CIP 2015 : H01L 23/48 : Disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido durante su funcionamiento, p. ej. hilos de conexión o bornes.

CIP2015HH01H01LH01L 23/00H01L 23/48[1] › Disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido durante su funcionamiento, p. ej. hilos de conexión o bornes.

H SECCION H — ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).

H01L 23/48 · Disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido durante su funcionamiento, p. ej. hilos de conexión o bornes.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Sustrato de pastilla embebida con taladro posterior.

(01/07/2020) Un dispositivo, que comprende: un sustrato que tiene un primer lado y un segundo lado opuesto, en el que el sustrato es un sustrato central que incluye una capa conductora , una primera capa dieléctrica adyacente a una primera superficie de la capa conductora y una segunda capa dieléctrica adyacente a una segunda superficie opuesta de la capa conductora ; una cavidad definida dentro del sustrato , en el que: la cavidad carece de la primera capa dieléctrica y la capa conductora , y un suelo de la cavidad está definido por la segunda capa dieléctrica ; una pastilla acoplada al suelo de la cavidad , teniendo la pastilla una placa conductora en un lado de la pastilla distal al suelo de la cavidad…

Estructura y procedimiento para una TSV con alivio de tensión.

(17/06/2020) Una pastilla semiconductora que comprende: un sustrato que tiene una cara activa; capas conductoras acopladas a la cara activa; una vía a través de sustrato en una cavidad de vía que se extiende a través del sustrato y que tiene un diámetro sustancialmente constante a través de una longitud de la vía a través de sustrato, comprendiendo la vía a través de sustrato un material de relleno conductor; una primera capa de aislamiento que rodea la vía a través de sustrato y se proporciona en una pared lateral de la cavidad de vía; y una segunda capa de aislamiento que rodea la vía a través de sustrato, la segunda capa de aislamiento formada entre la primera capa de aislamiento y el relleno conductor y que comprende dos partes, una parte rebajada y una parte dieléctrica, en la que la parte dieléctrica…

Control térmico activo para dispositivos de IC apilados.

(11/03/2020). Solicitante/s: QUALCOMM INCORPORATED. Inventor/es: GU,SHIQUN, NOWAK,MATTHEW, TOMS,THOMAS R.

Un dispositivo de IC apilado que comprende: un nivel superior y un nivel inferior , teniendo cada nivel una capa de sustrato y una capa activa en la que están dispuestos unos circuitos activos, en el que el nivel superior y el nivel inferior están apilados de modo que la capa activa del nivel superior está enfrente de la capa activa del nivel inferior; y un dispositivo termoeléctrico (TE) que comprende al menos una unión P-N y un conductor inferior , en el que el material de la unión P-N está dispuesto dentro de la capa de sustrato del nivel superior, en el que el dispositivo TE está adaptado para facilitar un flujo térmico entre el conductor inferior de dicho dispositivo TE y un área localizada del dispositivo de IC apilado , y en el que el flujo térmico pasa a través de las capas activas de los niveles superior e inferior.

PDF original: ES-2796653_T3.pdf

Sistemas en paquetes.

(19/02/2020) Un sistema en paquete que comprende: un portador ; un primer chip encima de dicho portador , en el que dicho primer chip comprende un primer sustrato semiconductor que tiene un grosor de entre 1 y 50 micrómetros, una primera capa metálica (34 o 26) debajo de una superficie inferior de dicho primer sustrato semiconductor , y una primera capa dieléctrica debajo de dicha superficie inferior de dicho primer sustrato semiconductor y encima de dicha primera capa metálica (34 o 26); un segundo chip encima de dicho portador , en el que dicho segundo chip comprende un segundo sustrato semiconductor que tiene una superficie superior (58s) sustancialmente coplanaria con una superficie superior (58s) de dicho primer sustrato semiconductor , en el que dicho segundo chip está separado de dicho primer chip ; un material de relleno…

Sistemas y métodos microelectromecánicos para encapsular y fabricar los mismos.

(04/12/2019) Un método para fabricar un dispositivo electromecánico que tiene estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas, un contacto eléctrico y regiones (22a, 22b) de campo, todas superpuestas a un sustrato , en donde las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas y el contacto eléctrico están dispuestos entre las regiones (22a, 22b) de campo, en donde las regiones (22a, 22b) de campo están compuestas de silicio, germanio, silicio/germanio, carburo de silicio o arseniuro de galio, y en donde las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas residen en una cámara sellada, comprendiendo el método: proporcionar un sustrato con una primera capa de sacrificio, un contacto eléctrico y estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas, en donde el contacto eléctrico y las estructuras (20a, 20b, 20c, 20d) mecánicas están dispuestas entre…

Módulo dual para tarjeta dual con microcircuito.

(05/06/2019) Módulo dual para tarjeta dual con microcircuito, que consta de una película de soporte que porta en una cara llamada externa una pluralidad de almohadillas de contacto eléctrico (C1-C8) que consta de dos series de almohadillas de contacto eléctrico que se extienden según una dirección dada bordeando en toda su longitud dos bordes de esta película de soporte que son paralelos a esta dirección y, en una cara llamada interna dos zonas internas de conexión destinadas a conectarse a una antena de dicha tarjeta dual con microcircuito y un microcircuito , constando este microcircuito de terminales de conexión conectados por hilos respectivamente a las zonas internas de conexión o a determinadas de las almohadillas de contacto eléctrico por medio de huecos…

Ensamblaje de un chip microelectrónico a una ranura con un elemento de cableado en forma de cordón y procedimiento de ensamblaje.

(03/04/2019) Ensamblaje de por lo menos un chip microelectrónico con un elemento de cableado , dicho por lo menos un chip microelectrónico comprende un componente microelectrónico separado de una contra-placa o de un componente micro electrónico adicional por un separador , en el que el separador , el componente microelectrónico y la contra-placa o el componente microelectrónico adicional definen por lo menos una ranura de encaje del elemento de cableado , la por lo menos una ranura que presenta una primera pared lateral interna (10b) define el componente microelectrónico , un fondo definido por el separador y una segunda pared lateral interna (10a) opuesta a la primera pared lateral interna (10b) y definida por el componente microelectrónico adicional o la contra-placa , la por lo menos…

Célula de disco mejorada para múltiples componentes semiconductores puestos en contacto a presión.

(04/01/2017) Celda de disco para la puesta en contacto a presión de múltiples componentes semiconductores mediante medios de sujeción que producen una fuerza de sujeción (F), que presenta: una carcasa ; al menos un primer componente semiconductor del primer tipo de construcción, alojado dentro de la carcasa; al menos un segundo componente semiconductor de un tipo de construcción diferente al primer tipo de construcción, alojado dentro de la carcasa; comprendiendo la carcasa al menos una placa de presión metálica que engrana sobre el primer y el segundo componentes semiconductores y que está orientada sustancialmente en ángulo recto con respecto a la fuerza de…

Chip microelectrónico desnudo provisto de una ranura que forma un alojamiento para un elemento filar que constituye un soporte mecánico flexible, procedimiento de fabricación y microestructura.

(22/04/2015) Chip microelectrónico que incluye un elemento filar eléctricamente conductor , dos caras principales paralelas delantera y trasera , caras laterales y un rebaje que forma un alojamiento para el elemento filar eléctricamente conductor , siendo el rebaje una ranura colocada en una de las caras principales o laterales, teniendo la ranura un eje paralelo a las caras principales para una fijación por encastre del elemento filar eléctricamente conductor en dicha ranura, estando el chip el provisto de al menos un elemento de conexión eléctrica destinado a conectar un componente microelectrónico integrado en el chip con el elemento filar, estando el elemento de conexión eléctrica, en el caso de una ranura colocada en una cara lateral, al menos en parte constituido por una capa eléctricamente conductora que reviste al menos en parte dicha ranura;…

Almacenamiento de datos y estructuras apilables.

(18/09/2013) Un sistema que comprende una pila incluyendo: un primer dispositivo de memoria ; un segundo dispositivo de memoria ; opcionalmente, dispositivos de memoria adicionales ; un controlador acoplado eléctricamente al primer dispositivo de memoria; donde - cada uno de dichos dispositivos de memoria comprende contactos de entrada en serie (D0-D7, CSI, DSI) y contactos de salida en serie (Q0-7, CSO, DSO), los contactos de salida en serie estando separados de los contactos de entrada en serie y todos los dispositivos de memoria 15 teniendo una misma configuración de la disposición de entrada/salida, - el segundo dispositivo de memoria en la pila se fija como un dispositivo de memoria sucesivo al primer dispositivo de memoria y rotacionalmente desplazado…

Vía de interconexión de baja resistencia a través de una oblea.

(07/08/2012) Una oblea que comprende una vía de interconexión a través de la oblea desde una cara superior hasta una cara inferior de la oblea , en la que la vía de interconexión a través de la oblea comprendeun agujero de interconexión a través de la oblea que tiene una pared lateral cubierta parcialmente almenos con un primer revestimiento conductor , en la que el agujero de interconexión a través de laoblea comprende al menos una primera porción y una segunda porción que forma un estrechamiento con al menos una pared lateral inclinada superior que se ensancha hacia fuera hacia la cara superioren el agujero de interconexión a través de la oblea caracterizada porque dicha primera porción tiene unapared lateral sustancialmente vertical .

Módulo de semiconductor de potencia con contacto de presión con un acumulador de presión híbrido.

(04/07/2012) Un módulo de semiconductor de potencia con contacto por presión con por lo menos un sustrato que tiene componentes del semiconductor de potencia dispuestos sobre el mismo, un alojamiento y elementos de conexión de la carga que conducen al exterior y con un dispositivo de presión que comprende un elemento de presión , en el que el sustrato en su primera superficie principal encarada hacia el interior del módulo de semiconductor de potencia, comprende pistas conductoras con un potencial de carga, en el que un primer y por lo menos un elemento de conexión de la carga adicional están formados como un moldeado de plástico con una sección de transferencia de la presión Y por lo…

Montaje en contacto con presión con un módulo de semiconductor de potencia.

(16/05/2012) Una instalación en contacto con presión con una tarjeta de circuito impreso , un módulo de semiconductor de potencia y un dispositivo de refrigeración , en la que la tarjeta de circuito impreso tiene un cuerpo de material aislante y vías de conducción instaladas en el mismo o en su interior, en la que el módulo de semiconductor de potencia tiene un alojamiento de plástico aislante en forma de un bastidor, con una primera superficie de cubierta que tiene orificios , un sustrato que forma la segunda superficie de cubierta del alojamiento con por lo menos una vía de conducción y por lo menos un componente del semiconductor de potencia dispuesto en la misma y conectado de acuerdo con el circuito en cuestión y también resortes de contacto , los cuales pasan a través de los orificios del alojamiento…

Componente optoelectrónico con estructura de bandas conductoras.

(27/04/2012) Componente optoelectrónico con estructura de bandas conductoras, en el que los componentes semiconductores electrónicos y optoelectrónicos están dispuestos en una primera región de banda conductora conectada a tierra y están rodeados por una carcasa de un plástico termoplástico o termoestable, en el que una segunda región de banda conductora conectada igualmente a tierra está plegada alrededor de la carcasa , de forma que apantalla a los componentes semiconductores de radiaciones parásitas electromagnéticas, en el que la segunda región de banda conductora está conectada a la primera región de banda conductora , y en el que la segunda región de banda conductora sobresale de la carcasa , caracterizado porque la segunda región de banda conductora…

Módulo de semiconductor de potencia con elementos de conexión.

(07/03/2012) Un módulo de semiconductor de potencia con un alojamiento , por lo menos un sustrato , por lo menos un componente del semiconductor de potencia dispuesto y conectado de una manera apropiada para el circuito, elementos de conexión para las conexiones de carga y las conexiones auxiliares que tienen una conexión eléctricamente conductora a dicho componente del semiconductor de potencia y que están dirigidas hacia fuera, en donde por lo menos un elemento de conexión está formado a partir de una primera sección de línea cargada por resorte y una segunda sección de línea rígida y a partir de un moldeado de…

FAGOS VIRULENTOS PARA CONTROLAR LA LISTERIA MONOCYTOGENES EN PRODUCTOS ALIMENTARIOS Y EN PLANTAS DE PROCESAMIENTO DE ALIMENTOS.

(16/06/2007). Solicitante/s: DOW GLOBAL TECHNOLOGIES INC.. Inventor/es: MARCHBANKS, ERIC, L., PETERSON, CURT, E., DEMINT, TODD, A., KINNUNEN, ARI, P., BENNICK, KENNETH, T., VAN CONETT, THOMAS, E., HUS, MICHAEL, E.

Método para controlar la contaminación por Listeria en un producto de alimentario, en el equipamiento de procesamiento de alimentos, o en los contenedores de almacenamiento de alimentos, que comprende aplicar fago P100 lítico, número de designación de depósito de patentes en la ATCC PTA-4393, a a un producto alimentario o o equipamiento de procesamiento de alimentos en una cantidad suficiente para reducir la cantidad de Listeria.

APARATO PARA EL ALMACENAMIENTO VOLUMETRICO DE DATOS QUE COMPRENDE UNA SERIE DE DISPOSITIVO DE MEMORIA APILADOS DIRECCIONABLES EN FORMA DE MATRIZ.

(01/03/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: THIN FILM ELECTRONICS ASA. Inventor/es: GUDESEN, HANS, GUDE, LEISTAD, GEIRR, I..

Aparato para el almacenamiento volumétrico de datos que comprende una serie de dispositivos de memoria apilados (M) direccionables, por matriz, en el que cada.

ENSAMBLAJES DE CHIP SEMICONDUCTOR, PROCEDIMIENTO DE FABRICACION Y COMPONENTES PARA LOS MISMOS.

(16/05/2002). Solicitante/s: TESSERA, INC. Inventor/es: KHANDROS, IGOR Y., DISTEFANO, THOMAS H.

CONJUNTOS DE CHIPS SEMICONDUCTORES QUE INCORPORAN ELEMENTOS LAMINARES FLEXIBLES QUE TIENEN TERMINALES POR ENCIMA DE LA CARA FRONTAL O POSTERIOR DEL CHIP PARA PROPORCIONAR UNA UNIDAD COMPACTA. LOS TERMINALES EN EL ELEMENTO LAMINAR SON DESPLAZABLES RESPECTO AL CHIP PARA COMPENSAR LA DILATACION TERMICA. UN ELEMENTO ELASTICO TAL COMO UNA CAPA ELASTICAMENTE DEFORMABLE INTERPUESTO ENTRE EL CHIP Y LOS TERMINALES PERMITE EL MOVIMIENTO INDEPENDIENTE DE LOS TERMINALES INDIVIDUALES HACIA EL ACOPLAMIENTO IMPULSOR DEL CHIP CON EL CONJUNTO DE LA SONDA DE PRUEBA PARA PERMITIR UN ACOPLAMIENTO FIABLE A PESAR DE LAS TOLERANCIAS.

CONTACTO DE FUENTE DE ALIMENTACION DE CIRCUITO INTEGRADO.

(01/03/1998). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: GABARA, THADDEUS J.

UN CIRCUITO INTEGRADO FORMADO EN UN SUSTRATO TIENE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO CONFORMADOS EN UNA CAPA EPITAXIAL RELATIVAMENTE IMPURIFICADA (ES DECIR, CON ALTA RESISTIVIDAD), TIPICAMENTE EN UN "TUBO" FORMADO EN LA MISMA. LA CORRIENTE DE FUNCIONAMIENTO PARA LOS TRANSISTORES DE PROPORCIONA AL MENOS EN PARTE A TRAVES DE UNA CAPA METALICA SITUADA EN LA PARTE TRASERA DEL SUSTRATO. SORPRENDENTEMENTE, LA CONDUCTIVIDAD ES SUFICIENTEMENTE ALTA A TRAVES DE LA CAPA EPITAXIAL Y EL SUSTRATO QUE EL NUMERO DE ZONAS DE UNION EN LA PARTE FRONTAL PUEDE REDUCIRSE, O ELIMINARSE COMPLETAMENTE EN ALGUNOS CASOS. ADEMAS SE OBTIENE UNA REDUCCION EN LA INDUCTANCIA DE CONDUCCION DE LA FUENTE DE ALIMENTACION, REDUCIENDO LOS PROBLEMAS DEL SALTO A TIERRA Y DE OSCILACION.

METODO DE FABRICACION DE PERLAS DE SOLDADURA Y PERLAS DE SOLDADURA FORMADAS MEDIANTE EL MISMO.

(01/11/1997) LA BASE DE LAS COMBAS DE SOLDADURA SE PRESERVA CONVIERTIENDO EL METAL DE DEBAJO DE LA COMBADURA ENTRE LA COMBADURA DE SOLDADURA Y EL TERMINAL DE CONTACTO EN UN MATERIAL INTERMETALICO ENTRE LA SOLDADURA Y EL COMPONENTE SOLDABLE DEL METAL DE DEBAJO DE LA COMBADURA ANTES DE EFECTUAR EL ATAQUE QUIMICO A LA PARTE METALICO DE DEBAJO DE LA SOLDADURA. EL MATERIAL INTERMETALICO ES RESISTENTE A LOS AGENTES DE ATAQUE QUIMICO QUE SE UTILIZAN PARA ATACAR QUIMICAMENTE EL METAL DE DEBAJO DE LA SOLDADURA ENTRE LOS TERMINALES DE CONTACTO. DE ESTA FORMA, SE PRODUCE UN RECORTE MINIMO DE LAS COMBADURAS DE LA SOLDADURA, Y SE PRESERVA SU TAMAÑO. LA SOLDADURA PUEDE ELECTRODEPOSITARSE SOBRE EL MATERIAL METALICO DE DEBAJO…

ALOJAMIENTO DE CIRCUITO INTEGRADO DE ALTA DENSIDAD, SOPORTE DE CIRCUITO INTEGRADO Y TARJETA DE INTERCONEXION RESULTANTE.

(16/06/1995). Solicitante/s: BULL S.A.. Inventor/es: BENAVIDES, ERIC, GUILHOT, AGNES.

EL CAJETIN DEL CIRCUITO INTEGRADO INCLUYE UN SOPORTE TAB CUYOS CONDUCTORES DE ALIMENTACION (15B) CONSTITUYEN UNOS ELEMENTOS DE BLINDAJE ENTRE GRUPOS DE CONDUCTORES DE SEÑALES Y TIENEN UNA LONGITUD, EN GRAN PARTE SHUNTADA, POR UN PLANO CONDUCTOR DE POTENCIAL CORRESPONDIENTE (26B) DEL DISPOSITIVO DE DESACOPLAMIENTO DEL CAJETIN.

ESTRUCTURA DE MONTAJE DE BASE DE SILICIO, PARA DISPOSITIVOS OPTICOS SEMICONDUCTORES.

(01/12/1994) SE DESCRIBE UNA ESTRUCTURA DE MONTAJE LASER BASADO EN SILICIO, QUE PROPORCIONA INTERCONEXION PERFECCIONADA ENTRE UN DISPOSITIVO OPTICO SEMICONDUCTOR, TAL COMO UN LASER, Y UNA FUENTE DE CORRIENTE EXTERNA DE MODULACION DE ALTA FRECUENCIA, MEDIANTE LA DISMINUCION DE LA PRESENCIA DE ELEMENTOS INDUCTORES PARASITOS EN LA RED DE INTERCONEXION. LA ESTRUCTURA INCLUYE UNA LINEA DE TRANSMISION DE ESTRIAS, FORMADA MEDIANTE LA DEPOSICION DE TIRAS METALICAS CONDUCTIVAS SOBRE LAS SUPERFICIES SUPERIOR E INFERIOR DE UN SUBSTRATO DE SILICIO. LAS TIRAS CONDUCTIVAS SE ACOPLAN EN UN EXTREMO A LA FUENTE EXTERNA DE CORRIENTE DE MODULACION. UNA RESISTENCIA DE PELICULA FINA SE DEPOSITA ENTRE EL SEGUNDO EXTREMO DE LA TIRA CONDUCTIVA SUPERIOR Y EL DISPOSITIVO OPTICO SEMICONDUCTOR. ESTA RESISTENCIA…

PAQUETE DE COMPONENTES ELECTRONICOS.

(01/11/1992). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: MOYER, HAROLD WILLIAM, SCHOLZ, HARRY ROBERT.

ES DESCRITO UN PAQUETE SEMICONDUCTOR CON UN ALTO GRADO DE AGARRE. LOS CONTACTOS EXTERNOS A LA ASTILLA ESTAN PROVISTO DE CONDUCTORES INTERDIGITADOS FORMADOS POR UNA PARTE SUPERIOR Y UNA INFERIOR DE UN CONDUCTOR ENDURECIDO. EL EXTREMO INFERIOR DEL CONDUCTOR ENDURECIDO INCLUYE UNA PALETA PARA MONTAR LA ASTILLA . EL EXTREMO SUPERIOR DEL CONDUCTOR ENDURECIDO TIENE INICIALMENTE SU UNION DE JUNTA Y UNA PORCION CENTRAL QUE ESTA TALADRADA HACIA FUERA PARA AJUSTAR EL TAMAÑO DE LA ASTILLA EN PARTICULAS. LOS DOS CONDUCTORES ENDURECIDOS SON COPLANARIOS PREFERENTEMENTE EN EL AREA ALREDEDOR DE LOS LIMITES DE LA CAPSULA DEL PAQUETE. EL COPOLIMERO DE ETILENO BUTENO-1 ESTA PREPARADO EN UNA COMBINACION DE 81 A 94 MOLES % DE ETILENO Y 19 A 6 MOLES % DE BUTENO-1.

Tarjeta que comprende un componente y un micromódulo con contactos de anco.

(16/04/1992). Solicitante/s: THOMSON COMPOSANTS MILITAIRES ET SPATIAUX. Inventor/es: GLOTON, JEAN-PIERRE.

Tarjeta que contiene un componente semiconductor del tipo que incluye conexiones eléctricas dispuestas en lugares determinados según una norma sobre un soporte con el formato de una tarjeta de crédito, comprendiendo la tarjeta al menos un alojamiento sobre una cara que lleva las conexiones , caracterizado porque los flancos del alojamiento llevan contactos de transferencia, que unen eléctricamente conexiones con terminales de un micromódulo enchufado en el alojamiento.

PROCEDIMIENTO DE MONTAJE DE UN CIRCUITO INTEGRADO SOBRE UN CIRCUITO IMPRESO, CIRCUITO RESULTANTE Y BANDA PORTADORA DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS PARA CUMPLIR EL PROCESO.

(01/04/1992). Solicitante/s: BULL S.A.. Inventor/es: DEHAINE, GERARD, FONTAN, JACQUES, KURZWEIL, KAREL.

EL MONTAJE DEL CIRCUITO INTEGRADO 10 POR FIJACION DE SUS PATAS 12 SOBRE LA PLACA SOPORTE 15 CONSISTE EN CONFINAR EL CIRCUITO INTEGRADO ENTRE UNA PLACA DE SOPORTE Y UNA DISIPADORA DE CALOR 14 UNIDAS POR CONDUCTORES 16 QUE FORMAN EL EMPAQUETADO. EL INVENTO SE APLICA A INTEGRADOS DE ALTA DENSIDAD.

DISPOSITIVO CON DOS ELEMENTOS DE CONSTRUCCION SEMICONDUCTORES APILADOS SUPERPUESTOS CUYAS CONEXIONES, EN CADA CASO, ESTAN SITUADAS EN UN PLANO.

(16/09/1991). Solicitante/s: DNT NARCHRICHTENTECHNIK GMBH. Inventor/es: ALBERTY, MICHAEL, HIEBER, EBERHARD.

DISPOSICION CON DOS ELEMENTOS DE CONSTRUCCION SEMICONDUCTORES CONECTADOS EN PARALELO ENTRE SI, APILADOS SUPERPUESTOS, CUYAS CONEXIONES, EN CADA CASO, ESTAN SITUADAS EN UN PLANO Y EN QUE ALGUNAS CONEXIONES, CORRESPONDIENTES ENTRE SI, ESTAN PUESTAS EN CONTACTO RECIPROCAMENTE, CARACTERIZADA PORQUE LOS ELEMENTOS SEMICONDUCTORES SON TRANSISTORES TIENEN TRES O CUATRO CONEXIONES, QUE TRANSCURREN ORTOGONALMENTE EN UN PLANO (G1, D1, S1, S1'; G2, D2, S2, S2') PORQUE LAS CONEXIONES TIENEN SUPERFICIES DE APLICACION, PREVISTAS PARA LA APLICACION SOBRE UNA CONEXION EN FORMA DE PLACA Y ESTAN PUESTAS EN CONTACTO CON CONDUCTORES DE LA CONEXION, PORQUE LOS TRANSITORES ESTAN APILADOS DE TAL MODO QUE DOS O CUATRO PARES DE TALES SUPERFICIES DE APLICACION ESTAN PUESTOS EN CONTACTO ENTRE SI DE MODO ADYACENTE, QUE PERTENECEN, EN CADA CASO, A ELECTRODOS DE LOS TRANSISTORES, CORRESPONDIENTES ENTRE SI.

ORGANO LAMINAR DE UNION ELECTRICA A DOS CIRCUITOS.

(01/01/1991). Solicitante/s: VALEO EQUIPEMENTS ELECTRIQUES MOTEUR. Inventor/es: HERITIER-BEST, PIERRE.

COMPRENDE UNA RED DE CONDUCTORES LAMINARES CYAS EXTREMIDADES (4A) ESTAN DESTINADAS A SER EMPALMADAS POR SOLDADURA A UN CIRCUITO ELECTRONICO, MIENTRAS QUE LAS OTRAS EXTREMIDADES (5A) CONSTITUYEN LOS CONTACTOS DE UN CONECTOR ELECTRICO OBTENIDO POR MOLTURACION EN UNA CAJA EN LA QUE ESTA ALOJADO EL CIRCUITO ELECTRONICO; DONDE LA RED DE CONDUCTORES ESTA PREVIAMENTE CONSTITUIDA DE DOS MATERIAS DIFERENTES EMPALMADAS ENTRE ELLAS POR SOLDADURA ELECTRICA Y POSEEN CARACTERISTICAS PROPIAS DE SOLDABILIDAD Y MECANICAS.

UN METODO PARA HACER UN MIEMBRO CONECTIVO MICROELECTRONICO ELASTICO.

(01/10/1988). Solicitante/s: HUGHES AIRCRAT COMPANY. Inventor/es: PATRAW, NILS E.

SE REVELA UN APARATO PARA PROPORCIONAR INTERCONEXIONES MICROELECTRONICAS, DENTRO DE PASTILLA () Y ENTRE PASTILLAS, EN UNA CONFIGURACION ULTRADENSA DE CIRCUITOS INTEGRADOS. SE USAN UNOS PEDESTALES COMPRESIVOS PARA FORMAR INTERCONEXIONES ELECTRICAS Y MECANICAS DE ACCION DE RESORTE CON UNOS TERMINALES CONDUCTIVOS DE UN CONJUNTO DE PASTILLA Y MESA DE INTERFAZ DE PASTILLA, A FIN DE FORMAR UNA GRAN AGRUPACION DE MULTITUD DE PASTILLAS SOBRE UN SUSTRATO DE INTERCONEXION . TAMBIEN SE REVELAN METODOS PARA FABRICAR LOS PEDESTALES COMPRESIVOS.

APARATO PARA INTERCONEXION ELECTRICA MICROMINIATURA.

(01/08/1988). Ver ilustración. Solicitante/s: HUGUES AIRGRAFT COMPANY. Inventor/es: PATRAW, NILS E.

SE REVELA UN APARATO PARA HABILITAR INTERCONEXIONES MICROELECTRONICAS EN INTERIOR DE PASTILLA () Y ENTRE PASTILLAS, EN UNA CONFIGURACION ULTRADENSA DE CIRCUITO INTEGRADO. UN CONJUNTO DE PORTADOR DE PASTILLA INVERTIDA COMPRENDE UN PORTADOR ENTRE UN DISPOSITIVO DE INTERCONEXION PERFECCIONADO Y UNA PASTILLA DE SEMICONDUCTOR . EL PORTADOR INCLUYE UNA PORCION DE QUE LLEVA UNA AGRUPACION DE CONECTADORES CONDUCTIVOS QUE SE EXTIENDEN POR ENCIMA DE UNAS PORCIONES DE REBORDE . UNOS TERMINALES DE REBORDE VAN CONECTADOS A LOS CONECTADORES POR ENCIMA DE LA MEDIANTE UNOS CONDUCTORES INTERNOS DE PORTADOR, Y VAN CONECTADOS A LA PASTILLA POR MEDIO DE UNOS HILOS CONECTADOS A LA PASTILLA POR MEDIO DE UNOS HILOS CONDUCTORES CORTOS Y RECTOS QUE ESTAN ACOPLADOS A LA PASTILLA POR UNOS PARCHES CONDUCTIVOS.

UN APARATO PARA INTERCONEXION MICROELECTRONICA.

(01/08/1988). Solicitante/s: HUGHES AIRCRAFT COMPANY. Inventor/es: PATRAW, NILS E.

SE DESCRIBE UN APARATO PARA PROPORCIONAR INTERCONEXIONES MICROELECTRONICAS INTRAPLAQUITAS Y ENTRE PLAQUITAS EN UNA CONFIGURACION DE CIRCUITO INTEGRADO ULTRADENSA. UN CONJUNTO DE PLAQUITA Y ESTRUCTURA MESA DE ACOPLAMIENTO DE PLAQUITA INCLUYE UN MIEMBRO DE ESTRUCTURA MESA QUE TIENE UNA SUPERFICIE SUPERIOR DE ESTRUCTURA MESA PLANA Y PAREDES LATERALES . EL PERIMETRO DE LA ESTRUCTURA MESA TIENE UNA PLURALIDAD DE MUESCAS CADA UNA DE LAS CUALES ESTA RECUBIERTA CON UNA CAPA CONDUCTORA. LAS MUESCAS ESTAN ACOPLADAS ELECTRICAMENTE A TERMINALES CONDUCTORES DE ACOPLAMIENTO DE ESTRUCTURA MESA A TRAVES DE PISTAS CONDUCTORAS . UNA PLAQUITA SEMICONDUCTORA QUE TIENE UNA SUPERFICIE SUPERIOR PORTADORA DE CIRCUITOS ACTIVOS PUEDE UNIRSE AL FONDO DEL MIEMBRO DE ESTRUCTURA MESA CON UN ADHESIVO DE RESINA EPOXIDICA.

ELEMENTO HALL INTEGRABLE PARTICULARMENTE UTILIZABLE COMO SENSOR DE CAMPOS MAGNETICOS.

(16/11/1985). Solicitante/s: LGZ LANDIS & GYR ZUG AG.

ELEMENTO HALL INTEGRABLE, PARTICULARMENTE UTILIZABLE COMO SENSOR DE CAMPOS MAGNETICOS. CONSTA DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA DE UN DETERMINADO TIPO DE CONDUCTIVIDAD, JUNTO A CUYA SUPERFICIE ESTAN DISPUESTOS DOS ELECTRODOS SENSORES Y UN PRIMER ELECTRODO DE CORRIENTE , QUE SE ENCUENTRA POR LO MENOS APROXIMADAMENTE EN EL CENTRO ENTRE AMBOS ELECTRODOS SENSORES Y SOBRE SU LINEA RECTA DE UNION. POR LO MENOS UN ELECTRODO DE CORRIENTE DISTRIBUIDO ADICIONAL, POR EJEMPLO UN SEGUNDO ELECTRODO DE CORRIENTE DE FORMA CILINDRICA CON SECCION TRANSVERSAL EN FORMA SEMICIRCULAR, ESTA DISPUESTO DE MANERA TAL QUE TODAS LAS CORRIENTES QUE FLUYEN EN FUNCIONAMIENTO ENTRE LOS ELECTRODOS DE CORRIENTES FORMAN UNA RESULTANTE VECTORIAL DE CORRIENTE.

UN MODULO DE CIRCUITO INTEGRADO.

(16/10/1985). Solicitante/s: ROLLIN W. METTLER, JR.

MODULO DE CIRCUITO INTEGRADO DESTINADO A CONECTAR UNA PASTILLA DE CIRCUITO INTEGRADO CON UN CONECTOR ELECTRICO. CONSTA DE UN SUSTRATO NO CONDUCTOR QUE TIENE UN BORDE DE CONTACTO PARA SU CONEXION AL CONECTADOR ELECTRICO Y QUE INCLUYE UNA PRIMERA Y UNA SEGUNDA SUPERFICIES PARA APOYO DE CABLES; Y DE UN BASTIDOR DE CABLES CONDUCTORES QUE COMPRENDE UN PRIMER GRUPO DE CABLES ESTRATIFICADOS SITUADOS SOBRE LA PRIMERA SUPERFICIE DEL SUSTRATO Y UN SEGUNDO GRUPO DE CABLES APLICADO COMO ENVOLTURA EN TORNO A UN BORDE DEL SUSTRATO Y ESTRATIFICADO SOBRE LA SEGUNDA SUPERFICIE DEL SUSTRATO.

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