Procesador cuántico.

Un procesador cuántico (100, 190) que comprende: una pluralidad de elementos cúbit (192,

194, 196, 198, 254, 256);

una pluralidad de miembros de control dispuestos para controlar la pluralidad de elementos cúbit;

en donde un estado cuántico de los elementos cúbit se codifica en el espín nuclear o de electrones de uno o más átomos donadores (104, 184, 604) incorporados en una estructura semiconductora (102), caracterizado porque los elementos cúbit se disponen en una disposición de matriz bidimensional, y por una estructura de control que comprende:

los miembros de control que comprenden un primer conjunto de miembros de control alargados (106, 206, 207), dispuestos en un primer plano encima de un plano que comprende los átomos donadores, y un segundo conjunto de miembros de control alargados (108, 208, 209), dispuestos en un segundo plano debajo del plano que comprende los átomos donadores;

una pluralidad de elementos de control (110) dispuestos en un plano entre el primer y el segundo plano, cada elemento de control que forma un solo transistor de electrones (112, 606) con un miembro de control respectivo del primer conjunto y un miembro de control respectivo del segundo conjunto, en donde cada miembro de control se dispone para controlar una pluralidad de elementos cúbit dispuestos a lo largo de una fila o una columna de la matriz bidimensional para realizar el cálculo cuántico corregido por error topológico, en donde

cada miembro de control se dispone en las intersecciones o entre dos filas o columnas de átomos donadores en un plano encima o debajo de un plano que comprende los átomos donadores,

los miembros de control (106, 206, 207) del primer conjunto son paralelos entre sí y los miembros de control (108, 208, 209) del segundo conjunto son paralelos entre sí; y

los miembros de control del primer conjunto se disponen para intersecar los miembros de control del segundo conjunto para formar una pluralidad de intersecciones donde los miembros de control de diferentes conjuntos se superponen en la dirección perpendicular al plano que comprende los átomos donadores (104, 184, 604).

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E15192761.

Solicitante: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED.

Inventor/es: FUECHLSE,MARTIN, HILE,SAMUEL JAMES, HILL,CHARLES DAVID, HOLLENBERG,LLOYD CHRISTOPHER LEONARD, HOUSE,MATTHEW GREGORY, PERETZ,ELDAD, ROGGE,SVEN, SIMMONS,MICHELLE YVONNE.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G06N10/00
  • H01L25/16 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 25/00 Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas H01L 31/042). › siendo los dispositivos de los tipos cubiertos por varios de los grupos principales H01L 27/00 - H01L 51/00, p. ej. circuitos híbridos.

PDF original: ES-2787623_T3.pdf

 

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