Diodos emisores de luz basados en nitruro de galio altamente eficientes por medio de una superficie convertida en rugosa.

Un diodo emisor de luz de (Al, Ga, In)N compuesto de:

al menos una capa de tipo n (42),

una capa de emision (44) y una 5 capa de tipo p (46);

en el que la luz desde la capa de emision (44) se extrae a traves de una superficie de cara de nitrogeno,

denominada en lo que sigue "superficie de cara N", del diodo emisor de luz y la superficie de cara N del diodo emisor de luz esta compuesta de una rugosidad superficial con forma de cono que incrementa la eficiencia de extraccion de la luz desde la capa de emision (44) fuera de la superficie de cara N del diodo emisor de luz; y en el que las formas de cono de la rugosidad superficial de la superficie de cara N tienen un tamano proximo a una longitud de onda de la luz dentro del diodo emisor de luz, de modo que la luz dentro del diodo emisor de luz se disperse o difracte para reducir las reflexiones de luz que tienen lugar repetidamente en el interior del diodo emisor de luz, mejorando de ese modo la extraccion de la luz desde la capa de emision (44) fuera de la superficie de cara N en comparacion con un diodo emisor de luz que tenga una superficie plana.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E11154566.

Solicitante: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 1111 FRANKLIN STREET, 12TH FLOOR OAKLAND, CA 94607 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: NAKAMURA, SHUJI, GAO,Yan , FUJII,TETSUO, HU,EVELYN.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L21/465 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabado electrolítico (para formar capas aislantes H01L 21/469).
  • H01L29/06 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › caracterizados por su forma; caracterizado por las formas, las dimensiones relativas o las disposiciones de las regiones semiconductoras.
  • H01L29/20 H01L 29/00 […] › con únicamente compuestos A III B V aparte de los materiales de dopado u otras impurezas.
  • H01L33/00 H01L […] › Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50  tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).
  • H01L33/22 H01L […] › H01L 33/00 Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50  tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00). › Superficies irregulares o rugosas, p. ej. en la interfaz entre capas epitaxiales.
  • H01L33/30 H01L 33/00 […] › que contienen únicamente elementos del grupo III y del grupo V del sistema periódico.
  • H01L33/32 H01L 33/00 […] › que contienen nitrógeno.

PDF original: ES-2615209_T3.pdf

 

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