico orgánico en una cantidad de 1,5 moles/l o más, y
establecer la cantidad de adición de una sal de magnesio anhidra a 0,1 a 1 mol/l.
PDF original: ES-2744077_T3.pdf
Método para depositar un revestimiento protector y sustrato con un revestimiento protector.
(05/06/2019) Un método para depositar una capa protectora sobre un sustrato, en donde:
el revestimiento protector comprende (i) una capa de barrera contra la humedad que está en contacto con el sustrato y que comprende una primera subcapa, opcionalmente una o más subcapas intermedias, y una subcapa final, (ii) una capa protectora mecánica que es inorgánica, y (iii) una capa de gradiente intercalada entre la capa de barrera contra la humedad y la capa protectora mecánica; y
el método comprende:
(a) depositar la primera subcapa de la capa de barrera contra la humedad sobre el sustrato mediante deposición de plasma de una mezcla precursora (X) que comprende un compuesto de organosilicio,…
Procedimiento para fabricar un dispositivo sensor para detectar especies químicas o biológicas y procedimiento para fabricar un dispositivo microfluídico con un dispositivo sensor de este tipo.
(06/02/2019) Procedimiento para fabricar un gran número de dispositivos sensores electrónicos para detectar especies (12, 12', 12") químicas o biológicas, con las siguientes etapas:
- incrustar un gran número de chips semiconductores prefabricados en cada caso a partir de un sustrato semiconductor en una primera zona en cada caso de una superficie de sustrato de un sustrato fabricado a partir de un material moldeable al estado fundido mediante:
- colocación del gran número de chips semiconductores prefabricados sobre una lámina adhesiva de modo que en cada caso una superficie de chip de los chips semiconductores prefabricados está dirigida a la lámina adhesiva, estando configurado cada uno de los chips semiconductores para una o varias funciones, que están seleccionados de un grupo que comprende lo siguiente: amplificación o evaluación…
Procedimiento para la fabricación de un semiconductor compuesto así como célula solar de capas delgadas.
(18/10/2018) Procedimiento para la fabricación de un semiconductor compuesto , que comprende las siguientes etapas:
- generación al menos de una pila de capas precursoras , que se compone de una primera capa precursora , una segunda capa precursora y una tercera capa precursora , en donde en una primera etapa se fabrica la primera capa precursora mediante depósito de los metales cobre, indio y galio sobre un cuerpo , y en una segunda etapa se fabrica la segunda capa precursora mediante depósito al menos de un calcógeno, seleccionado entre azufre y selenio, sobre la primera capa precursora , y en una tercera etapa se fabrica la tercera capa precursora mediante depósito de los metales cobre,…
Composición para el tratamiento por grabado químico de un material de resina.
(08/10/2018). Solicitante/s: OKUNO CHEMICAL INDUSTRIES CO., LTD. Inventor/es: NAGAMINE,SHINGO, KITA,KOJI, OTSUKA,KUNIAKI.
Composición para el tratamiento por grabado químico de un material de resina, comprendiendo la composición una solución acuosa que presenta una concentración de ion permanganato de 0,2 mmoles/l o más y una concentración de ácido total de 10 moles/l o más con un límite superior de 15 moles/l y satisfaciendo la solución acuosa la condición siguiente :
establecer la cantidad de adición de una sal de magnesio anhidra a 0,1 a 1 mol/l y
en la que la solución acuosa opcionalmente satisface además por lo menos una de las condiciones y siguientes:
contener un ácido sulfónico orgánico en una cantidad de 1,5 moles/l o más, y
establecer la concentración molar de ion manganeso divalente a 15 o más veces superior a la concentración molar de ion permanganato.
PDF original: ES-2685409_T3.pdf
Procedimientos de fabricación de cuerpos semiconductores delgados a partir de material fundido.
(10/09/2018) Procedimiento de fabricación de un cuerpo semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de:
a. proporcionar un material semiconductor fundido, que tiene una superficie;
b. proporcionar un molde poroso, que comprende una superficie de formación;
c. proporcionar un régimen de presión diferencial de manera que la presión en al menos una parte de la superficie de formación es menor que la presión en la superficie de material fundido;
d. poner en contacto la superficie de formación con el material fundido durante una duración de contacto de manera que, durante al menos una parte de la duración de contacto, el régimen de presión diferencial se proporciona de manera que un cuerpo de material semiconductor solidifica sobre la superficie de formación;
e. provocar el movimiento de la superficie de formación…
MÉTODO Y SISTEMA PARA PRODUCIR GRAFENO SOBRE UN SUBSTRATO DE COBRE POR DEPOSICIÓN DE VAPORES QUÍMICOS (AP-CVD) MODIFICADO.
(25/01/2018). Solicitante/s: UNIVERSIDAD TÉCNICA FEDERICO SANTA MARÍA. Inventor/es: HÄBERLE TAPIA,Patricio, ORELLANA GÓMEZ,Christian.
Un método y sistema para producir grafeno sobre un substrato de cobre por deposición de vapores químicos (AP-CVD) modificado; que, comprende: - disponer de dos láminas de cobre dispuestas en forma paralela y separadas con un material cerámico ; - incorporar dichas dos láminas de cobre al interior de una cámara abierta, que está constituido por una cámara cilíndrica de vidrio ; - calentar las dos láminas de cobre mediante un calentador por inducción electromagnética a una temperatura predeterminada; - suministrar una mezcla de caudales de Metano y Argón en la cara superior de dicha cámara cilíndrica de vidrio ; - monitorizar continuamente la temperatura de las dos láminas de cobre ; - calentar a alrededor de los 1000°C a través del calentador de inducción electromagnética durante un tiempo predeterminado; y - enfriar con los mismos caudales de Metano y Argón, hasta la temperatura ambiente.
Procedimiento para la producción de capas de silicio p-dopadas.
(29/11/2017). Solicitante/s: EVONIK DEGUSSA GMBH. Inventor/es: WIEBER,STEPHAN, PATZ,MATTHIAS, STÜGER,HARALD, LEHMKUHL,JASMIN.
Procedimiento para la producción de al menos una capa de silicio p-dopada dispuesta sobre un substrato, que comprende los pasos:
a) puesta a disposición de un substrato,
b) puesta a disposición de una formulación que contiene al menos un compuesto de silicio y, como agente de dopaje, al menos un complejo de BH3 con un complejante seleccionado a partir del grupo constituido THF; NR3 con R ≥ H, alquilo, arilo, así como SR'2 con R' ≥ H, alquilo, arilo,
c) aplicación de la formulación sobre el substrato,
d) irradiación y/o tratamiento térmico del substrato revestido, bajo formación de una capa p-dopada, constituida predominantemente por silicio.
PDF original: ES-2655491_T3.pdf
Método de crecimiento que usa capas compatibles de nanocolumnas y HVPE para producir materiales semiconductores compuestos de alta calidad.
(15/11/2017). Solicitante/s: Nanogan Limited. Inventor/es: WANG,WANG NANG.
Un metodo para producir un material semiconductor compuesto de un solo cristal, que comprende:
a) proporcionar un material de sustrato que tiene una nanocolumna semiconductora compuesta cultivada en el para proporcionar una superficie de crecimiento de iniciacion epitaxial;
b) cultivar un material semiconductor compuesto en la nanocolumna usando sobrecrecimiento lateral epitaxial y (c) separar del sustrato el material semiconductor compuesto cultivado,
en el que la nanocolumna se cultiva con un solo material dopado o no dopado, o con la combinacion de etapas de no dopado y dopado o etapas de n dopado y p dopado, y
en el que la nanocolumna incluye una region de tipo p proxima a la superficie de crecimiento.
PDF original: ES-2657666_T3.pdf
Procedimiento para la producción de capas de silicio.
(25/10/2017). Solicitante/s: EVONIK DEGUSSA GMBH. Inventor/es: CARIUS,REINHARD, WIEBER,STEPHAN, CÖLLE,MICHAEL, PATZ,MATTHIAS, BRONGER,TORSTEN.
Procedimiento en fase líquida para la producción térmica de capas de silicio sobre un sustrato, en el que al menos un silano superior que puede producirse a partir de al menos un hidridosilano de fórmula genérica SiaH2a+2 (siendo a ≥ 3 - 10) se aplica sobre un sustrato y a continuación se convierte térmicamente en una capa que consiste esencialmente en silicio, caracterizado porque la conversión térmica del silano superior tiene lugar - a una temperatura de 500 - 900ºC
- y un tiempo de conversión de ≤ 5 minutos.
PDF original: ES-2651678_T3.pdf
Solución de deposición por baño para la deposición por baño químico de una capa de sulfuro metálico y métodos correspondientes de fabricación.
(30/08/2017). Solicitante/s: Manz Cigs Technology GmbH. Inventor/es: BÜRKERT,LINDA, HARISKOS,DIMITRIOS, KOLB,TORSTEN, SCHNELL,BETTINA.
Solución de deposición por baño para la deposición por baño químico de una capa de sulfuro metálico,
- donde la solución de deposición por baño contiene una sal metálica, un organoazufre, un agente quelante que forma complejos, que con iones metálicos de la sal metálica forma un complejo quelante e hidróxido de amonio, en agua destilada o desionizada,
- donde la sal metálica es una sal Zn y/o In, donde
- el organoazufre es tioacetamida y el agente quelante que forma complejos es acido nitriloacético o ácido iminodiacético o es una sal metálica de los mismos.
PDF original: ES-2647609_T3.pdf
Métodos para fabricar micro- y nanoestructuras usando litografía blanda o de impresión.
(15/03/2017) Método para fabricar partículas de tamaño micro o nanométrico monodispersas, que comprende:
introducir un material en una plantilla con patrón en el que la plantilla con patrón define una pluralidad de rebajes en la misma, cada rebaje de la pluralidad de rebajes comprende una conformación creada por ingeniería tridimensional sustancialmente equivalente, y la plantilla con patrón no es humectante y comprende un material elastomérico resistente al disolvente, que tiene una energía de superficie de menos de 18 mN/m;
tratar el material mientras el material está en contacto con los rebajes de la plantilla con patrón para formar una pluralidad de estructuras creadas por ingeniería sustancialmente equivalentes, en el que dichas estructuras son partículas de tamaño…
Medio de separación, procedimiento e instalación para separar sistemas multicapa.
(07/12/2016). Solicitante/s: Saperatec GmbH. Inventor/es: SEIBT, HORST DR., KERNBAUM,SEBASTIAN.
Uso de un medio de separación para separar sistemas multicapa , con fines de reciclaje, en el que el medio de separación es una dispersión nanométrica que está formada por un componente orgánico, un componente acuoso y al menos un tensioactivo.
PDF original: ES-2617984_T3.pdf
Procedimiento para fabricar un dispositivo fotovoltaico de película delgada.
(08/06/2016) Procedimiento para fabricar, por lo menos, una capa de absorción para dispositivos fotovoltaicos de película delgada , cuya capa de absorción está fabricada de un material de calcogenuro ABC, incluyendo variantes cuaternarias, pentanarias o multinarias del material de calcogenuro ABC, en que A representa elementos del grupo de la tabla periódica de los elementos químicos definida por la Unión Internacional de Química Pura y Aplicada, incluyendo Cu y Ag, B representa elementos del grupo de la tabla periódica incluyendo In, Ga y Al, y C representa elementos del grupo de la tabla periódica incluyendo S, Se y Te, en las que dicha capa de absorción está depositada…
Estructura de capa de pasivación de dispositivo semiconductor y método de formación de la misma.
(11/05/2016). Solicitante/s: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Inventor/es: SUN,WEN-CHING, LIN,TZER-SHEN, YU,SHENG-MIN.
Una estructura de capa de pasivación de un dispositivo semiconductor que se dispone sobre un sustrato semiconductor, que comprende:
una estructura de capa de pasivación dispuesta sobre el sustrato semiconductor, caracterizada porque la estructura de la capa de pasivación comprende una capa de óxido de aluminio dopado con halógeno y el sustrato semiconductor es una capa semiconductora de tipo p.
PDF original: ES-2577611_T3.pdf
Procedimiento para la preparación de revestimientos estructurados a partir de silicio y/o germanio.
(27/04/2016). Solicitante/s: EVONIK DEGUSSA GMBH. Inventor/es: KLATT, JANETTE, STENNER,PATRIK, WIEBER,STEPHAN, CÖLLE,MICHAEL, PATZ,MATTHIAS, MADER,CHRISTOPH, WÖBKENBERG,PAUL HENRICH, ERZ,JOACHIM, TRAUT,STEPHAN, WUNNICKE,ODO.
Procedimiento en fase líquida para la preparación de revestimientos estructurados a partir de silicio y/o germanio, caracterizado por que
- se aplica al menos una composición de revestimiento sobre un sustrato,
- el revestimiento que resulta se activa parcialmente sobre el sustrato revestido
- y el revestimiento no activado se oxida sobre el sustrato.
PDF original: ES-2662859_T3.pdf
Composiciones no inflamables que comprenden compuestos fluorados y uso de estas composiciones.
(21/01/2016). Solicitante/s: SOLVAY FLUOR GMBH. Inventor/es: MEURER, CHRISTOPH, BORNER,KARSTEN, Rau,Helge, MARHOLD,MICHAEL.
Una composición no inflamable que comprende
(a) un compuesto fluorado seleccionado de 1,1,1,3,3-pentafluoropropano (HFC-245fa), 1,1,1,2,3,4,4,5,5,5 - decafluoropentano (HFC-43-10mee) y 1,1,1,3,3-pentafluorobutano
(b) 1,2-dicloroetileno y
(c) una cantidad eficaz de un estabilizador del compuesto fluorado o el 1,2-dicloroetileno en la que el contenido del estabilizador es menor de 0,5 % en peso de la composición y en la que el estabilizador es isopropanol o 1,2- epoxibutano.
PDF original: ES-2556943_T3.pdf
Composiciones alcalinas acuosas y procedimiento de tratamiento de la superficie de sustratos de silicio.
(01/04/2015) Una composición alcalina acuosa que comprende:
(A) al menos un hidróxido amónico cuaternario;
(B) al menos un componente seleccionado del grupo que consiste en:
(b1) ácidos sulfónicos hidrosolubles y sus sales hidrosolubles de la fórmula general I:
(R1-SO3 -)nXn+ (I),
(b2) ácidos fosfónicos hidrosolubles y sus sales hidrosolubles de la fórmula general II:
R-PO3 2- (Xn+)3-n (II);
(b3) ésteres de ácido sulfúrico hidrosolubles y sus sales hidrosolubles de la fórmula general III:
(RO-SO3 -)n(n+ (III),
(b4) ésteres de ácido fosfórico hidrosolubles y sus sales hidrosolubles de la fórmula general (IV):
RO-PO3…
Fragmento de silicio policristalino y procedimiento para la limpieza de fragmentos de silicio policristalino.
(26/11/2014) Fragmento de silicio policristalino con una concentración de carbono en la superficie de 0,5-35 ppbw.
Solución de precursor para formar una película delgada de semiconductor a base de CIS, CIGS o CZTS.
(29/10/2014) Una solución de precursor para formar una película delgada de semiconductor a base de CIS, CIGS o CZTS por impresión, que comprende complejos metálicos de al menos dos cationes metálicos diferentes,
en donde el primer catión metálico es un catión de cobre y el segundo catión metálico se selecciona del grupo que consiste en (i) In, (ii) una combinación de In y Ga, y (iii) una combinación de Zn y Sn,
en donde Cu y Sn, si Sn está presente, está(n) complejados por un azufre o selenio que contiene el ligando o polianión aniónico complejo seleccionado del grupo que consiste en tritiocarbonato, polisulfuro o uno de sus análogos de selenio, y
en donde si cualquiera de In, In junto con Ga, o Zn está presente, sus cationes están complejados y por lo tanto estabilizados por un exceso de tritiocarbonato y/o triseleniocarbonato,
y un disolvente.
Procedimiento de fabricación de una oblea de silicio de calidad solar.
(11/04/2013) Un procedimiento de fabricación de una oblea de silicio de calidad solar, comprendiendo dicho procedimiento lasetapas de:
proporcionar un molde cerámico de oblea de calidad solar con una porosidad superior a cero;
proporcionar una mezcla que incluye un medio de suspensión, un agente aglutinante en suspensión, y unagente de oclusión de poros en suspensión;
tratar dicho molde cerámico de oblea de calidad solar con dicha mezcla para producir un molde cerámico deoblea de calidad solar con porosidad reducida;
proporcionar una pasta que incluye un líquido que esencialmente evita la oxidación del polvo de silicio y unpolvo de silicio que está prácticamente libre de óxidos;
introducir dicha pasta en dicho molde cerámico de oblea de calidad solar con porosidad reducida;
precipitar dicho polvo de silicio a partir de dicha pasta para formar una preforma…
Componente semiconductor y su uso.
(14/06/2012) Componente semiconductor compuesto por
• un sustrato seleccionado de Si, Ge, GaAs, InP, GaSb,
• al menos una estructura de capas de un semiconductor III-V y/o SixGe1-x, que forma una unión pn o np, así como
• al menos una capa de tampón de un semiconductor III-V para la unión de la al menos una estructura de capas con el sustrato ,
• adicionalmente al menos una capa de bloqueo de semiconductores compuestos III-V con una dureza cristalina superior a la de la al menos una estructura de capas , que impide o reduce la formación y/o la continuación de defectos de cristal, caracterizado…
Técnicas de fabricación de dispositivos eléctricos.
(06/06/2012) Un método para fabricar un dispositivo eléctrico, que comprende:
proporcionar una banda de sustrato con una superficie superior y una superficie de fondo, que tiene un refuerzo sobre la superficie de fondo y unas estructuras de antena sobre la superficie superior; colocar una placa o chip que tiene una superficie superior , una superficie de fondo y unas superficies laterales (26a, 26b, 26c, 26d) sobre la superficie superior de la banda de sustrato; calentar una región de la banda de sustrato con radiación infrarroja o de infrarrojo cercano; embutir la placa dentro de la banda de sustrato mientras la banda de sustrato está a una temperatura elevada de tal modo que dicha región de la banda …
Composición de silsesquioxano poliédrico con potencial zeta negativo elevado y método para la limpieza húmeda de semiconductores sin daños.
(16/05/2012) Una composición que comprende:
(a) una o más bases libres de iones metálicos;
(b) una sal hidrosoluble, libre de iones metálicos, de un silsesquioxano poliédrico;
(c) un agente oxidante y
(d) agua libre de iones metálicos.
Disolución y procedimiento de limpieza para un conductor eléctrico.
(28/03/2012) Disolución de limpieza adaptada para limpiar conductores eléctricos, que comprende: una composición cáustica que incluye un agente de limpieza de hidróxido, y en la que la composición cáustica incluye además NaF.