Aparato que incluye células solares que tienen núcleos de nano-hilos de óxido de titanio o carburo de silicio y envolturas de grafeno y uso del mismo.

Aparato (1000, 1200), que comprende:

una primera modalidad (800) de conversión de energía solar que está dispuesta entre una fuente (1203) de luz (804) y;



una segunda modalidad (1002) de conversión de energía solar que comprende una modalidad de conversión de energía solar basada en fluido que tiene un conducto de transporte de fluido,

en el que la primera modalidad de conversión de energía solar está dispuesta directamente sobre una superficie de absorción de calor que comprende una parte del conducto de transporte de fluido de la segunda modalidad de conversión de energía solar,

caracterizado por que

tanto la primera modalidad de conversión de energía solar como la segunda modalidad de conversión de energía solar están dispuestas para generar electricidad usando una misma fuente de luz,

y por que

la primera modalidad de conversión de energía solar comprende:

una pluralidad de núcleos (101) de nano-hilos, cada uno de los cuales consiste esencialmente en un material con banda prohibida ancha que es SiC o TiO2, en el que el núcleo tiene al menos una dimensión biseccional que no supera los 100 nanómetros;

una pluralidad de envolturas (102) de grafeno, cada una de las cuales consiste esencialmente en grafeno, y cada una dispuesta de manera conformada alrededor de al menos una parte sustancial de un núcleo respectivo para formar una estructura de núcleo/envoltura;

una primera trayectoria (801) eléctrica que comprende una base conductora conectada eléctrica y físicamente a los núcleos de nano-hilos, pero no a las cubiertas en un primer extremo de la estructura de núcleo/envoltura;

una segunda trayectoria (802) eléctrica conectada eléctrica y físicamente a las envolturas de grafeno, pero no a los núcleos a través de capas de grafeno en un segundo extremo de la estructura de núcleo/envoltura; y una monocapa o multicapas de un aislante dispuestas para prevenir el contacto entre la base conductora y las envolturas de grafeno,

en el que las trayectorias eléctricas primera y segunda están dispuestas para acoplarse a una carga eléctrica.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2013/053919.

Solicitante: Dimerond Technologies, LLC.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 1324 59th Street Downers Grove IL 60515 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: GRUEN,DIETER M.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L31/0352 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › caracterizados por su forma o por las formas, dimensiones relativas o disposición de las regiones semiconductoras.
  • H01L31/07 H01L 31/00 […] › siendo las barreras de potencial únicamente de tipo Schottky.
  • H02S10/10 H […] › H02 PRODUCCION, CONVERSION O DISTRIBUCION DE LA ENERGIA ELECTRICA.H02S Generación de energía eléctrica mediante la conversión de la radiación infrarroja, luz visible o luz ultravioleta, p. ej utilizando módulos fotovoltaicos [FV] (colectores de calor solar F24J 2/00; obtención de energía eléctrica a partir de fuentes radiactivas G21H 1/12; dispositivos semiconductores inorgánicos sensibles a la luz H01L 31/00; dispositivos termoeléctricos H01L 35/00; dispositivos piroeléctricos H01L 37/00; dispositivos semiconductores orgánicos sensibles a la luz H01L 51/42). › H02S 10/00 Plantas de energía FV; Combinaciones de sistemas de energía FV con otros sistemas para la generación de energía eléctrica. › incluyendo una fuente suplementaria de energía eléctrica, p. ej sistemas híbridos diesel-FV (combinaciones con plantas motrices de turbinas de gas F02C 6/00).

PDF original: ES-2654622_T3.pdf

 

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