PROCEDIMIENTO PARA LA SUPERVISION DE ELEMENTOS DE SEMICONDUCTOR DE POTENCIA.
Un procedimiento para la supervisión de una disposición de circuito que consiste en lo menos dos superficies de contacto eléctricamente separadas mutuamente (10) con la misma funcionalidad o por lo menos dos grupos eléctricamente separados mutuamente de superficies de contacto (10) con la misma funcionalidad,
en el que las superficies de contacto de un grupo están eléctricamente conectadas de forma conductora una a otra, estas superficies de contacto (10) están dispuestas en por lo menos un módulo de semiconductor de potencia (1, 27) y cada superficie de contacto eléctricamente separada o cada grupo de superficies de contacto eléctricamente separadas está eléctricamente conectado de forma conductora al punto neutro (22, 31) de por lo menos una conexión de estrella a través de por lo menos un componente activo o pasivo (21, 30) y todas las superficies de contacto eléctricamente separadas o todos los grupos eléctricamente separados de superficies de contacto están conectados eléctricamente de forma conductora a por lo menos una superficie de contacto adicional (16, 19) la cual está dispuesta exteriormente al módulo o a los módulos de semiconductor de potencia y ambos, el punto neutro (22, 31) y las superficies de contacto (16, 19) se conducen exteriormente con el propósito de evaluar el potencial, caracterizado porque, durante el funcionamiento, la diferencia de potencial entre los puntos neutros (22, 31) y la superficie de contacto adicional (16, 19) exterior al módulo de semiconductor de potencia se supervisa y la señal obtenida se utiliza para la detección del fallo de uno o de una pluralidad de conexiones eléctricamente conductoras a un módulo de semiconductor de potencia
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E03023086.
Solicitante: SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH PATENTABTEILUNG.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: SIGMUNDSTRASSE 200, POSTFACH 820 251,90253 NURNBERG.
Inventor/es: NETZEL, MARIO, DR., LEHMANN,JAN, HERZER,REINHRAD,DR, PAWEL,SASCHA.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 15 de Octubre de 2003.
Fecha Concesión Europea: 29 de Julio de 2009.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G01R31/04D
- G01R31/27B
- G01R31/28G1
- H01L23/498G8
- H01L23/544T
- H01L25/07N
- H01L25/16 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 25/00 Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas H01L 31/042). › siendo los dispositivos de los tipos cubiertos por varios de los grupos principales H01L 27/00 - H01L 51/00, p. ej. circuitos híbridos.
Clasificación PCT:
- G01R31/04
- G01R31/27 FISICA. › G01 METROLOGIA; ENSAYOS. › G01R MEDIDA DE VARIABLES ELECTRICAS; MEDIDA DE VARIABLES MAGNETICAS (indicación de la sintonización de circuitos resonantes H03J 3/12). › G01R 31/00 Dispositivos para ensayo de propiedades eléctricas; Dispositivos para la localización de fallos eléctricos; Disposiciones para el ensayo eléctrico caracterizadas por lo que se está ensayando, no previstos en otro lugar (ensayo o medida de dispositivos semiconductores o de estado sólido, durante la fabricación H01L 21/66; ensayo de los sistemas de transmisión por líneas H04B 3/46). › Ensayos de dispositivos sin extraerlos físicamente del circuito del que forman parte, p. ej. compensación de efectos debidos a los elementos circundantes.
- G01R31/28 G01R 31/00 […] › Ensayo de circuitos electrónicos, p. ej. con la ayuda de un trazador de señales (ensayo de computadores durante las operaciones de espera "standby" o los tiempos muertos G06F 11/22).
- G01R31/316 G01R 31/00 […] › Ensayos de circuitos analógicos.
- H01L23/498 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › Conexiones eléctricas sobre sustratos aislantes.
- H01L23/544 H01L 23/00 […] › Marcas aplicadas sobre el dispositivo semiconductor, p. ej. marcas de referencia, esquemas de ensayo.
- H01L25/07 H01L 25/00 […] › siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 29/00.
- H01L25/16 H01L 25/00 […] › siendo los dispositivos de los tipos cubiertos por varios de los grupos principales H01L 27/00 - H01L 51/00, p. ej. circuitos híbridos.
Clasificación antigua:
- G01R31/316 G01R 31/00 […] › Ensayos de circuitos analógicos.
- H01L25/07 H01L 25/00 […] › siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 29/00.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.
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