(01/07/2020) Un transductor fotoeléctrico que comprende: un sustrato constituido por una hoja o banda elástica flexible, incluyendo el sustrato una superficie posterior plana y una superficie frontal con un patrón de superficie de una pluralidad de porciones de superficie elevadas y deprimidas repetidas que se extienden en al menos una dirección; sobre la misma, un electrodo del lado posterior (2, A) dispuesto en la superficie frontal del sustrato y que se adapta en forma a la superficie frontal del sustrato; sobre el mismo, una capa fotoeléctrica activa que se adapta en forma a la superficie frontal del sustrato y que tiene el patrón de partes de superficie elevadas y deprimidas repetidas que se extienden…

(13/05/2020) Una célula solar que utiliza una placa de circuito impreso, PCB, comprendiendo la célula solar: un sustrato que está formado por un material aislante y en donde atraviesan una pluralidad de agujeros de fijación y agujeros de comunicación se forman alternativamente; una pluralidad de generadores de efectos fotoeléctricos que tienen una forma de bola fijada al sustrato para disponerse sobre la pluralidad de orificios de fijación, y generan efectos fotoeléctricos al recibir luz a través de porciones receptoras de luz que están expuestas a una porción superior del sustrato; una pluralidad de electrodos superiores que se forman en una superficie superior del sustrato, y están conectados a las respectivas porciones receptoras de luz de los generadores de efectos fotoeléctricos; y una pluralidad de electrodos inferiores…

(19/02/2020) Fotodetector con resonador de Helmholtz, eficaz para detectar al menos una radiación (R) electromagnética que tiene una longitud de onda comprendida entre 0,3 μm y 15 μm, el resonador de Helmholtz que comprende: - un volumen aislante eléctricamente; y - caras metálicas que rodean el volumen aislante a lo largo de al menos un recorrido en bucle alrededor de dicho volumen aislante, fuera de dos interrupciones del recorrido en bucle, de manera que las caras metálicas constituyen dos electrodos que están separados entre sí por al menos un intervalo, denominado intervalo (ZC) de concentración del campo eléctrico y que contienen las interrupciones del recorrido en bucle; dicho intervalo (ZC) de concentración de campo eléctrico que tiene un espesor entre los dos electrodos que es más pequeño…

(12/02/2020) Un dispositivo optoelectrónico que comprende: un sustrato que tiene una primera y una segunda cara (309a, 309b) sustancialmente plana; una serie de ranuras (304a, 304b) en la primera cara sustancialmente plana, incluyendo la serie de ranuras una primera ranura (307a) más externa y una segunda ranura (307b) más externa; y una primera y una segunda abertura (308a, 308b) en el sustrato; en donde la primera abertura proporciona comunicación eléctrica entre la primera ranura más externa y la segunda cara sustancialmente plana del sustrato y la segunda abertura proporciona comunicación eléctrica separada entre la segunda ranura más externa y la segunda cara sustancialmente…

(19/06/2019) Procedimiento para fabricar chips de células solares con zonas de superficie activas, adecuadas para la conversión directa de energía solar en energía eléctrica, y zonas no activas, en el que los chips de células solares son extraídos por corte de una lámina mediante un láser en una geometría distinta de la forma rectangular, de tal modo que el número de chips de células solares por lámina se incrementa respecto a los chips de células solares rectangulares, que comprende: contactar los chips de células solares en las zonas no activas con contactos eléctricos zona por zona, en particular, con dos contactos puntiformes dispuestos en lados opuestos de una zona de superficie activa; caracterizado por guiar el láser línea por línea en un movimiento sustancialmente…

(21/05/2019) Un fotodiodo de avalancha, que comprende: un sustrato aislante de germanio, GeOI, en donde: una capa de absorción de germanio-intrínseco, I-Ge, se dispone sobre el sustrato GeOI para la absorción de una señal óptica y la generación de portadoras foto-generadas; una segunda capa de silicio-germanio tipo-p, SiGe, se dispone sobre la capa de absorción de I-Ge , y una primera capa de SiGe tipo-p se dispone sobre la segunda capa de SiGe tipo-p , en donde un contenido de germanio, Ge, en la primera capa de SiGe tipo-p y en la segunda capa de SiGe tipo-p es inferior o igual al 20%; una primera capa de dióxido de silicio, SiO2 se dispone adicionalmente sobre el sustrato…

(08/05/2019) Un convertidor fotovoltaico, que comprende una estructura de emisor hecha de componentes de silicio capaces de convertir fotones de alta energía en electrones libres en particular UV y fotones visibles así como fotones IR, esta estructura de emisor forma parte de una losa, oblea o chip de material fotovoltaico de tipo p o de tipo n, - teniendo dicha losa, oblea o chip una superficie superior destinada a ser expuesta a radiación fotónica principalmente a radiación solar, que tiene una unión PN integrada que delimita la parte emisora y una parte de base, que tiene electrodos delanteros y traseros y que comprende al menos un área o región específicamente diseñada o adaptada para absorber…

(01/05/2019) Aparato que comprende por lo menos un par de un primer (FET1) y un segundo (FET2) fotodetectores, comprendiendo cada fotodetector del par de fotodetectores (FET1, FET2) un elemento de canal , unos electrodos fuente y drenador respectivos configurados para posibilitar un flujo de corriente eléctrica a través del elemento de canal entre los electrodos fuente y drenador , y una pluralidad de puntos cuánticos configurados para generar unos pares electrónhueco al someterse a una exposición a radiación electromagnética incidente con el fin de producir un cambio detectable en la corriente eléctrica que fluye a través del elemento de canal , caracterizado por que el aparato está configurado de tal manera que el primer y el segundo fotodetectores (FET1, FET2) del par de fotodetectores generan unos pares electrón-hueco…

(26/03/2019) Sistema convertidor de energía para convertir las emisiones de fotones de alta energía en energía eléctrica que comprende: un convertidor de energía de fotones de alta energía para convertir las emisiones de fotones de alta energía en energía eléctrica que comprende una pluralidad de capas de un primer material que está adaptado para absorber los fotones de alta energía que presentan unas energías en el intervalo de aproximadamente 100 eV o superiores a partir de un flujo de fotones , y para emitir los electrones expulsados de un átomo en la primera capa de material por un fotón de alta energía que presenta una energía en el intervalo de aproximadamente 100 eV o superior y absorbido en una capa de la pluralidad de capas de un primer material, presentando cada capa de la pluralidad de capas de un primer material…

(12/02/2019) Un elemento constructivo semiconductor bipolar de al menos cinco capas que convierte la luz en corriente eléctrica, para lo cual se inserta una heteroestructura en una unión PN, es decir, previéndose capas de manera, a) que la primera capa se componga de un material semiconductor dopado tipo p con una separación de banda X, b) que la segunda y la cuarta capa se compongan de un material con una separación de banda Y mayor y presenten un grosor que permita tunelizar los portadores de carga, c) que la tercera capa se componga de un material con una menor separación de banda Z y de un material con una elevada absorción de luz, y d) que la quinta capa se componga de un material semiconductor dopado tipo n con una separación de banda X, de modo que entre…

(04/10/2017) Aparato , que comprende: una primera modalidad de conversión de energía solar que está dispuesta entre una fuente de luz y; una segunda modalidad de conversión de energía solar que comprende una modalidad de conversión de energía solar basada en fluido que tiene un conducto de transporte de fluido, en el que la primera modalidad de conversión de energía solar está dispuesta directamente sobre una superficie de absorción de calor que comprende una parte del conducto de transporte de fluido de la segunda modalidad de conversión de energía solar, caracterizado por que tanto la primera modalidad de conversión de energía solar como la segunda modalidad de conversión de energía solar están dispuestas para generar electricidad usando una…

(21/06/2017) Un dispositivo receptor de luz o emisor de luz en el que una pluralidad de elementos semiconductores (3, 3A, 3B) en partículas que tienen una función de transducción de luz a electricidad o una función de transducción de electricidad a luz están incorporados alineados en al menos dos filas, teniendo cada uno de dichos elementos semiconductores un par de electrodos que están dispuestos en forma de punto sobre partes de extremo opuestas del elemento con su centro interpuesto; un par de miembros de hilo conductor (4a, 4b; 31a, 31b) que conectan la pluralidad de elementos semiconductores en cada fila; y un material de cubierta transparente que cubre todos los elementos semiconductores y miembros de hilo conductor (4a, 4b; 31a, 31b)en forma embebida, caracterizados por que el material de cubierta transparente no es flexible y de una resina…

(16/11/2016) Una batería solar estratificada en la que están incorporados módulos de célula solar plurales , en la que se proporcionan cuatro tipos de módulos de célula solar que tienen diferentes bandas de longitud de onda de sensibilidad que están estratificados de manera que cuanto las corta es la longitud de onda de centro en dichas bandas de longitud de onda de sensibilidad, más cerca está situado dicho módulo de un lado incidental de la luz solar, en donde dichos tipos de módulos de célula solar entre dichos cuatro tipos de módulos de célula solar están constituidos con módulos de grupos de células estando…

(28/09/2016) Un método para producir una estructura que comprende un sustrato que tiene al menos una primera cara integral con un primer ángulo con respecto a una normal del sustrato , al menos una segunda cara integral con un segundo ángulo con respecto a una normal del sustrato , y una cavidad en la estructura entre la primera y segunda cara; el método que comprende las etapas de: recubrir la primera cara con una primera capa conductora ; recubrir la segunda cara con una segunda capa conductora ; en donde la primera capa conductora y la segunda capa conductora comprenden materiales diferentes; y el método comprende, además, la etapa para depositar en la cavidad un material semiconductor activo…

(16/12/2015) Módulo solar de capa fina con conexión en serie, que comprende al menos: · una capa trasera de electrodos , que está dividida por líneas de estructuración PR en zonas BR, · una capa fotoactiva de semiconductores , que está dispuesta sobre la capa trasera de electrodos y está dividida por líneas de estructuración PA y · una capa delantera de electrodos , que está dispuesta sobre el lado, opuesto a la capa trasera de electrodos , de la capa fotoactiva de semiconductores y está dividida por líneas de estructuración PF en zonas BF, en el que zonas BF de la capa delantera de electrodos están conectadas eléctricamente con zonas BR vecinas de la capa trasera de electrodos…

(21/01/2015) Ventanilla optrónica que comprende un sustrato de dos caras , con, sobre una de las caras del sustrato o sobre las dos caras, un apilado de varias heteroestructuras , estando compuesta cada heteroestructura de al menos dos capas semiconductoras SC1, SC2, estando dopada la capa SC1, comprendiendo la capa SC2 en sí misma una capa de gas de electrones bidimensional formada en la interfaz con la capa SC1, siendo el sustrato y las capas transparentes en la banda 0,4 μm - 5 μm, caracterizada porque comprende un electrodo en contacto con todas las capas de gas de electrones, y una rejilla metálica bi-periódica enterrada en el apilado, en contacto con el electrodo .

(16/01/2014) Método para la fabricación de una célula solar lateral de banda intermedia. Para fabricar una célula solar de banda intermedia es necesario conectar al material de banda intermedia un semiconductor tipo n y otro tipo p , que actuarían como emisores. Son dichos emisores los que deben ser contactados externamente . Frente al diseño tradicional de capas superpuestas, en esta patente se propone una configuración lateral, quedando los 3 materiales diferentes distribuidos de forma horizontal sobre un sustrato de soporte. Con esta configuración se resuelve el problema de la inestabilidad térmica del material de BI fabricado por implantación iónica y el efecto de las colas de la implantación.

(14/08/2013) Una heteroestructura de dispositivo semiconductor compuesto que forma un dispositivo detector híbrido que comprende un primer material detector semiconductor de cristal en masa adecuado para la detección de fotones de una parte de menor energía del espectro electromagnético, y un segundo material detector semiconductor de cristal en masa adecuado para la detección de fotones de una parte de mayor energía del espectro electromagnético dispuesto sobre una superficie del primer material semiconductor de cristal en masa, siendo el segundo material detector semiconductor de cristal en masa un material del grupo II-VI que comprende Cd1-(a+b)MnaZnbTe cristalino, donde a y/o b pueden ser cero, distinto del primer material semiconductor de cristal en masa, siendo el primer material detector semiconductor de cristal en masa un material para la detección…

(16/04/2013) Célula fotovoltaica que incluye un substrato a base de semiconductor de un primer tipo de conductividad que incluye dos caras principales paralelas entre sí, comprendiendo el substrato una pluralidad de orificios ciegos cuyas aberturas están dispuestas a nivel de una sola de las dos caras principales, estando los orificios ciegos rellenos con un semiconductor de un segundo tipo de conductividad opuesta al primer tipo de conductividad, que forma el emisor de la célula fotovoltaica , formando el substrato la base de la célula fotovoltaica , caracterizada porque la célula fotovoltaica incorpora además, sobre la cara principal del substrato que incluye las aberturas de los orificios ciegos , primeros dedos de colecta a base de al menos un semiconductor del segundo tipo de conductividad, en contacto con el emisor…