(13/09/2012) Célula solar de banda intermedia con puntos cuánticos no tensionados. El invento se refiere a una célula solar de banda intermedia cuyo material de banda intermedia consiste en una colección de puntos cuánticos de un material semiconductor A inmersos en un volumen de otro semiconductor B. El material A se caracteriza por tener una estructura cristalina del tipo sal de roca, mientras que el material B tiene una estructura zinc blenda. Los puntos cuánticos se producen por la inmiscibilidad del material A en el material B. Por lo tanto, es posible elegir una combinación de materiales A y B con una constante de red muy similar, de modo que la capa de material de banda intermedia no…

(20/06/2012) Método para la fabricación de una célula solar o de un detector de radiación, que presenta las siguientes etapasdel método: - provisión de un cuerpo semiconductor monocristalino que presenta dos lados enfrentados y undopado básico tipo p, - implantación de protones con energías de implantación entre 0,5 MeV y 10 MeV sobre un primer lado en elcuerpo semiconductor de manera que se genere un número de zonas de defecto (11') dispuestas en unadirección lateral del cuerpo semiconductor, distanciadas entre sí, que se extienden partiendo desde un lado hacia el interior del cuerpo semiconductor , - ejecución…

(11/04/2012) Célula fotovoltaica que comprende: un semiconductor a base de cristal de un tipo de conductividad; una primera película semiconductora a base de amorfos sustancialmente intrínseca; una segunda película semiconductora a base de amorfos de un tipo n; una tercera película semiconductora a base de amorfos sustancialmente intrínseca; una cuarta película semiconductora a base de amorfos de un tipo p; una primera capa de electrodo transparente, y una segunda capa de electrodo, estando provista dicha primera película semiconductora a base de amorfos, dicha segunda película semiconductoraa base de amorfos, y dicha primera capa de electrodo en este orden sobre una primera superficie de dichosemiconductor a base de cristal, estando provista dicha tercera película…

(02/06/2011) Dispositivo óptico que comprende: un primer electrodo ; un segundo electrodo , siendo el primer y/o el segundo electrodo por lo menos parcialmente transmisivos en una primera gama de longitudes de onda; un elemento activo que presenta una unión-np que se dispone entre el primer y el segundo electrodo ; comprendiendo el elemento activo una pluralidad de estructuras semiconductoras que crecen en una dirección longitudinal fuera de una superficie plana sobre el primer electrodo y estando en contacto eléctrico con el primer y el segundo electrodo ; caracterizado por el hecho de que: cada estructura semiconductora comprende una parte…

(24/05/2010) Un dispositivo detector para la detección de radiación electromagnética incidente sobre un sustrato , generando la radiación electromagnética incidente pares de portadores mayoritarios (h+) y minoritarios (e-) en el sustrato , comprendiendo el dispositivo detector al menos una región fuente de corriente y al menos una región de drenaje de corriente , medios para generar una corriente de portador mayoritario en el sustrato , entre la al menos una región fuente de corriente y la al menos una región de drenaje de corriente , estando la corriente de portador mayoritario asociada a un campo eléctrico, y al menos una zona de agotamiento de una unión…

(02/02/2010) Un aparato fotovoltaico que comprende: (a) una pluralidad de elementos de conversión fotoeléctrica , cada uno de los cuales es de una forma aproximadamente esférica e incluye una primera capa semiconductora y una segunda capa semiconductora , que está situada por fuera de la primera capa semiconductora , a fin de generar una fuerza electromotriz entre las primera y segunda capas semiconductoras , de tal modo que la segunda capa semiconductora tiene una abertura a través de la cual queda expuesta o al descubierto una porción de la primera capa semiconductora ; y (b) un soporte , que incluye un primer…

(16/03/2008) Procedimiento para obtener materiales semiconductores con niveles situados cerca del centro de la banda prohibida (niveles profundos) que no sufren la recombinación no radiativa por emisión de múltiples fonones (MPE) asociada a dichos niveles. Consiste en incrementar el dopaje del semiconductor con aquellas impurezas que producen los centros profundos hasta alcanzar el punto en que se causa una transición de Mott entre las funciones de onda de los electrones atrapados en los centros, de tal forma que éstas quedan distribuidas a lo largo de todo el semiconductor. Cuando esto ocurre, desaparecen las variaciones locales de densidad de carga eléctrica y con ellas la recombinación por MPE. A partir de los materiales resultantes (semiconductores con tres bandas energéticas separadas , y ) se pueden fabricar dispositivos optoelectrónicos (células…

(16/04/2006) Convertidor fotovoltaico de alta eficiencia para intensidades luminosas elevadas fabricado con tecnología optoelectrónica. Se trata de convertidores fotovoltaicos que trabajan bajo luz de intensidad elevada y logran una alta eficiencia. Producen electricidad fotovoltaica a costes reducidos, lo que es de gran interés para la industria fotovoltaica. Su aplicación puede extenderse a sistemas termofotovoltaicos y sistemas de telealimentación por fibra óptica. El convertidor se caracteriza porque: a) sus capas semiconductoras son de compuestos III-V, b) se utiliza fotolitografía para su fabricación y c) su tamaño está comprendido en el rango que va de las décimas a las decenas de milímetros cuadrados. Para su fabricación se pueden utilizar otras técnicas…

(16/10/2004) UN DISEÑO CELULAR SOLAR MEJORADO Y METODO DE FABRICACION QUE PRIMERAMENTE USA DOS MATERIALES, SILICIO Y ALUMINIO IMPURIFICADOS DEL TIPO N PARA FORMAR UNA CELULA SOLAR DE CONTACTO POSTERIOR DE UNION DE ALEACION P-N. LA UNIONES DE ALEACION DE ALUMINIO SON COLOCADAS EL LADO POSTERIOR (NO ILUMINADO) DE LA CELULA, POR MEDIO DE LAS CUALES SE COMBINAN LAS CARACTERISTICAS DESEABLES DE ALUMINIO (COMO UN DOPANTE, METAL DE CONTACTO Y REFLECTOR DE LUZ), CON LAS VENTAJAS DE UNA CELULA DE CONTACTO POSTERIOR. EL DISEÑO CELULAR Y EL METODO DE FABRICACION INCLUYE TALES CARACTERISTICAS COMO TEXTURIZACION DE LA SUPERFICIE, ESPEJOS PORTADORES MINORITARIOS DEL CAMPO DE LA SUPERFICIE DELANTERA Y TRASERA, PASIVACION DE LA SUPERFICIE USANDO CAPAS DE OXIDACION, USO DE CONTACTOS AI COMO REFLECTORES DE LUZ, PROTECCION INTRINSECA CONTRA POLARIZACION IVERSA DEBIDO…

(16/05/2004) 1. Disposición con componentes eléctricos con al menos dos placas de contacto (10/12) electroconductivas distanciadas entre sí, con al menos un chip semiconductor unido firmemente con las placas eléctricas de contacto y donde al menos el chip semiconductor está moldeado por inyección en su alrededor con una masa de plástico permeable a radiaciones, caracterizada porque el chip semiconductor está provisto de un sustrato transparente y girado en relación con el eje óptico del sistema de tal modo en un ángulo, que el eje del chip semiconductor formado por el ánodo y el cátodo no se extiende en paralelo al eje en relación con el eje óptico del sistema. 2. Disposición con componentes eléctricos según la…

(01/03/2004) SE PRESENTA UNA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA Y UN METODO PARA FORMAR LA ESTRUCTURA, EN DONDE UN SUBSTRATO O SUPERESTRATO DE SOPORTE SUMINISTRA LA RESISTENCIA MECANICA PARA SOPORTAR LAS REGIONES ACTIVAS, FINAS, SUPERPUESTAS. LA CAPA DIELECTRICA FINA DEPOSITADA SOBRE EL SUBSTRATO O EL SUPERESTRATO SIRVE PARA AISLAR LAS CAPAS DEPOSITADAS DEL SUBSTRATO DESDE PERSPECTIVAS OPTICAS, METALURGICAS Y/O QUIMICAS. ENTONCES SE DEPOSITA UNA CAPA DE SENSIBILIZACION PRELIMINAR , LA CAPA DE SENSIBILIZACION PRELIMINAR ES DE SILICIO DE TIPO N CON TRATAMIENTOS APROPIADOS PARA OBTENER EL TAMAÑO GRANDE DE GRANO DESEADO. ESTA CAPA PUEDE CRISTALIZARSE A MEDIDA QUE SE DEPOSITA, O PUEDE SER DEPOSITADA EN FORMA AMORFA Y LUEGO SER CRISTALIZADA CON UN PROCESAMIENTO…