ESTRUCTURA DE MONTAJE DE BASE DE SILICIO, PARA DISPOSITIVOS OPTICOS SEMICONDUCTORES.

SE DESCRIBE UNA ESTRUCTURA DE MONTAJE LASER BASADO EN SILICIO,

QUE PROPORCIONA INTERCONEXION PERFECCIONADA ENTRE UN DISPOSITIVO OPTICO SEMICONDUCTOR, TAL COMO UN LASER, Y UNA FUENTE DE CORRIENTE EXTERNA DE MODULACION DE ALTA FRECUENCIA, MEDIANTE LA DISMINUCION DE LA PRESENCIA DE ELEMENTOS INDUCTORES PARASITOS EN LA RED DE INTERCONEXION. LA ESTRUCTURA INCLUYE UNA LINEA DE TRANSMISION DE ESTRIAS, FORMADA MEDIANTE LA DEPOSICION DE TIRAS METALICAS CONDUCTIVAS SOBRE LAS SUPERFICIES SUPERIOR E INFERIOR DE UN SUBSTRATO DE SILICIO. LAS TIRAS CONDUCTIVAS SE ACOPLAN EN UN EXTREMO A LA FUENTE EXTERNA DE CORRIENTE DE MODULACION. UNA RESISTENCIA DE PELICULA FINA SE DEPOSITA ENTRE EL SEGUNDO EXTREMO DE LA TIRA CONDUCTIVA SUPERIOR Y EL DISPOSITIVO OPTICO SEMICONDUCTOR. ESTA RESISTENCIA DE PELICULA FINA SE UTILIZA PARA PROPORCIONAR ADAPTACION DE IMPEDANCIAS ENTRE EL DISPOSITIVO OPTICO Y LA LINEA DE TRANSMISION DE ESTRIAS. ES DECIR, PARA UN LASER QUE TENGA UNA IMPEDANCIA DE ZL, Y UNA LINEA DE TRANSMISION DE ESTRIAS DISE/ADA PARA TENER UNA IMPEDANCIA DE ZS, LA RESISTENCIA R SE ELIGE EN TAL FORMA QUE R + ZL = ZS. UTILIZANDO TECNICAS DE PROCESAMIENTO DE SILICE, LA RESISTENCIA DE PELICULA FINA PUEDE COLOCARSE ADYACENTE AL LASER, REDUCIENDO LOS PARASITOS ASOCIADOS CON SU INTERCONEXION. A TRAVES DEL SUBSTRATO SE FORMA UN PASO CONDUCTIVO PARA PROPORCIONAR UNA POSICION DE UNION EN EL LADO SUPERIOR, PARA CONECTAR EL DISPOSITIVO OPTICO AL CONDUCTOR METALICO DEL FONDO, Y MEDIANTE EL EMPLAZAMIENTO LATERAL SUPERIOR, LA INDUCTANCIA PARASITA ASOCIADA CON ESTA INTERCONEXION SE REDUCE CONSIDERABLEMENTE.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: AT&T CORP..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 32 AVENUE OF THE AMERICAS,NEW YORK, NY 10013-2412.

Inventor/es: DIETRICH, NORMAN RALPH, MOYER, RALPH SALVATORE, WONG, YIU-HUEN.

Fecha de Publicación: 1 de Diciembre de 1994.

Fecha Concesión Europea: 12 de Octubre de 1994.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L23/14 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › caracterizados por el material o por sus propiedades eléctricas.
H01L23/48 H01L 23/00 […] › Disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido durante su funcionamiento, p. ej. hilos de conexión o bornes.
H01L23/64 H01L 23/00 […] › Disposiciones relativas a la impedancia.
H01S3/025

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