Fotodiodo y otras estructuras de sensores en generadores de imágenes de rayos X de panel plano y método para mejorar la uniformidad topológica del fotodiodo y otras estructuras de sensores en impresoras de rayos X de panel plano basadas en electrónica de película delgada.

Un sensor de radiación, que comprende:

una capa de centelleo configurada para emitir fotones al interactuar con radiación ionizante;



un fotodetector que incluye, en orden, un primer electrodo, una capa fotosensible y un segundo electrodo transmisor de fotones dispuesto cerca de la capa de centelleo;

estando dicha capa fotosensible configurada para generar pares de huecos de electrones al interactuar con una parte de dichos fotones;

circuitos de píxeles conectados eléctricamente al primer electrodo y configurados para medir una señal de formación de imágenes indicativa de dichos pares de huecos de electrones generados en la capa fotosensible; una capa de aplanado dispuesta en el circuito de píxeles entre el primer electrodo y el circuito de píxeles, de manera que el primer electrodo está por encima de un plano que incluye el circuito de píxeles;

una superficie de al menos uno de dicho primer electrodo y dicho segundo electrodo solapando al menos parcialmente el circuito de píxeles y que tiene una porción plana y una inflexión de superficie por encima de las características del circuito de píxeles; y

dicha inflexión superficial se extiende desde dicha porción plana y tiene, desde dicha porción plana, un radio de curvatura superior a la mitad de un micrómetro.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2010/038777.

Solicitante: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN.

Inventor/es: ANTONUK,LARRY E.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G01T1/20 SECCION G — FISICA.G01 METROLOGIA; ENSAYOS.G01T MEDIDA DE RADIACIONES NUCLEARES O DE RAYOS X (análisis de materiales por radiaciones, espectrometría de masas G01N 23/00; tubos para determinar la presencia, intensidad, densidad o energía de una radiación o de partículas H01J 47/00). › G01T 1/00 Medida de los rayos X, rayos gamma, radiaciones corpusculares o de las radiaciones cósmicas (G01T 3/00, G01T 5/00 tienen prioridad). › con detectores de centelleo.
  • H01L27/146 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00). › Estructuras de captadores de imágenes.
  • H01L31/105 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › siendo la barrera de potencial de tipo PIN.

PDF original: ES-2710101_T3.pdf

 

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