12 inventos, patentes y modelos de MARTI VEGA,ANTONIO

Acumulador y convertidor de energía solar térmica.

Secciones de la CIP Mecánica, iluminación, calefacción, armamento y voladura Electricidad

(28/04/2017). Solicitante/s: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID. Clasificación: F28D20/02, H02S10/30.

Acumulador y convertidor de energía solar térmica provisto de una vasija de geometría cilíndrica con un material de cambio de fase en su interior y una cavidad óptica cilíndrica en su centro, definida por las paredes internas de la vasija y una apertura. Dentro de dicha cavidad, en el eje de la misma, se sitúa un emisor térmico. Una cubierta aislante térmica rodea la vasija excepto en dos porciones, una correspondiente a la apertura y otra correspondiente a la posición de un convertidor termofotovoltaico, donde el convertidor se sitúa en el mismo eje que el emisor, alineado con la cubierta aislante. Así, aumenta la capacidad de generación de potencia eléctrica durante la fase de carga del sistema y además, se consigue una mayor eficiencia de conversión al lograr un perfil de temperatura uniforme en el emisor.

PDF original: ES-2610628_B2.pdf

PDF original: ES-2610628_A1.pdf

Dispositivo de silicio para la detección de radiación visible e infrarroja a temperatura ambiente.

(29/09/2015) Dispositivo de silicio para la detección de radiación visible e infrarroja a temperatura ambiente. La presente invención se refiere a un dispositivo con tres capas: dos semiconductores, y , y una capa intermedia aislante que están basadas en silicio cristalino. La implantación de impurezas con una concentración que supera la solubilidad sólida de dicha impureza en silicio confiere al dispositivo la capacidad de detectar radiación infrarroja a temperatura ambiente. La invención también se refiere al método para fabricar el dispositivo de la invención, que incluye técnicas de fabricación fuera del equilibrio termodinámico.

METODO PARA LA FABRICACION DE UNA CELULA SOLAR LATERAL DE BANDA INTERMEDIA.

(16/01/2014) Método para la fabricación de una célula solar lateral de banda intermedia. Para fabricar una célula solar de banda intermedia es necesario conectar al material de banda intermedia un semiconductor tipo n y otro tipo p , que actuarían como emisores. Son dichos emisores los que deben ser contactados externamente . Frente al diseño tradicional de capas superpuestas, en esta patente se propone una configuración lateral, quedando los 3 materiales diferentes distribuidos de forma horizontal sobre un sustrato de soporte. Con esta configuración se resuelve el problema de la inestabilidad térmica del material de BI fabricado por implantación iónica y el efecto de las colas de la implantación.

CÉLULA SOLAR DE BANDA INTERMEDIA CON PUNTOS CUÁNTICOS NO TENSIONADOS.

Sección de la CIP Electricidad

(27/12/2012). Solicitante/s: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID. Clasificación: H01L31/0352.

Célula solar de banda intermedia con puntos cuánticos no tensionados El invento se refiere a una célula solar de banda intermedia cuyo material de banda intermedia consiste en una colección de puntos cuánticos de un material semiconductor A inmersos en un volumen de otro semiconductor B. El material A se caracteriza por tener una estructura cristalina del tipo sal de roca, mientras que el material B tiene una estructura zinc blenda. Los puntos cuánticos se producen por la inmiscibilidad del material A en el material B. Por lo tanto, es posible elegir una combinación de materiales A y B con una constante de red muy similar, de modo que la capa de material de banda intermedia no presenta acumulación de tensión mecánica.

Célula solar de banda intermedia con puntos cuánticos no tensionados.

(13/09/2012) Célula solar de banda intermedia con puntos cuánticos no tensionados. El invento se refiere a una célula solar de banda intermedia cuyo material de banda intermedia consiste en una colección de puntos cuánticos de un material semiconductor A inmersos en un volumen de otro semiconductor B. El material A se caracteriza por tener una estructura cristalina del tipo sal de roca, mientras que el material B tiene una estructura zinc blenda. Los puntos cuánticos se producen por la inmiscibilidad del material A en el material B. Por lo tanto, es posible elegir una combinación de materiales A y B con una constante de red muy similar, de modo que la capa de material de banda intermedia no…

MÉTODO PARA LA FABRICACIÓN DE UNA CÉLULA SOLAR LATERAL DE BANDA INTERMEDIA.

Sección de la CIP Electricidad

(07/06/2012). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID. Clasificación: H01L31/032, H01L31/052, H01L31/06.

Para fabricar una célula solar de banda intermedia es necesario conectar al material de banda intermedia un semiconductor tipo n y otro tipo p , que actuarían como emisores. Son dichos emisores los que deben ser contactados externamente . Frente al diseño tradicional de capas superpuestas, en esta patente se propone una configuración lateral, quedando los 3 materiales diferentes distribuidos de forma horizontal sobre un sustrato de soporte. Con esta configuración se resuelve el problema de la inestabilidad térmica del material de Bl fabricado por implantación iónica y el efecto de las colas de la implantación.

USO DE MATERIAL MODIFICADO EN SU TOPOGRAFIA SUPERFICIAL EN DISPOSITIVOS QUE GENEREN UNA CORRIENTE ELECTRICA A PARTIR DE LUZ INCIDENTE.

(03/10/2011) Uso de material modificado en su topografía superficial en dispositivos que generen una corriente eléctrica a partir de luz incidente.La presente invención se basa en el hecho observado por los inventores, de que la modificación de la topografía superficial de materiales, mediante la fabricación de una red ordenada de cavidades rellenas de otro material, con diferente índice de refracción, genera bandas fotónicas en la superficie del material, que alteran el índice de refracción del material sobre el que están fabricadas. Esa variación del índice de refracción permite, en función del ángulo de incidencia y la longitud de onda de la luz, favorecer o inhibir la transmisión y reflexión de la luz. En base a esta nueva propiedad observada,…

PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS OPTOELECTRONICOS DE BANDA INTERMEDIA BASADOS EN TECNOLOGIA DE LAMINA DELGADA.

Sección de la CIP Electricidad

(21/07/2009). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID. Clasificación: H01L31/042, H01L31/06.

Procedimiento de fabricación de dispositivos optoelectrónicos de banda intermedia basados en tecnología de lámina delgada caracterizado porque comprende, al menos, las siguientes etapas:#- una primera etapa, donde sobre un substrato se deposita una capa metálica que actuará como electrodo;#- una segunda etapa, donde sobre la capa metálica se deposita un elemento semiconductor de tipo p ; y#- una tercera etapa, de procesado del material de banda intermedia;#donde dicho material de banda intermedia consiste en unas estructuras nanoscópicas de material multinario de tipo (Cu, Ag)(Al, Ga, In) (S, Se, Te)2 embebido en una matriz de composición similar, salvo por la ausencia de, al menos, un catión presente en la estructura nanoscópica.

CELULA SOLAR DE BANDA INTERMEDIA DE PUNTOS CUANTICOS CON ACOPLAMIENTO OPTIMO DE LA LUZ PPOR DIFRACCION.

Secciones de la CIP Electricidad Física

(16/02/2009). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID. Clasificación: H01L31/052, G02F1/29.

Célula solar de banda intermedia de puntos cuánticos con acoplamiento óptimo de la luz por difracción.#Consiste en célula solar de banda intermedia de puntos cuánticos con acoplamiento de la luz por difracción. En la estructura de la célula, el contacto metálico inferior está separado del semiconductor por una capa de bajo índice de refracción. Además contiene una serie de surcos en la cara frontal recubiertos de una o varias capas antirreflectantes que forman también parte de la estructura difractante. Los surcos están diseñados de manera que difractan en el rango del infrarrojo la luz solar incidente en un cono de luz procedente de un concentrador inclinándolos lo más posible. Así se incrementa el flujo de potencia luminosa proporcionada por los fotones facilitando su absorción por las capas de puntos cuánticos . La capa produce reflexión total interna de los rayos inclinados por.

PROCEDIMIENTO PARA LA OBTENCION DE PELICULAS DE MATERIALES SEMICONDUCTORES INCORPORANDO UNA BANDA INTERMEDIA.

Secciones de la CIP Química y metalurgia Electricidad

(16/02/2009). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID UNIVERSITAT POLITECNICA DE CATALUNYA. Clasificación: C23C14/35, H01L21/203.

Procedimiento para la obtención de películas de materiales semiconductores incorporando una banda intermedia.#La presente invención describe un procedimiento de obtención de películas delgadas de materiales semiconductores de banda intermedia consistente en la obtención de un blanco de partículas prensadas del dicho material para utilizarlo en un equipo de pulverización catódica. El blanco se obtiene mediante el proceso térmico de una mezcla de los componentes del material semiconductor, siguiendo un perfil específico de temperaturas y tiempos, para conseguir un material en forma policristalina de la misma composición que el material semiconductor de banda intermedia. El material policristalino se desagrega mediante procedimientos mecánicos nuevamente en forma de polvo y se compacta posteriormente, mediante la aplicación de presión en forma adecuada para formar un blanco.

DISPOSITIVO PARA ACOPLAR LA LUZ DE FORMA OPTIMA A UNA CELULA SOLAR DE BANDA INTERMEDIA REALIZADA MEDIANTE PUNTOS CUANTICOS.

Sección de la CIP Electricidad

(16/02/2009). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Clasificación: H01L31/068.

Dispositivo para acoplar la luz a una célula solar de banda intermedia realizada mediante puntos cuánticos que además concentra la luz. La energía de la luz que emite el material luminiscente se elige para que produzca transiciones entre la banda de valencia y la banda de conducción de la célula. Los pigmentos del material luminiscente se eligen para que los fotones emitidos produzcan transiciones desde la banda de valencia a la banda intermedia y desde ésta a la banda de conducción. Los cristales fotónicos y impiden que la luz emitida por la capa escape. Los cristales fotónicos y impiden que la luz emitida por el material escape. El dispositivo consta, además, de un reflector y de un soporte.

METODO PARA LA SUPRESION DE LA RECOMBINACION NO RADIATIVA EN MATERIALES DOPADOS CON CENTROS PROFUNDOS.

(16/03/2008) Procedimiento para obtener materiales semiconductores con niveles situados cerca del centro de la banda prohibida (niveles profundos) que no sufren la recombinación no radiativa por emisión de múltiples fonones (MPE) asociada a dichos niveles. Consiste en incrementar el dopaje del semiconductor con aquellas impurezas que producen los centros profundos hasta alcanzar el punto en que se causa una transición de Mott entre las funciones de onda de los electrones atrapados en los centros, de tal forma que éstas quedan distribuidas a lo largo de todo el semiconductor. Cuando esto ocurre, desaparecen las variaciones locales de densidad de carga eléctrica y con ellas la recombinación por MPE. A partir de los materiales resultantes (semiconductores con tres bandas energéticas separadas , y ) se pueden fabricar dispositivos optoelectrónicos (células…

 

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